2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協(xié)議，四家公司計劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
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意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術。
2013-03-13 09:40:241298 
意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業(yè)界主導廠商代表出席一場相關領域的業(yè)界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033179 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節(jié) 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機。
2016-11-17 14:23:22845 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領先的存儲
2017-09-25 17:21:098151 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 絕緣體上硅(FD-SOI)技術開發(fā)10納米低功耗工藝技術模塊，該技術未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術的極限。該機構透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428 ，隨著RF開關變得越來越復雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 08:50:15
成本。與FinFET技術相比，FD-SOI的優(yōu)勢更為明顯。FD-SOI向后兼容傳統(tǒng)的成熟的基板CMOS工藝。因此，工程師開發(fā)下一代產(chǎn)品時可沿用現(xiàn)存開發(fā)工具和設計方法，而且將現(xiàn)有300mm晶片制造廠改造成FD-SOI晶片生產(chǎn)線十分容易，因為大多數(shù)設備可以重新再用。
2016-04-15 19:59:26
的硬盤上點擊鼠標右鍵，選擇“新建磁盤分區(qū)”： 系統(tǒng)彈出“新建磁盤分區(qū)向?qū)А保c選“主磁盤分區(qū)”： 下一步，在“指定分區(qū)大小”對話框中的“分區(qū)大小（MB）”右面的數(shù)字框中輸入你想要的容量，這里需要
2011-02-27 16:44:56
恩智浦智能賽車的驅(qū)動模塊定時器應該定時多久才能開始打腳，定時一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機打腳pwm占空比實際是輸出電壓高低，但在定時器中處理要怎樣進行
2017-03-30 17:38:10
適應相控陣架構、直接射頻采樣、波束成形和 5G 無線電等應用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝設計了一款名為 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
LabView如何實現(xiàn)按鍵后顯示操作內(nèi)容并進入下一步
2015-06-11 14:17:31
使其終端產(chǎn)品實現(xiàn)差異化。其次，他們正在努力加快產(chǎn)品上市速度，以收回在復雜的設計上面所耗費的越來越多的投資。第三，他們試圖在不增加成本的情況下實現(xiàn)上述兩個目標。MCU用戶面臨的這些挑戰(zhàn)為MCU的下一步發(fā)展奠定了基礎。
2019-06-26 06:40:07
，隨著RF開關變得越來越復雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠?qū)崿F(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 09:14:06
fpga入門后下一步如何走，學習通信算法嗎
2013-09-20 15:19:00
二三部分所示。三、下一步規(guī)劃：1. 重新規(guī)劃設計電機驅(qū)動場景的構建2. 理解底層FOC的實現(xiàn)3. 在FOC的基礎之上，搭建PID算法來對電機進行穩(wěn)健控制四、峰紹所給出的代碼框架與整體代碼分析
2021-09-08 09:00:24
項目名稱：進行進一步學習和研究試用計劃：此前一直從事單片機開發(fā)，想進一步深入學習各種MCU，看到有此活動，特來申請。也為下一步項目無人機攝像頭驅(qū)動選擇合適的芯片。
2020-04-23 10:36:17
下載器。下載器硬件開源地址：https://oshwhub.com/Vandoul/cmsis-dap_jx實物圖如下：下一步計劃接下來基于blink工程移植rtthread系統(tǒng)，在使用AC6的編譯器下不清楚會不會遇到什么疑難雜癥呢？
2022-11-26 16:21:59
上一個帖子的問題搞定了，ubuntu燒錄好，老規(guī)矩adb進去先看下資源
再看下CPU
按照手冊，先測試一下GPIO，可以看到初始電平為低
用杜邦線拉高，再看下
可以見到成功的被拉高了，后面APP可以通過IO來適配我的其他傳感器的信號了，下一步準備適配我這個433的開門傳感器，敬請期待
2023-08-08 22:36:37
早有計劃。 2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn)，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術將用于下一
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優(yōu)勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
`我是學生，最近學了***。。我想問下大家我做到pcb圖了，下一步就是給圖廠家了么？能打印一張的么？？如圖，大家看看這個圖可不可行。。。謝謝大家啦~~~~~~~~~~~~~~~~~~`
2013-11-08 13:26:41
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
求求求求求，學完51下一步學AVR還是430呢？
2015-06-01 19:37:34
學完51，msp430單片機，下一步該學什么？？是學習ARM,Linux 還是DSP ??
