面對(duì)儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于2013年8月底展開(kāi)五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(chǎng)（Fab
2013-07-08 09:46:13
814 研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲(chǔ)存相關(guān)公司的腳步加快，以及中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，中國(guó)業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來(lái)越關(guān)鍵。
2015-11-11 09:03:54421 被東芝（Toshiba）視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門(mén)新整編方案內(nèi)容曝光，據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠(chǎng)進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）”事業(yè)分拆出來(lái)。
2015-12-22 08:17:04669 全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠(chǎng)商東芝（Toshiba）將在 2017 年度采用被稱(chēng)為“納米壓印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技術(shù)
2016-06-04 09:39:01687 7月15 日東芝偕同美國(guó)硬盤(pán)大廠(chǎng)西數(shù)（Western Digital）為日本三重縣四日市新設(shè)的半導(dǎo)體二廠(chǎng)舉行開(kāi)幕儀式，兩者宣布至 2018 年前將投入超過(guò) 8,600 億日元（約 544億元人民幣）在 Nand Flash 的投資與產(chǎn)能布建。小米董事長(zhǎng)雷軍也現(xiàn)身 15 日東芝新廠(chǎng)開(kāi)幕典禮會(huì)場(chǎng)。
2016-07-18 09:26:271305 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0640846 
更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/威騰（WD）電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)均有所幫助。
2017-02-07 10:39:38564 東芝(Toshiba)因?yàn)楹四?b class="flag-6" style="color: red">事業(yè)三度減損，必須讓半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立上市籌資，雖然有人認(rèn)為Sony現(xiàn)在也讓電視、半導(dǎo)體等事業(yè)各自獨(dú)立，并成功讓家電事業(yè)轉(zhuǎn)虧為盈，東芝半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立并非壞事;但Sony與東芝的風(fēng)氣不同，援引Sony范例或許不佳。
2017-02-08 09:00:541204 據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠(chǎng)全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，東芝（Toshiba）出售NAND Flash事業(yè)群的競(jìng)標(biāo)案炒得熱鬧，近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策，將再找晶圓代工業(yè)者作第二輪商議，業(yè)界透露，臺(tái)積電有意
2017-03-02 07:51:24631 東芝（Toshiba）以 NAND 型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）為主軸的存儲(chǔ)器事業(yè)（含 SSD 事業(yè)、不含影像感測(cè)器）將分拆出去成立新公司“東芝存儲(chǔ)器（Toshiba Memory
2017-03-28 10:17:221490 根據(jù)外資的報(bào)告指出，NAND Flash 的產(chǎn)能問(wèn)題，2017 年三星、美光、東芝/西數(shù)、SK Hynix 都會(huì)在下半年量產(chǎn) 64 層，以及 72 層堆棧的 3D NAND Flash 的情況下，原本預(yù)計(jì)產(chǎn)能會(huì)有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121258 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠(chǎng))與記憶體研發(fā)中心舉行開(kāi)幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425007 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類(lèi)型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:321684 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
我現(xiàn)在用的NAND FLASH型號(hào)為K9F4G08U0B-PCB0，它有4096個(gè)Blocks，每個(gè)Block有64個(gè)Pages，每個(gè)Page大小為2K，這個(gè)在DEVICE ID里面找不到，請(qǐng)問(wèn)大家都用的是什么型號(hào)的NAND FLASH？
2018-06-21 08:58:33
終端將會(huì)打印如下類(lèi)似啟動(dòng)信息。?圖 10?圖 115.NAND FLASH讀寫(xiě)測(cè)試本章節(jié)對(duì)NAND FLASH的MTD11分區(qū)進(jìn)行讀寫(xiě)速度測(cè)試。MTD11是NAND FLASH的備用分區(qū)，一般存放小型
2020-09-08 10:56:52
讀取NAND FLASH時(shí)，假如#defineNFDATA __REG(0x4E000010)//NAND flash data 這行不更改成#defineNFDATA __REG_BYTE(0x4E000010)//NAND flash data為什么讀出來(lái)的數(shù)據(jù)是反的，有同學(xué)知道嗎，謝謝。。
2019-03-27 06:55:23
Flash的接口控制設(shè)計(jì)由于NAND Flash只有8個(gè)I/O引腳,而且是復(fù)用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設(shè)計(jì)命令鎖存使能(Command Latch Enable，CLE)和地址鎖存使能
2020-11-05 09:18:33
板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注：板載核心板以具體實(shí)物為準(zhǔn)，如不
2021-12-15 06:34:30
七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來(lái)的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。 雖然全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)總體上來(lái)看十分嚴(yán)峻，但受平板電腦和固態(tài)硬盤(pán)廠(chǎng)商對(duì)NAND閃存需求的刺激，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43
