2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協議，四家公司計劃聯合制定行業的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
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意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241298 
意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯網（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯網（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033179 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:321132 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22845 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲
2017-09-25 17:21:098151 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 絕緣體上硅(FD-SOI)技術開發10納米低功耗工藝技術模塊，該技術未來將進一步向7納米拓展，這也是浸沒式DUV光刻技術的極限。該機構透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現有設計兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲器(eNVM)工藝。該項目由法國政府獨立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19428 FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
等嚴格要求的專用計算機系統。可以這樣認為，嵌入式系統是一種專用的計算機系統，作為裝置或設備的一部分。通常，嵌入式系統是一個控制程序存儲在ROM中的嵌入式處理器控制板。事實上，所有帶有數字接口的設備，如
2020-08-12 00:00:00
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產品有別于競爭對手的產品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續增長，其復雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
隨著應用需求的不斷提高，許多嵌入式系統在應用時都要求帶有擴展的大容量存儲器來存儲數據。CF 卡（Compact Flsah Card）由于價格便宜、存儲容量大、體積小、兼容性好等優點被廣泛應用
2019-08-20 08:23:34
FLASH存儲器是什么？嵌入式Flash的特性有哪些？嵌入式Flash扇區擦除有哪些步驟？
2021-09-24 14:40:28
Cache 或者片上存儲器。 對于嵌入式設備上的數據密集的應用，數據Cache 與片上存儲器相比存在以下缺陷：(1) 片上存儲器是固定的單周期訪問，可在設計時而不是運行時研究數據訪問模式；而Cache還要
2019-07-02 07:44:45
汽車微控制器正在挑戰嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。在許多細分市場（例如：網關、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應用復雜程度提高
2019-08-13 06:47:42
設計中的調試又是該環節的重點和難點。本文詳細介紹嵌入式系統Flash存儲器的接口電路的調試。1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項特性1.1 Flash存儲器接口電路的特點Flash存儲器是一種可在
2019-06-10 05:00:01
嵌入式最小硬件系統是由哪些部分組成的？嵌入式系統使用的存儲器是如何進行劃分的？可分為哪幾類？
2021-10-22 07:18:56
嵌入式系統的構建嵌入式系統的定義嵌入式系統是指用于執行獨立功能的專用計算機系統。它由包括微處理器、定時器、微控制器、存儲器、傳感器等一系列微電子芯片與器件，和嵌入在存儲器中的微型操作系統、控制
2009-11-13 11:28:52
嵌入式系統是指用于執行獨立功能的專用計算機系統。它由微電子芯片（包括微處理器、定時器、序列發生器、控制器、存儲器、傳感器等一系列微電子芯片與器件）和嵌入在ROM、RAM和／FLASH存儲器中的微型
2019-06-25 08:25:11
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 編輯
嵌入式芯片的存儲器映射
2012-08-20 14:14:09
嵌入式軟件開發的存儲器有哪些呢？分別有什么優缺點？嵌入式軟件開發的處理器是什么？有何功能？
2021-12-24 06:15:25
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
的普及應用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
當系統運行了一個嵌入式實時操作系統時（RTOS），操作系統通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數據。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
獲得了飛速發展。嵌入式Linux(Embedded Linux)是指對標準Linux經過小型化裁剪處理之后，能夠固化在容量只有幾K或者幾M字節的存儲器芯片或者單片機中，適合于特定嵌入式應用場合的專用
2021-10-27 09:47:26
早有計劃。 2017年，三星與NXP達成代工合同，從這一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產，并計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲器技術將用于下一代
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
對于邏輯芯片的嵌入存儲器來說，嵌入式SRAM是最常用的一種，其典型的應用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結構，標準的六管單元（6T）SRAM對于邏輯工藝有著很好的兼容性。對于小于2Mb存儲器的應用，嵌入式SRAM可能有更好的成本效率并通常首先考慮。
2019-08-28 08:18:27
基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計呢？
2019-08-02 06:49:22
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設計與實現。
2021-04-09 06:02:09
總結嵌入式系統開發中常見的存儲器及其特點
2021-12-17 06:11:47
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
FD-SOI 產品應用 嵌入式存儲器IP設計驗證 全芯片存儲器電路驗證和簽收（DRAM，SRAM，Flash等） 存儲器特征化應用 定制或半定制數字電路，如時鐘樹和關鍵電路的高精度分析
2020-07-01 09:14:03
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
《嵌入式技術ARM裸機開發》之存儲器 2008年畢業于沈陽航空航天大學電子信...
2021-07-20 07:38:42
怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP？如何解決設計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復技術的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
基于PLD和嵌入式存儲器實現W-CDMA調制解調器的設計
2020-12-28 06:04:37
嵌入式系統中基于FAT 表的存儲器管理
2009-05-14 14:11:46
33 文章中簡要介紹了嵌入式存儲器技術發展歷程，詳細地介紹了基于標準工藝上嵌入式存儲器的技術關鍵詞：IP SOC 存儲器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 《集成電路應用》雜志日前采訪了國內領先的嵌入式存儲器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲產品總監王景陽先生，請他就平板電腦如果選用嵌入式存儲器進行了介紹。
2012-04-20 13:35:292011 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:425975 性應用的新一代處理器解決方案。 格羅方德指出，意法半導體在業界率先部署 28 納米 FD-SOI 技術平臺后，決定擴大投入及發展藍圖，采用格羅方德生產就緒的 22FDX 制程及生態系統，提供第 2 代 FD-SOI 解決方案，打造未來智能系統。
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節點進展方面，三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示，三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產），三星代工廠（28納米工藝投產中，18納米工藝計劃投產），以及格芯代工廠（22納米工藝投產中，12納米計劃投產）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發，轉而專注現有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 先進制程的研發令人有些惋惜，不過格芯倒是顯得穩重、平和。日前舉行的GTC大會，格芯還是強調先進制程不是市場唯一方向，當前旗下22納米FD-SOI制程，以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注，Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 據韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:27886 至采用EUV技術的5/4納米，以及支援嵌入式磁阻隨機存取存儲器（eMRAM）的28納米全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）制程進入量產，并會在今年推進至18納米。
2019-03-18 15:21:002692 據報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:512985 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品，該產品基于28nm FD-SOI工藝技術，并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 獲取嵌入式存儲器設計的另一種方法是利用存儲器編譯器，它能夠快捷和廉價地設計存儲器物理模塊。
2019-10-18 11:52:16857 
格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術，以生產支持新一代環保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-12 22:57:17842 據外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282405 據外媒報道稱，美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27490 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。
2020-03-11 10:54:37713 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 FPGA中嵌入式塊存儲器的設計(嵌入式開發平臺)-該文檔為FPGA中嵌入式塊存儲器的設計總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:14:406 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 機構方面表示，新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現有設計進行互換，還將包括嵌入式非揮發性存儲器（envm）技術。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 （電子發燒友網原創報道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國和SOI產業聯盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369
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