功率半導體器件是日本的優勢領域。如今在這個領域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領域繼續保持強大的競爭力，重要的是大力研發SiC、GaN、組裝等關鍵技術，以確保日本的優勢地位，并且向開發高端IGBT產品轉型，以避開MOSFET領域的價格競爭。

　　功率半導體器件是用來進行電力轉換和供應的半導體元件，從汽車、鐵路等工業設備到空調、冰箱等消費類產品，用途十分廣泛。中國的經濟發展日新月異，應對能源需求的擴大是當務之急，已經成為了功率半導體器件的消費大國。因此，在日本、美國、歐洲的功率半導體器件廠商進駐中國的同時，中國廠商也實現快速發展，各國廠商展開了激烈的開發競爭。這使得在中國申請的功率半導體器件技術專利也出現了激增。

　　在此背景下，日本專利廳通過“2014年專利申請技術動向調查”，對中國功率半導體器件專利的申請動向進行調查和分析，搞清了在中國開展業務的世界各國半導體廠商的實際情況（PDF格式的調查報告概要）。本文將介紹本次調查的主要內容。

　　圖1為本次調查的技術總覽圖。本次調查首先按照（1）基板材料、（2）元件種類、（3）制造流程，將功率半導體器件技術大致分類，然后對每個項目又進行了細分。

　　圖1：技術總覽?

　　按申請人國籍統計的專利申請數量的變化：中國廠商申請數量激增

　　2008年之前，在中國申請的功率半導體器件技術專利一直維持在每年300～400件左右，從2009年起，申請數量開始激增，2011年為900件，2012年超過850件。其中，日本、中國、歐洲籍的申請數量增長最快，中國籍的增長尤為顯著（圖2）。

　　圖2：按申請人國籍統計的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。?

　　中國以Si基板的技術開發為中心

　　按照基板材料統計專利申請數量（參照圖1的（1）），在2003～2012年期間，日本籍申請人申請的使用Si（硅）作為基板材料的技術專利合計為497件（占在中國申請總數的25.2％）。而中國籍的申請數量為729件（37.0％），約為日本籍的1.5倍（圖3）。

　　圖3：按申請人國籍統計的Si基板專利的申請數量推移及比例（在中國大陸申請的專利，申請年（優先權主張年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因為數據庫錄入延遲，PCT申請向各國轉移的時間差等原因，可能未涵蓋所有數據。