業內將每一代工藝節點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節點。公司預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。 ? 工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續導入E
2021-07-12 10:57:06
4340 報導，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:421340 相較于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產，加速 20 納米製程轉換，在 2016 年才要進入 18/16 納米製程競賽的同時，早已搶先導入 20 奈米的叁星，現在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。
2016-04-07 08:58:031642 手機芯片10納米大戰正式開打！手機芯片龍頭高通（Qualcomm）搶在美國消費性電子展（CES）前發表10納米Snapdragon 835手機芯片，采用三星10納米制程生產。聯發科交由臺積電10納米
2016-11-22 09:01:381139 手機芯片10納米大戰正式開打！手機芯片龍頭高通（Qualcomm）搶在美國消費性電子展（CES）前發表10納米Snapdragon 835手機芯片，采用三星10納米制程生產。聯發科交由臺積電10納米
2016-11-22 10:02:281228 韓國三星近期積極將極紫外（EUV）曝光技術應用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產上，并且完成了量產。而根據半導體分析機構《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:362510 攤位位置。攤位確認后如參展單位無法參展，已發生費用將不予退還；若因我單位取消參展，攤位費將全額退還。 附件1：《2013年韓國首爾納米技術展費用表》附件2：《參展申請表》 展覽事業部:國 鋒何磊咨詢電話
2013-02-24 13:52:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-25 10:26 編輯
6657有4個SRIO通道，可以設置為4個1X、2個2X、1個4X、1個2X+2個1X。如果設置為1個2X+2個1X模式，2X
2018-06-25 06:16:13
DRAM Customization on i.MX6x
2016-09-24 16:04:30
DRAM內存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
/dram.c:int dram_init(void)./arch/arm/cpu/arm926ejs/orion5x/dram.c:int dram_init (void)
2020-08-17 11:19:18
納米位移計真的可以測到納米級別的物體的位移？
2015-07-23 10:36:36
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1、柔性壓電納米發電機 柔性壓電納米發電機（PENG）的原理是在外力作用下，晶體結構的中心對稱性被破壞，形成壓電勢。例如，將ZnO納米線兩端連接電極，封裝在柔性基板上?；鍙澢鷷r引起的ZnO內部
2020-08-25 10:59:35
納米定位平臺跟納米平臺的區別是什么？
2015-07-19 09:42:13
納米硅粒子有較大的比表面，無色透明；粘度較低，滲透能力強，分散性能好。納米硅的二氧化硅粒子是納米級別，其粒徑小于可見光光波長度，不會對可見光形成反射和折射等現象，因此不會使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
一、引言伴隨著國內運營商的重組，CDMA 1X技術重新受到國內業界的關注，本文主要介紹了CDMA 1X基站射頻性能對CDMA 1X網絡質量的影響以及CDMA 1X基站射頻測試中的關鍵問題，為CDMA
2019-07-18 06:34:44
CDMA2000 1X EV-DV有什么特點？CDMA2000 1x EV-DV技術的發展始于2000年初，3GPP2于2002年5月確定了CDMA2000 Rel.C版本，2004年3月確定了
2009-06-13 22:38:15
速率偏小，限制了對稱性數據業務的應用。為解決上述問 題，2004年3月，3GPP2發布了1x EV-DO Rev A（DO Rev A）版本，除了將前向鏈路峰值速率提高到3.072Mbit/s之外
2009-11-13 22:23:15
CDMA2000 1x EV-DO的特點CDMA2000 1x EV-DO定位于Internet的無線延伸，能以較少的網絡和頻譜資源（在1.25MHz標準載波中）支持平均速率為：? 