2012-08-25 15:47:35
業(yè)內(nèi)普遍認為，四核處理器出來以后核數(shù)競爭將逐漸放緩，提升內(nèi)容和用戶體驗將成為國內(nèi)平板電腦廠商下一步該走的路。
2020-04-16 06:24:01
有沒有什么辦法可以讓程序一直等待圖里“相機檢測結果”的數(shù)據(jù)，等到接收到數(shù)據(jù)時才跳轉(zhuǎn)下一步，然后等待下一次接收“相機檢測結果”數(shù)據(jù)時在執(zhí)行下一次，依次下去。新人剛自學不久，剛學會怎么使用VISA和生成TXT，想自己做一個上位機軟件，不是伸手party，請各位老師指教。
2018-05-11 16:45:19
怎樣一步一步去建立STM32工程呢？其過程是怎樣的？
2021-10-28 08:53:27
的基于磁感應（MI）的技術具有許多限制，阻礙了整個市場和消費者的采用。 A4WP的下一代技術基于磁共振（MR），提供無線充電所需的解決方案。安森美半導體正在積極開發(fā)A4WP標準的解決方案，您將開始看到將在
2018-10-12 08:58:17
裔美國工程師和物理學家尼古拉·特斯拉（Nikola Tesla，1856-1943），他在電力的生產(chǎn)，傳輸和應用方面取得了數(shù)十項突破。特斯拉以其對現(xiàn)代交流（AC）供電系統(tǒng)設計的貢獻而聞名。作為一
2018-10-31 09:03:17
到這一點將為進一步取得成功奠定基礎。如果你投入垃圾，那么你會從任何物聯(lián)網(wǎng)分析云平臺中獲取垃圾。因此，最成功的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)將測量并報告到其他系統(tǒng)無法做到的水平。對改進測量和報告的這種需求使得良好的硬件非常重要
2018-10-29 17:14:24
近年來巨頭們都在積極布局眼球追蹤技術，除了眼球追蹤在人機交互的巨大潛能以外，眼球追蹤技術還可能成為VR和AR的基礎性技術，為AR的VR的發(fā)展提供必要的支持。目前我們的人機交互還主要靠的是鍵盤、鼠標
2019-10-15 06:52:40
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
我根據(jù)HPM_SDK的說明文檔，在WINDOWS下一步一步執(zhí)行里面的操作，最后嘗試“4. 為Ninja-build產(chǎn)生構建文件:”失幾，提示截圖如下：
哪位大神指導下這是什么問題，是哪一步出錯了嗎？
2023-06-06 22:15:24
本帖最后由 suicone 于 2012-7-22 18:24 編輯
就是運行時會有個提示 不要對話框的 就是一段文字顯示在某個特定的地方然后按照提示完成一步 比如“請按布爾1按鈕”然后你點布爾1后 文字改變到下一個提示“請按布爾2按鈕”諸如此類的現(xiàn)在完全沒有思路額。。。。。
2012-07-22 18:15:14
下一步也不知道怎么的不能按next鍵進行下一步
2016-01-20 17:01:34
`我有：傅里葉分析+函數(shù)綜合+下一步傅里葉分析+軌跡綜合+下一步小波分析+函數(shù)綜合+下一步小波分析+軌跡綜合+下一步我有這四種事件我用了事件結構來處理這個問題，但是似乎行不通，誰有好的建議，可以幫忙
2015-08-13 14:58:52
e絡盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F開發(fā)板，進一步豐富其面向基于ARM Cortex-M4內(nèi)核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
嵌入式硬盤錄像機(DVR)發(fā)展的下一步
目前，中國嵌入式硬盤錄像機（又名嵌入式DVR）市場已經(jīng)發(fā)展得非常成熟，技術也已經(jīng)很完善，但這并不意味著DVR產(chǎn)品技術就功成
2009-11-28 15:38:13936 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 IBM、ARM同一批半導體生產(chǎn)商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節(jié)點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793 隨著移動的想象空間以及醫(yī)療剛需的完美結合，移動醫(yī)療正成為通信行業(yè)的下一座“金礦”。移動醫(yī)療下一步指向何方？人體數(shù)字化、移動的HIS、慢性病的移動管理是趨勢。
2013-01-15 09:39:311540 3月8日，工信部召開會議，研究部署通信工程建設突出問題與光纖到戶落實情況，會議強調(diào)，貫徹落實光纖到戶是國務院會議要求重要成果，下一步要切實抓好光纖到戶標準的實施。
2013-03-13 10:15:141096 據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節(jié)點進展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00705 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節(jié)點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 11月15日，在2018重慶·國際手機展上，紫光展銳首席技術官仇肖莘接受媒體專訪表示，紫光展銳現(xiàn)在聚焦5G和AI，繼續(xù)深入布局自研CPU，未來將高中低市場全面覆蓋。“我們下一步目標起碼要能夠追上聯(lián)發(fā)科，然后與高通PK”。
2018-11-16 15:36:212076 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425128 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注，Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 據(jù)報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:512985 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協(xié)議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333457 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38739 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37713 本文展望了SiC下一步需要做什么，將在哪里應用以及如何成為功率半導體的主導力量。
2020-04-02 17:12:183400 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-06 17:03:361984 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 Tony Armstrong ADI公司電源產(chǎn)品營銷總監(jiān)
今天，我們與Tony Armstrong討論ADI公司如何應對電源領域的下一步挑戰(zhàn)。Tony Armstrong是ADI公司Power
2021-01-27 06:08:290 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 高級駕駛輔助系統(tǒng)的下一步動向是什么？
2022-11-02 08:16:111 于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
Prevayl的下一步是什么2022年，Prevayl推出了SmartWear——這是世界上第一款采用臨床級心電圖增強的高性能服裝，其準確性無與倫比。生物識別先驅(qū)還創(chuàng)建了一個功能齊全的智能服裝
2024-02-17 18:10:48138 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369
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