當(dāng)用戶需要使用鏈表管理數(shù)據(jù)時(shí)，僅需關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)和鏈表結(jié)點(diǎn)，最簡(jiǎn)單的方式是將數(shù)據(jù)和鏈表結(jié)點(diǎn)打包在一起。
2017-09-20 16:28:41
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熱電偶提供了一種低成本、中等精度的高溫測(cè)量方案。正如Thomas Seebeck在1821年發(fā)現(xiàn)的那樣，它們基于兩個(gè)結(jié)點(diǎn)之間產(chǎn)生的電壓，每個(gè)結(jié)點(diǎn)都由不同的金屬構(gòu)成，放置于不同溫度環(huán)境下。
2020-12-21 11:40:561942 
51中的LED燈壓降都是1.7v嗎，壓降和什么有關(guān)
2023-10-31 08:12:31
關(guān)于半導(dǎo)體C-V測(cè)量的基礎(chǔ)知識(shí)，你想知道的都在這
2021-04-12 06:27:51
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的束縛力，這樣的環(huán)境能將電子被緊緊地束縛在原子核附近。當(dāng)溫度升高時(shí)，ASEMI半導(dǎo)體的熱能使某些共價(jià)鍵發(fā)生反映形成傳導(dǎo)。
2018-11-08 11:10:34
如何利用半導(dǎo)體去實(shí)現(xiàn)醫(yī)生與病人間的信息化管理？
2021-05-28 06:24:53
1. 本征半導(dǎo)體及其特點(diǎn) 純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在熱“激發(fā)”條件下,本征半導(dǎo)體中的電子和空穴是成對(duì)產(chǎn)生的;當(dāng)電子和空穴相遇“復(fù)合”時(shí),也成對(duì)消失；電子和空穴都是載流子溫度越高,“電子—空穴
2021-05-24 08:05:48
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
哪位大神可以詳細(xì)介紹一下半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實(shí)驗(yàn)
2021-04-07 06:42:55
。目前研究的光纖溫度傳感器主要利用相位調(diào)制、熱輻射探測(cè)、熒光衰變、半導(dǎo)體吸收、光纖光柵等原理。其中半導(dǎo)體吸收式光纖溫度傳感器作為一種強(qiáng)度調(diào)制的傳光型光纖傳感器，除了具有光纖傳感器的一般優(yōu)點(diǎn)之外，還具
2018-11-01 14:57:18
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
載波機(jī)中的石英晶體振蕩器小結(jié)思考題練習(xí)題半導(dǎo)體電路實(shí)驗(yàn)和電子測(cè)量儀器簡(jiǎn)介半導(dǎo)體電路實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一半導(dǎo)體三極管的判別和直流參數(shù)的測(cè)定實(shí)驗(yàn)二直流穩(wěn)壓電路的調(diào)整和測(cè)試實(shí)驗(yàn)三LC振蕩電路的調(diào)試和研究實(shí)驗(yàn)四阻容耦合放大
2008-07-11 13:05:29
隨著溫度的升高，金屬的電阻率增加，使其具有正的電阻溫度系數(shù)。半導(dǎo)體的電阻溫度系數(shù)是負(fù)的。非本征半導(dǎo)體的電阻率大于本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體電阻率的溫度依賴性對(duì)其在電子學(xué)中的應(yīng)用起著重要的作用電導(dǎo)率描述了電流
2022-02-25 09:55:01
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
` 誰來闡述一下半導(dǎo)體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
掙脫束縛，會(huì)導(dǎo)致載流子濃度上升，從而打破這個(gè)平衡，溫度一定后會(huì)再次建立平衡。雜質(zhì)半導(dǎo)體通過擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體摻入某些元素。一 .N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體加入+5價(jià)元素磷，由于加入了最外層為5個(gè)電子
2020-06-27 08:54:06
溫度降額的計(jì)算 結(jié)點(diǎn)到表面的熱阻Rjc(℃/W) 10 開關(guān)管的最高工作溫度Tmax-spec(℃) 150 高溫測(cè)得的開關(guān)管表面溫度Tmax(℃) 81.8 89.8 開關(guān)管的實(shí)際溫度降額(%) 59.9