2009-06-13 22:40:27
CDMA20001x EV-DO如何進行網絡部署？ [hide]CDMA2000 1x EV-DO的網絡部署可以采用兩種方式：獨立式和集成式。在獨立方式中，1x EV-DO采用獨立
2009-06-13 22:40:04
使用NI的 FPGA，開辟了一個1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數據，也就是每個地址刷新時間不到17微秒，一開始出現一個數據都寫不進去，我
2018-11-07 23:57:30
在過去兩年中，全球DRAM制造商一直在以近乎滿負荷的速度運營著自己的內存芯片廠，從而導致了DRAM價格的持續上漲。在IC Insights近期發布的報告中披露，DRAM平均售價（ASP）在2018年
2018-10-18 17:05:17
LPC11U3x/2x/1x用戶手冊
2022-12-07 07:10:44
LPC435x / 3x / 2x / 1x閃存設備 勘誤表
2022-12-07 06:41:21
本人在項目中使用TI-TMS320C6678和K7 FPGA 通過SRIO通信，需要連接為4X，在初始化完成后，通過查詢DSP端的“SPnCTL”寄存器，發現連接模式由4X訓練成1x，在使用過程中需要保證4X連接才能保證傳輸帶寬，在初始化后如何保證4x變為1x的情況下重新初始化為4X？
2019-01-23 08:56:42
嗨，讓我們說使用dcm作為2倍時鐘倍頻......我知道有兩種方法可以反饋dcm，1x或2x ...那么問題是，有什么區別？使用2x反饋的優勢是什么？2x反饋會產生更好的占空比嗎？謝謝，以上
2019-01-30 10:24:33
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版（FinFET Plus）將在明年1月全產能量產，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統級封裝（SiP）技術，在x86及ARM架構64位
2014-05-07 15:30:16
，甚至轉虧為盈。不過，受第二季電子廠拉貨速度減緩影響，DRAM價格4月底顯疲態；根據集邦科技的報價，近期DDR3 1Gb eTT（有效測試顆粒）均價已跌破3美元關卡，跌至2.87美元，和3月底的3.04
2010-05-10 10:51:03
、DRAM芯片針腳的作用Intel在1979年發布的2188DRAM芯片，采用16Kx1 DRAM 18線DIP封裝。是最早出現的一款DRAM芯片。我們現在來解讀一下它所代表的意義：“16K x 1”是指
2010-07-15 11:40:15
什么是納米？為什么制程更小更節能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
、纖維、超細粒子、多層膜、粒子膜及納米微晶材料等，一般是由尺寸在1～100nm的物質組成的微粉體系。那么究竟什么是新型納米吸波涂層材料？ 新型納米吸波涂層材料有什么特性？
2019-08-02 07:51:17
核名頭。華為則出八核榮耀X，價格是999元。而今天，聯想也公布了其S898t+ 1GB RAM+8GB ROM版本的價格為788元，而2GB RAM+16GB存儲空間的價格是988元，兩者的處理器都為
2014-03-21 10:02:59
文件。我為配置工具提供了一個自定義的 dcd.bin 文件。
最近我對我的程序進行了更改：我更改了分散文件以將目標文件之一存儲在 DRAM 的未緩存部分中。由于我進行了此更改，配置工具在嘗試構建
2023-04-28 07:02:14
與DDR2供給吃緊帶動整體平均售價上揚。而在整體DRAM廠DRAM營收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨立出來
2008-05-26 14:43:30
配變實時監控系統有哪些功能？配變實時監控通訊網絡的問題與要求是什么？基于CDMA 1X網絡的配電網監控系統由哪些部分組成的？
2021-05-31 06:27:10
嗨，我正在瀏覽Vritex 6原始手冊。我很想知道LUT是否可以同時配置為SRL / CFGLUT5和DRAM（分布式RAM）（不同的配置將用于不同的周期）？如果沒有，為什么？如果是這樣，怎么樣？非常感謝你，
2020-06-18 08:29:16
如何從CDMA2000 1X到CDMA2000 1x EV的平滑演進CDMA2000由CDMA2000 1X和CDMA2000 1x EV (Evolution Version)兩大
2009-06-13 22:42:21
展訊計劃在2012年推出WCDMA智能手機芯片，并將主打TD+WCDMA雙模芯片。而在LTE產品規劃方面，他表示展訊將可能在不久之后推出基于28納米技術的TD-LTE芯片。擬推28nm TD-LTE
2011-10-27 11:50:07
3D NAND的制程轉換及新產能布建，在DRAM的投資則全數集中在1X奈米的制程微縮，并無任何新產能。也因此，雖然第二季是傳統淡季，但因DRAM制程由20奈米微縮到1X奈米時遇到瓶頸，市場供給仍有吃緊
2017-06-13 15:03:01
F3623 CDMA2000 1X EVDO ROUTER( 本文簡稱 ROUTER)利用CDMA2000 1X EVDO網絡平臺，為用戶提供高速、永遠在線、透明傳輸的數據通道?？蓮V泛應用于電力
2011-03-10 16:17:13
F3623 CDMA2000 1X EVDO ROUTER( 本文簡稱 ROUTER)利用CDMA2000 1X EVDO網絡平臺，為用戶提供高速、永遠在線、透明傳輸的數據通道?？蓮V泛應用于電力
2011-03-11 14:36:58
的布線形成的過程。演示時，在事先用波長為172nm的紫外線烙上圖案的薄膜上，滴下數滴每滴為1μL的銀納米墨，然后用刮刀掃過，形成圖案。 還做了設想用于觸摸面板傳感器的演示，在PET基材上，將布線寬度和布線
2016-04-26 18:30:37
有精度可以真正達到納米的納米位移計嗎？
2015-08-26 10:41:07
是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數字信息0和1，電容漏電很快，為了防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM充電，故DRAM的充電速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲
2019-09-18 09:05:09
，CDMA2000 1x和CDMA2000 1x EV。CDMA2000標準的技術細節主要由3GPP2(3rd Generation Partnership Project 2)組織完成。 CDMA2000
2019-06-14 06:26:59
到底有多小想要了解納米，我們來看看芯易網對它的定義：納米（nm）又稱毫微米，1納米=10-9米（度娘說），到底有多小呢？以我們的指甲厚度為例，一般的指甲厚度為0.1毫米，也就是將指甲橫向切成10份
2016-12-16 18:20:11
到底有多小想要了解納米，我們來看看芯易網對它的定義：納米（nm）又稱毫微米，1納米=10-9米（度娘說），到底有多小呢？以我們的指甲厚度為例，一般的指甲厚度為0.1毫米，也就是將指甲橫向切成10份
2016-06-29 14:49:15