Enable,CLE)和地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因?yàn)椋?b class="flag-6" style="color: red">Nand Flash就8個(gè)I/O，而且是復(fù)用的，也就是，可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址，也可以傳命令，為了區(qū)分
2018-06-12 10:13:36
)和地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因?yàn)椋?b class="flag-6" style="color: red">Nand Flash就8個(gè)I/O，而且是復(fù)用的，也就是，可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址，也可以傳命令，為了區(qū)分你當(dāng)前傳入的到底是啥
2018-07-18 15:48:43
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有 使用過(guò) nand flash的，遇到一個(gè)問(wèn)題找不到原因。最開(kāi)始 nand flash 默認(rèn)接口 是 SDR 模式，我將 nand flash 接口配置成 DDR timing mode
2020-10-04 13:30:42
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠(chǎng)，從第四季度開(kāi)始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
本文先解釋了Nand Flash相關(guān)的一些名詞，再?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">Flash硬件機(jī)制開(kāi)始，介紹到Nand Flash的常見(jiàn)的物理特性，且深入介紹了Nand Flash的一些高級(jí)功能，然后開(kāi)始介紹Linux下面
2019-07-25 07:10:46
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過(guò)指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，做為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR flash和NAND flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線(xiàn)，地址線(xiàn)并排設(shè)置與IC的管腳中。但是由于不同容量
2018-08-07 17:01:06
一般可通過(guò)PAD連接閃存，比如Cadence公司的Octal-SPI
NAND Flash controller, 支持8-bit的數(shù)據(jù)和地址傳輸，這樣的速度會(huì)比傳統(tǒng)的單比特串行SPI快很多。因?yàn)?/div>
2022-07-01 10:28:37
大家好！
? ? ? ? 我最近在dm8127的uboot的nandflash驅(qū)動(dòng)， 使用東芝TC58NVG1S3HTA00的flash uboot都能正常啟動(dòng)，使用東藝
2018-06-21 16:39:38
。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR 和NAND
2018-08-09 10:37:07
什么是NAND Flash？NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的作用是什么？如何去使用NAND Flash控制器？
2021-06-21 06:56:22
再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不斷，然而好景象并沒(méi)有如期延續(xù)，各家大廠(chǎng)競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3DNAND Flash新增產(chǎn)能支持，市場(chǎng)需求卻成長(zhǎng)平緩，這也加速了2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。 受到
2021-07-13 06:38:27
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器我是一位在職者（北京），專(zhuān)業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2014-03-01 18:49:08
U-Boot NAND FLASH驅(qū)動(dòng)分析——西伯利亞的風(fēng)一、初始化函數(shù)調(diào)用關(guān)系 初始化函數(shù)調(diào)用關(guān)系如圖1.1所示。1.U-Boot啟動(dòng)過(guò)程中調(diào)用nand_init()初始化NAND FLASH
2019-07-08 03:56:54
區(qū)別呢？本文將闡述。 Nand Flash和 Nor Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介（1）Nand Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介 1989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能
2023-02-17 14:06:29
重慶回收東芝flash高價(jià)收購(gòu)東芝flash，專(zhuān)業(yè)回收東芝flash。長(zhǎng)期回收flash。價(jià)格高，歡迎有貨聯(lián)系我們。深圳帝歐專(zhuān)業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252
2020-11-05 17:41:02
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2021-06-16 19:17:37
由于Nand Flash 寫(xiě)之前需要擦除且使用壽命有限，為了提高Nand Flash 的使用壽命，需要對(duì)Nand Flash 存儲(chǔ)塊進(jìn)行均衡管理。本文研究了ZLG/FFS，針對(duì)其不足，并根據(jù)ZLG/FFS設(shè)計(jì)了一個(gè)新的FF
2009-08-11 08:10:24
17 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC？
SLC英文全稱(chēng)(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:271430 NAND Flash的驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)方案
以三星公司K9F2808UOB為例，設(shè)計(jì)了NAND Flash與S3C2410的接口電路,介紹了NAND Flash在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)
2009-03-29 15:07:301524 
東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤(pán)將于二季度上市
日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷(xiāo)量?jī)H次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤(pán)
2010-01-08 17:15:13988 The flash translation layer is an additional software layer between the file system and the NAND
2011-03-31 17:29:2187 根據(jù)調(diào)查，市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶(hù)為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求，9月份可望逐漸開(kāi)始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平，但記憶卡及U盤(pán)(UFD)通路市