2011-06-10 10:20:45
請(qǐng)教各位大神，AD19如何放置結(jié)點(diǎn)？
2019-08-06 10:01:40
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
有六路輸入，輸入電壓從0.1mv、0.2mv、0.3mv···逐漸曾大，公共端輸出電壓分別對(duì)應(yīng)0mv、0.1mv、0.2mv··、0.3mv、0.4mv，即出現(xiàn)壓降壓降隨著輸入電壓增大逐漸增大。壓降剛開始0.1mv，然后0.2mv，0.3mv····如何消除max4581的壓降，求助給位前輩
2015-11-26 14:34:11
mos的結(jié)點(diǎn)溫度，和背板溫度指的是什么？
2015-10-25 21:29:35
Junction） 結(jié)點(diǎn)溫度Ta 環(huán)境溫度就是指開關(guān)管的周圍環(huán)境溫度，一般規(guī)格書里面給出來的都是25℃一個(gè)我們的電子產(chǎn)品里面經(jīng)常會(huì)用到的室溫環(huán)境溫度。Tc 外殼溫度就是指半導(dǎo)體器件的封裝表面的溫度，而對(duì)
2021-09-08 08:42:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
一個(gè)微小的變化時(shí)，將引起正向電流一個(gè)很大的變化。利用二極管管壓降隨溫度微小變化的特征可以設(shè)計(jì)成溫度補(bǔ)償電路，在分析溫度補(bǔ)償電路時(shí)不了解二極管的這種特性，電路的工作原理就無法分析。二極管規(guī)格書下載：
2022-03-18 15:39:31
：0-30V5.正向壓降測(cè)量精度：≤1％6.供電電壓：AC220V±10％，50Hz7.消耗功率：≤15W8.工作溫度：25℃±10℃ 三、產(chǎn)品外觀圖 四、使用方法 本儀器采用四線測(cè)量法，保證了大電流
2015-03-11 13:48:07
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
3W的功率，結(jié)點(diǎn)溫度是這樣，Rth(j-c)的值容易根據(jù)電路板條件發(fā)生變化，而且正確的管殼溫度測(cè)量又很難，所以作為推定結(jié)點(diǎn)溫度的方法，不怎么推薦。關(guān)于結(jié)點(diǎn)-管殼間熱電阻Rth(j-c)結(jié)點(diǎn)-管殼間熱電阻
2019-04-10 21:55:53
`電路圖如下，采用的單片機(jī)輸出PWM控制達(dá)到調(diào)整電流的目的，但MOS管壓降太大10V左右，溫度很高。。輸出電流大概控制在250mA左右求解。。換成三極管驅(qū)動(dòng)也不行，圖騰柱式驅(qū)動(dòng)壓降也依舊很大。。望哪位大大幫忙分析分析。。`
2015-05-14 10:37:46
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
//注意：該文件操作的單鏈表為帶頭結(jié)點(diǎn)單鏈表，頭結(jié)點(diǎn)數(shù)據(jù)無效#include #include #include #define OK 1#define ERROR 0typedef int
2020-03-27 00:43:45
圖中基本電路說明了熱敏電阻與ADC 的連接。電阻R1 和熱敏電阻構(gòu)成分壓器，輸出電壓隨溫度變化。NTC 熱敏電阻NTC 是溫度測(cè)量中最常見的熱敏電阻。NTC 通常由金屬氧化物半導(dǎo)體材料鑄模而成，具有
2010-10-19 16:29:14
基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng)，總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22
技術(shù)和編程技術(shù)，研制了大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源。根據(jù)半導(dǎo)體激光器恒流工作特性，利用電流負(fù)反饋的方法，設(shè)計(jì)了穩(wěn)流電路，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的電流輸出;根據(jù)半導(dǎo)體激光器的溫度特性，利用負(fù)溫度系數(shù)的溫度傳感器
2018-08-13 15:39:59
如何克服電流表帶來的輸入端壓降？如何在測(cè)量電流時(shí)添加一個(gè)合適的反向偏壓？
2021-06-17 10:56:10
如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)？
2021-12-23 06:07:59
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
電壓)。通過將參考結(jié)點(diǎn)保持在已知溫度上并測(cè)量該電壓，便可推斷出檢測(cè)結(jié)點(diǎn)的溫度。熱電偶的優(yōu)點(diǎn)是工作溫度范圍非常寬，而且體積極小。不過，它們也存在著輸出電壓小、容易遭受來自導(dǎo)線環(huán)路的噪聲影響以及漂移較高