1、引言自1991年日本Iijima教授發現碳納米管以來，納米技術吸引了大量科學家的興趣和研究，是目前科學界的研究熱點?；谔?b class="flag-6" style="color: red">納米管獨特的電學特性，提出了利用碳納米管陣列構筑新型天線和傳輸線的設想
2019-05-28 07:58:57
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結構特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
選擇1X檔時，信號是沒經衰減進入示波器的。而選擇10X檔時，信號是經過衰減到1/10再到示波器的。當選擇10X檔時，應該將示波器上的讀數也擴大10倍，這就需要在示波器端可選擇X10檔，以配合探頭
2019-05-20 14:43:22
針對目前解決臺式機PCI-E 1X插槽不夠用的瓶頸現狀，擁有十幾年研發和生產經驗的老品牌廠家樂擴發布了一款可以將主機PCI-E1X插槽轉換為2個PCI-E 1X插槽的擴展卡，有效解決了需要
2017-10-19 16:25:49
C6748 上電時默認L1DRAM全部為cache，1、那么如果我在程序中沒有對 L1DRAM進行操作或配置，程序運行時L1DRAM中的數據是否會有變化？2、L1DRAM作為 cache是如何工作的？
2018-07-25 07:46:25
14納米的ARM 處理器和14納米的X86移動處理器那個更省電？?
2020-07-14 08:03:23
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 10:44 編輯
專家好！ 配置兩路1x模式的SRIO，采用DIO方式獨立完成收發，我現在想實現最簡單的收發功能，不采用doorbell方式產生中斷，由外部GPIO提供收發中斷。具體配置過程需要哪些步驟呢？
2018-06-19 00:53:06
龍芯1x嵌入式開發工具收藏一下：龍芯1x嵌入式開發工具|Loongson 1x Embedded Develo…|關于我們|龍芯嵌入式開發工具|蘇州天晟軟件龍芯嵌入式開發工具|蘇州天晟軟件,龍芯1x
2021-12-24 06:25:47
如何從CDMA2000 1X到CDMA2000 1x EV的平滑演進
CDMA2000由CDMA2000 1X和CDMA2000 1x EV (Evolution Version)兩大部分組成，CDMA2000 1X 的版本包括Rel.0，Rel.A，Rel.B
2009-06-13 22:30:53638 三星加速制程微縮 DRAM進入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開始小幅試產DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466 爾必達40納米制程正式對戰美光
一度缺席全球DRAM產業50納米制程大戰的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經過近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52554 4大DRAM陣營競爭激烈 美光、爾必達提前導入40納米
DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納
2010-01-22 09:56:02836 三星將大批量生產30納米DDR3 DRAM內存芯片
據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內存芯片已經適合消費者使用，準備應用到產品中。
2010-02-03 10:06:26701 一、引言 伴隨著國內運營商的重組，CDMA 1X技術重新受到國內業界的關注，本文主要介紹了CDMA 1X基站射頻性能對CDMA 1X網絡質量的影響以及CDMA 1X基站射頻測試中的關鍵問題
2017-12-07 17:48:31833 
三星的DRAM市場表現十分強勁，并在近日宣布量產其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產量。
2017-12-27 11:22:38834 據韓聯社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產第二代10納米級制程工藝DRAM內存芯片。
2017-12-29 11:15:416063 傳三星電子（Samsung Electronics）啟動采用極紫外光（EUV）微影設備的DRAM生產研發，雖然三星目標2020年前量產16納米DRAM，不過也有可能先推出17納米制程產品。
2018-08-17 17:07:22709 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導體產業網 摘要 : 10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02253 今年以來DRAM價格持續下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現恐不如去年好。為了維持穩定獲利，南亞科將朝向優化產品組合方向調整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術授權選擇權，并啟動自主研發的10納米世代制程研發。
2019-03-01 16:30:254125 根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級制程（1Znm）來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223148 大多數讀者應該知道Intel 的處理器、TSMC生產的SoC（System on Chip）等邏輯半導體的相關工藝，也明白到這些規則只不過對產品的命名罷了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1Z（16nm）等又都意味著什么？
2020-07-22 14:33:123769 
-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產，以優異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 官方發布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:54756 
化挑戰都是重大的。特別是，ASML 報告說，當中心到中心（center-to-center）值達到 40 nm 時，即使對于 EUV ，也不推薦使用單一圖案化。在本文中，我們將展示對于 12 納米及更高節點的 DRAM 節點，電容器中心到中心預計將低于 40 納米，因此需要多重圖案化。
2023-02-07 15:08:55381 近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
2024-03-05 16:18:24191 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:3562
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