2011-09-07 09:20:48748 
東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 雖然2012年第叁季初期NAND Flash市場(chǎng)需求受全球經(jīng)濟(jì)復(fù)甦緩慢的影響而呈現(xiàn)疲弱不振，但東芝7月中宣布減產(chǎn)及9月中蘋(píng)果發(fā)布新的iPhone 5也為市場(chǎng)帶來(lái)了正面的激勵(lì)因素
2012-11-05 09:30:312154 
NAND Flash需求主要集中在智慧型手機(jī)、云端儲(chǔ)存大型資料庫(kù)用的固態(tài)硬碟（SSD）上。2013年智慧型手機(jī)、平板電腦對(duì)于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加，加上云端運(yùn)算商機(jī)，市場(chǎng)對(duì)第3季NAND Flash市場(chǎng)看法偏向吃緊，晶片價(jià)格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 如何存儲(chǔ)MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:232 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:0137 Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142 TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，受惠于智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，2016年第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。
2016-12-08 11:31:15599 
全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于12寸晶圓代工產(chǎn)能需求大增，導(dǎo)致硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大，近期全球三大硅晶圓廠(chǎng)信越（Shin-Etsu）、Sumco、德國(guó)
2016-12-21 09:30:561105 東芝(Toshiba)因?yàn)楹四?b class="flag-6" style="color: red">事業(yè)三度減損，必須讓半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立上市籌資，雖然有人認(rèn)為Sony現(xiàn)在也讓電視、半導(dǎo)體等事業(yè)各自獨(dú)立，并成功讓家電事業(yè)轉(zhuǎn)虧為盈，東芝半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立并非壞事;但Sony
2017-02-08 01:57:02138 足夠資金，彌補(bǔ)美國(guó)核能事業(yè)的資產(chǎn)虧損。近來(lái)也傳出西部數(shù)據(jù)(WD)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、富士康(Foxconn)及Bain Capital有意競(jìng)購(gòu)，對(duì)此外界分析認(rèn)為，西部數(shù)據(jù)或可借由收購(gòu)東芝半導(dǎo)體事業(yè)部分股權(quán)，擴(kuò)大在全球NAND Flash市場(chǎng)的影響力與競(jìng)爭(zhēng)力，并
2017-02-15 01:06:41114 Samsung_NAND_FLASH命名規(guī)則
2017-09-20 11:17:559 引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸裕跀?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 如何編寫(xiě)Linux 下Nand Flash驅(qū)動(dòng)
2017-10-30 08:36:4415 近日，東芝首款64層3D NAND SSDTR200 SATA固態(tài)硬盤(pán)系列正式上市。TR200系列可提供給個(gè)人電腦和筆記本電腦更強(qiáng)的性能表現(xiàn)，并且滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)大容量SSD的使用要求。其具備高效能
2017-10-31 16:01:19888 據(jù)悉，東芝的第 6 座工廠(chǎng)（Fab 6）還沒(méi)有完工，東芝就宣布將在日本興建第7座NAND Flash工廠(chǎng)，韋德就是能在2018年與三星，Intel、及 SK 海力士進(jìn)行實(shí)力競(jìng)爭(zhēng)。94 層 V-NAND 閃存生產(chǎn)將會(huì)是東芝的下一個(gè)計(jì)劃。
2017-12-27 14:06:091773 NAND 型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）正迎來(lái) 10 年一度的需求熱潮，也造成做為原料的硅晶圓供應(yīng)不足，當(dāng)前庫(kù)存水準(zhǔn)已滑落至歷史新低，各家半導(dǎo)體廠(chǎng)商紛紛加快腳步確保供應(yīng)來(lái)源，不過(guò)東芝（Toshiba）在確保 2018 年所需的硅晶圓供貨協(xié)商上，落后給競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，而此恐對(duì)其半導(dǎo)體事業(yè)帶來(lái)沖擊。
2018-07-28 09:46:561358 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:571684 最新調(diào)查顯示，日本大廠(chǎng)東芝（Toshiba）為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)，預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/威騰（WD）電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)均有所幫助。
2018-12-10 10:11:251090 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991 據(jù)報(bào)導(dǎo)，多位關(guān)系人士透露，從東芝獨(dú)立出來(lái)的全球第二大NAND型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠(chǎng)商東芝存儲(chǔ)器（TMC）已著手進(jìn)行準(zhǔn)備原定于今年9月的IPO，預(yù)估TMC上市后市值將超過(guò)2萬(wàn)億日元。
2019-02-24 10:09:003006 三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后，NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣，決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185 近日，東芝在其官網(wǎng)上宣布，東芝存儲(chǔ)器和西部數(shù)據(jù)公司已達(dá)成正式協(xié)議，共同投資東芝存儲(chǔ)器目前正在日本巖手縣北上市建造的“K1”制造工廠(chǎng)。K1工廠(chǎng)將生產(chǎn)3D NAND Flash，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心，智能手機(jī)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)等應(yīng)用中不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。