2013-11-20 08:52:26
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
干結(jié)點(diǎn)監(jiān)控及設(shè)置原理
2012-06-12 22:07:50
我用的labview2014版本的，對(duì)著書上還有論壇上學(xué)習(xí)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)很多屬性結(jié)點(diǎn)都找不到對(duì)應(yīng)的項(xiàng)，比如vi的引用方法中菜單下面只有刷新一項(xiàng)，沒有其他的，但是我見人家的都有APP_NEW等一系列的選項(xiàng)
2015-06-17 15:09:00
的變量有哪些呢？除了芯片性能,工藝技術(shù)外，溫升變化又是非常重要的一個(gè)方面。 肖特基二極管正向壓降?值大小與溫度高低呈現(xiàn)反比關(guān)系 ASEMI肖特基二極管MBR60100PT作為半導(dǎo)體功率器件，在實(shí)際
2018-12-25 14:04:16
編輯-Z測(cè)量整流橋好壞的方法一般有兩種，一種是電阻測(cè)試法，一種是壓降測(cè)試法。整流橋KBPC1010-ASEMI如何測(cè)量好壞？我們可以用壓降測(cè)試法。 KBPC1010參數(shù)描述型號(hào)：KBPC1010封裝
2021-10-28 16:16:57
如果二極管沒有電流流過，二極管兩端有壓降嗎？如果有壓降，測(cè)量前和測(cè)量后有差別嗎？
2021-10-08 09:41:49
oC下施加30ms 3W的功率，結(jié)點(diǎn)溫度是這樣，Rth(j-c)的值容易根據(jù)電路板條件發(fā)生變化，而且正確的管殼溫度測(cè)量又很難，所以作為推定結(jié)點(diǎn)溫度的方法，不怎么推薦。關(guān)于結(jié)點(diǎn)-管殼間熱電阻Rth
2019-05-06 09:15:45
下面這個(gè)結(jié)點(diǎn)怎么畫，求步驟
2016-10-15 21:28:15
我想問一下各位高手怎樣寫結(jié)點(diǎn)公式才能得到我畫紅圈的答案。(此時(shí)如上所講c1和c2相當(dāng)于短路）
2020-11-29 08:46:18
）的半導(dǎo)體傳感器完成。根據(jù)測(cè)量的冷結(jié)點(diǎn)溫度（請(qǐng)參見圖 2）一個(gè)與熱電耦系數(shù)相同的電壓被加了進(jìn)來。這一工作可以以模擬形式完成也可以以數(shù)字形式完成，稱為冷結(jié)點(diǎn)補(bǔ)償。如果冷結(jié)點(diǎn)為 0°C，那么這一合計(jì)的結(jié)果
2018-09-21 15:59:47
課題一：電子測(cè)溫器設(shè)計(jì)要求：1.設(shè)計(jì)并制作一個(gè)以半導(dǎo)體熱敏電阻為傳感器的溫度測(cè)溫計(jì)；2.測(cè)溫計(jì)性能要求 （1）溫度測(cè)量范圍：-40℃～200℃ （2）溫度分辯率：0.5℃ （3）測(cè)溫誤差：≤1.0℃ 改為顯示電壓 （4）測(cè)溫點(diǎn)到測(cè)溫儀的距離最大可達(dá)1m （5）溫度值指示：數(shù)碼管顯示
2016-08-30 23:21:32
鉑和鉑合金制作的熱電偶溫度計(jì)，甚至可以測(cè)量高達(dá)＋2800℃的溫度！熱電偶的兩種不同金屬線焊接在一起后形成兩個(gè)結(jié)點(diǎn)，如圖（a）所示，環(huán)路電壓VOUT為熱結(jié)點(diǎn)結(jié)電壓與冷結(jié)點(diǎn)（參考結(jié)點(diǎn)）結(jié)電壓之差。因?yàn)閂H
2021-05-25 06:51:45
半導(dǎo)體致冷晶片在環(huán)境溫度45度時(shí)，是否還可以繼續(xù)進(jìn)行熱冷轉(zhuǎn)換，對(duì)工作電源有哪些嚴(yán)格要求？
2017-06-08 17:29:09
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
已經(jīng)在電路板上焊接好的mos管，如何檢測(cè)管壓降？不會(huì)導(dǎo)通時(shí)直接用萬用表測(cè)量吧？
2017-09-19 09:49:32
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
嗨，當(dāng)我們?cè)贔IFO或GPIF FIFO中討論FIFO時(shí)，F(xiàn)IFO是終結(jié)點(diǎn)緩沖器嗎？也就是說，如果使用奴隸FIFO，當(dāng)外部CPU將一個(gè)字節(jié)寫入從屬FIFO時(shí)，CPU直接將字節(jié)寫入端點(diǎn)緩沖器中，或者
2019-07-08 11:13:26
剛開始做zigbee，對(duì)zigbee組網(wǎng)很疑惑。請(qǐng)問，所有的zigbee硬件都是一樣的，只是程序有區(qū)別，我知道協(xié)調(diào)器，路由，結(jié)點(diǎn)的程序是不同的，請(qǐng)問多個(gè)路由和結(jié)點(diǎn)之間的程序有地址的不同，所以多個(gè)路由
