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SiC功率模塊關鍵在價格,核心在技術

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2022-05-06 09:27:27943

WolfPACK SiC功率模塊可為中高功率應用帶來可擴展的靈活解決方案

當前功率器件的研究已經進入一個新高度,而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。
2022-10-19 09:22:23899

SiC功率器件的發展及技術挑戰

碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術,特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。
2022-11-06 18:50:471289

碳化硅功率模塊封裝中4個關鍵問題的分析與研究

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新,包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯
2022-12-12 13:57:581468

Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構造

一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489

SiC模塊的特征和電路構成

1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685

SiC功率模塊的開關損耗

SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關損耗、2)開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333

何謂全SiC功率模塊

SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430

SiC功率模塊的開關損耗

SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496

SiC功率模塊封裝技術:探索高性能電子設備的核心競爭力

隨著電子技術的不斷發展,硅碳化物(SiC功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能,為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。
2023-04-23 14:33:22850

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列

? 全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353

sic功率半導體上市公司 sic功率半導體技術如何實現成果轉化

解更多公司,建議查詢相關網站。 sic功率半導體技術如何實現成果轉化 SIC功率半導體技術的成果轉化可以通過以下途徑實現: 與現有產業合作:尋找現有的使用SIC功率半導體技術的企業,與他們合作,共同研究開發新產品,將技術轉化為商業化
2023-10-18 16:14:30586

提高SiC功率模塊功率循環能力

在商業應用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術,Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372

車規級功率模塊封裝的現狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2、車規級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419

SiC驅動模塊的應用與發展

等領域。隨著技術的不斷進步和成本的降低,SiC驅動器模塊將進一步提升性能,擴大市場份額,并推動下一代功率器件的發展。
2023-11-16 15:53:30257

基于SiC功率模塊的高效逆變器設計

關鍵技術-SiC門驅動回路/電容器 通過SiC門驅動回路優化設計提升性能和強化保護功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設計減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116

碳化硅(SiC功率器件在新能源汽車中的深入應用解析

采用多芯片并聯的SiC功率模塊,會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無法發揮SiC器件的優良性能;SiC功率模塊雜散參數較大,可靠性不高。 (2)SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
2024-03-04 10:35:49132

碳化硅(SiC功率器件核心優勢及技術挑戰

SiC器件的核心優勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導率是硅的3倍以上,有利于高功率應用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542

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