2019-05-21 17:25:393681 6月15日，東芝存儲(chǔ)器公司NAND Flash工廠(chǎng)于當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故，大概花了13分鐘之后就恢復(fù)供電了，然而工廠(chǎng)在恢復(fù)供電后一直處于停產(chǎn)狀態(tài)。
2019-07-01 11:08:553257 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 NAND Flash受到東芝存儲(chǔ)器工廠(chǎng)停電事件，將帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格止跌走揚(yáng)，威剛科技初估，NAND Flash價(jià)格將調(diào)漲10%至15%；另一存儲(chǔ)器模組廠(chǎng)十銓科技也認(rèn)為不論DRAM或NAND Flash，下半年都將有很大的成長(zhǎng)空間。
2019-07-09 16:02:202513 東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠(chǎng)區(qū)于6月15日遭遇長(zhǎng)約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估，此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力，第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲，3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855 NAND Flash近期市況熱門(mén)，日韓貿(mào)易戰(zhàn)更讓NAND Flash價(jià)格看漲。
2019-07-16 15:24:002906 近日，據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:32665 超低延時(shí)閃存是當(dāng)前非常熱門(mén)的技術(shù)趨勢(shì)，東芝推出的XL-FLASH是超低延時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)的代表，讀延時(shí)可以達(dá)到普通3D TLC NAND的十分之一。Memblaze聯(lián)手東芝對(duì)XL-FLASH的低延時(shí)潛力
2019-08-18 09:03:00776 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 1月7日上午，全球第2大NAND Flash廠(chǎng)商鎧俠(Kioxia，舊稱(chēng)東芝存儲(chǔ)器)位于日本四日市的第6廠(chǎng)房(Fab 6)的內(nèi)部設(shè)備發(fā)生火警。據(jù)日經(jīng)新聞8日?qǐng)?bào)道，針對(duì)火災(zāi)一事，鎧俠預(yù)計(jì)不會(huì)對(duì)生產(chǎn)造成影響。
2020-01-09 11:49:092853 NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:265264 
日刊工業(yè)新聞報(bào)道，全球第二大NAND Flash廠(chǎng)鎧俠（Kioxia，原東芝存儲(chǔ)器）近期將重新申請(qǐng)上市，預(yù)計(jì)最早將于今年12月在東京證券交易所掛牌上市。此外，生產(chǎn)主力的日本四日市工廠(chǎng)擴(kuò)建計(jì)劃也將提前
2020-10-13 11:39:411913 字節(jié)。 NAND Flash器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù)﹐只能通過(guò)I/O接口發(fā)送命令和地址，對(duì)NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息
2020-11-03 16:17:0529749 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快
2020-11-03 16:12:083855 
移動(dòng)電話(huà)的功能日益豐富，其對(duì)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的需求正在快速增長(zhǎng)。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點(diǎn)，在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用，在各種片上系統(tǒng)芯片中（SOC）集成NAND
2021-03-29 10:07:0819 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229 
Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開(kāi)發(fā)一般考什么證書(shū))-ST提供適用于SLC的NFTL（NAND Flash Translation Layer）和FAT類(lèi)文件系統(tǒng)來(lái)解決NAND Flash存儲(chǔ)的問(wèn)題。
2021-07-30 10:41:299 1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash，它和普通并行的Nand Flash相似，比如：SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線(xiàn)和地址線(xiàn)分開(kāi)，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線(xiàn)和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類(lèi)。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線(xiàn)，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線(xiàn)共用一組引線(xiàn)，Nand Flash用來(lái)安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶(hù)數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性?xún)r(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類(lèi)型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2023-09-11 14:48:23556 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)?lái)關(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪(fǎng)問(wèn)NAND
2023-09-22 18:10:02752 
為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆](méi)有
2023-10-29 16:32:58647 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型。
2023-11-30 13:53:20735 
的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了 NAND Flash 結(jié)構(gòu),后者的單元電路尺寸幾乎只是 NOR 器件的一半,可以在給定的芯片尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 1.NAND
2024-03-01 17:08:45160 
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