2019-09-12 10:03:18
畢業(yè)設(shè)計(jì)的要求是用單片機(jī)設(shè)計(jì)一個(gè)溫度測(cè)量電路，通過測(cè)量得到的溫度去控制半導(dǎo)體片的電流方向，從而達(dá)到控制兩面的溫度！這個(gè)要怎么做，求大神
2020-03-25 00:26:51
不同制造廠商選用的摻雜材料和波長(zhǎng)。 兩個(gè)LED之間的溫度不同也會(huì)帶來顏色上的不同，并且還造成電壓降的差異。溫度較高時(shí)，電子更容易越過能量勢(shì)壘。電壓降以每度兩毫伏的比例，隨溫度上升而減少。 半導(dǎo)體并不是
2014-08-18 14:22:40
` 超低殘壓半導(dǎo)體浪涌保護(hù)元件(LT電子) 型號(hào)斷態(tài)電壓轉(zhuǎn)折電壓通態(tài)壓降維持電流極間電容 VDRMVIDRMμAVSVISmAVTVITAIHmACOpF MAXTYPEMAXMAX
2014-05-14 15:17:04
這個(gè)輸出結(jié)點(diǎn)要怎么弄啊？
2014-03-14 12:27:42
紹鑫電子半導(dǎo)體放電管是一種過壓保護(hù)器件，它利用晶閘管原理制造而成， 依靠PN結(jié)的擊穿電流觸發(fā)器件導(dǎo)通放電。半導(dǎo)體放電管能夠通過較大的浪涌電流或脈沖電流。
2022-07-27 13:59:30
針對(duì)目前煤炭企業(yè)生產(chǎn)安全監(jiān)控系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，分析了單一傳感器信息采集信息存在的問題，提出了基于嵌入式智能結(jié)點(diǎn)的多傳感器信息融合的方法來提高系統(tǒng)信息的精確性和
2009-08-28 12:26:27
7 本文主要是提出一個(gè)基于長(zhǎng)期監(jiān)測(cè)環(huán)境無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的路由設(shè)計(jì),而能量有限在拓?fù)湓O(shè)計(jì)中是一個(gè)十分重要的問題,由于不可補(bǔ)充結(jié)點(diǎn)的無線感應(yīng)網(wǎng)生命周期的延長(zhǎng)是有限的,所以
2009-09-22 10:44:0414 結(jié)合2D-Torus網(wǎng)絡(luò)的特點(diǎn),以3×3 Torus為例采用markov過程建立結(jié)點(diǎn)失效獨(dú)立和結(jié)點(diǎn)失效相關(guān)條件下的網(wǎng)絡(luò)可靠性模型.通過建立markov狀態(tài)空間圖并進(jìn)行求解得出可靠性模型的數(shù)學(xué)表達(dá)式,
2010-01-27 14:52:5511 本文主要從下面四個(gè)方面(溫度量測(cè)方法，結(jié)點(diǎn)溫度測(cè)試方法，應(yīng)用實(shí)例，誤差根源)對(duì)結(jié)點(diǎn)溫度量測(cè)的進(jìn)行探討。
半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)(從IC中數(shù)以百萬計(jì)的晶體管到實(shí)現(xiàn)高亮度LED
2010-07-31 09:55:2832 ; 凌陽科技（SUNPLUS）于近日宣布，推出基于16位單片機(jī)SPMC75的LIN 結(jié)點(diǎn)應(yīng)用方案。&
2006-03-13 13:01:21772 半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
通用測(cè)試電容-電壓（C-V）測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型
2009-08-27 10:37:453046 
熱電偶應(yīng)用中冷結(jié)點(diǎn)補(bǔ)償?shù)膶?shí)現(xiàn)
因?yàn)闊犭娕际遣罘?b class="flag-6" style="color: red">溫度測(cè)量器件，在處理熱電偶信號(hào)時(shí)以冷結(jié)點(diǎn)作為參考點(diǎn)，考慮到非零攝氏度冷結(jié)點(diǎn)的電壓，必須對(duì)熱電偶輸出電壓
2010-02-27 11:58:00954 在Linux2.6內(nèi)核中，devfs被認(rèn)為是過時(shí)的方法，并最終被拋棄，udev取代了它。Devfs的一個(gè)很重要的特點(diǎn)就是可以動(dòng)態(tài)創(chuàng)建設(shè)備結(jié)點(diǎn)
2011-05-05 11:36:321394 非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例分析我們放到最后說，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表
2017-11-14 14:18:290 最新一代PIC24F和PIC18F器件包含的充電時(shí)間測(cè)量單元CTMU使用恒流源來計(jì)算電容值得變化以及事件的間隔時(shí)間。運(yùn)用半導(dǎo)體物理學(xué)的基本原理，同樣的電流源也可用來測(cè)量溫度。這允許使用普通而廉價(jià)的二極管來取代相對(duì)昂貴的熱敏電阻和溫度傳感器。本技術(shù)簡(jiǎn)介描述了使用CTMU來測(cè)量溫度的基本概念。
2018-04-23 11:07:1016 特性
? 熱電偶電動(dòng)勢(shì)（Electromotive Force，EMF）至攝
氏溫度轉(zhuǎn)換器
- 集成冷結(jié)點(diǎn)補(bǔ)償
? 支持的類型（由NIST ITS-90指定）：
- K型、J型、T型、N型、S型、E型、B型和
R型
? 熱結(jié)點(diǎn)精度為±1.5°C（最大值）
2018-06-27 14:24:0032 (B、E、J、K、N、S、R、T 類) 熱電偶或定制熱電偶的溫度，可自動(dòng)補(bǔ)償冷結(jié)點(diǎn)溫度并對(duì)結(jié)果進(jìn)行線性化。另外，該器件還能利用標(biāo)準(zhǔn)的兩線、三線或四線式 RTD、熱敏電阻和二極管來測(cè)量溫度。其具有 20 個(gè)可重配
2018-06-29 19:06:41297 (B、E、J、K、N、S、R、T 類) 熱電偶或定制熱電偶的溫度，可自動(dòng)補(bǔ)償冷結(jié)點(diǎn)溫度并對(duì)結(jié)果進(jìn)行線性化。另外，該器件還能利用標(biāo)準(zhǔn)的兩線、三線或四線式 RTD、熱敏電阻和二極管來測(cè)量溫度。其具有 20 個(gè)可重配
2018-06-29 19:18:29415 根據(jù)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)結(jié)點(diǎn)的分類，結(jié)點(diǎn)之間可能存在的連接類型，包括無源CPS結(jié)點(diǎn)與有源CPS結(jié)點(diǎn)之間、有源CPS結(jié)點(diǎn)與有源CPS結(jié)點(diǎn)之間以及有源CPS結(jié)點(diǎn)與互聯(lián)網(wǎng)CPS結(jié)總之間的連接。無源CPS結(jié)點(diǎn)與有源
2021-09-01 15:32:092579 的溫度。 當(dāng)有兩種不同的導(dǎo)體或半導(dǎo)體A和B組成一個(gè)回路，其兩端相互連接時(shí)，只要兩結(jié)點(diǎn)處的溫度不同，一端溫度為T，稱為工作端或熱端，另一端溫度為T0?，稱為自由端（也稱參考端）或冷端，回路中將產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì)，該電動(dòng)勢(shì)的方向和大小與導(dǎo)體的材
2022-11-25 14:56:59636 
給定一個(gè)頭結(jié)點(diǎn)為 head 的非空單鏈表，返回鏈表的中間結(jié)點(diǎn)。
2023-01-11 17:58:46618 
結(jié)點(diǎn)溫度的計(jì)算方法1：根據(jù)周圍溫度（基本） 結(jié)點(diǎn)溫度（或通道溫度）可根據(jù)周圍溫度和功耗計(jì)算。根據(jù)熱電阻的思考方法， Tj=Ta+Rth（j-a）×P Ta：周圍溫度（測(cè)量的房間室溫）Rth（j-a
2023-03-23 17:02:281237 
? ? ? 可根據(jù)管殼溫度求出結(jié)點(diǎn)溫度。 計(jì)算方法1或者2中介紹的，用結(jié)點(diǎn)-管殼間的熱電阻代替結(jié)點(diǎn)-環(huán)境間熱電阻：Rth（j-c）的計(jì)算方法。如下。 Tj=Tc+Rth（j-c）×P Tc： 外殼
2023-03-23 17:07:111372 
半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展，集成電路的密度將越來越高，且尺寸越來越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱，熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高，隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高，半導(dǎo)體元器件性能將會(huì)下降，甚至造成損害。因此每個(gè)芯片廠家都會(huì)規(guī)定其半導(dǎo)元體器件的最大結(jié)點(diǎn)溫度。
2023-05-10 15:51:462954 
半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展，集成電路的密度將越來越高，且尺寸越來越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱，熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高，隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高
2023-05-10 15:53:423155 
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