半導體制程 分立器件 二極管的種類及其用法 二極管是一種具有1個PN接合的2個端子的器件。具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質。 二極管的基本特性 利用PN接合的少
2012-03-27 11:02:28
6113 2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導體宣布一項新的合作協議，四家公司計劃聯合制定行業的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:483472 
意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241298 
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體宣布，意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲全球兩大知名電子技術專業媒體電子工程專輯（EEtimes）和電子技術設計（EDN）的2013年度電子成就獎（ACE）能源技術獎。
2013-05-08 11:34:45848 意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導體（GLOBALFOUNDRIES）今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX?”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 格羅方德半導體自完成對IBM微電子業務的收購，是其獲得了一系列差異化技術，可用于增強其公司在軍用、物聯網（IoT）、大數據和高性能計算等主要增長型市場中的產品組合。
2015-07-16 09:46:291007 近日Global Foundries(以下簡稱GF)宣布其14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝都取得了突破，成功量產，這似乎為半導體代工廠GF近數年的頹勢帶來一股希望，不過在筆者看來，GF未必能就此扭轉命運，不過是GF與那些半導體廠商豪門恩怨的延續。
2015-07-25 22:16:206622 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯網（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯網（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033179 
三星半導體（Samsung Semiconductor Inc.，SSI）的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節，包括將擴展其FD-SOI產能，以及提供現有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:151199 Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:321132 半導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28納米以下之后的閘成本（gate cost）上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
2016-06-17 00:31:001414 
Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 鰭式晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22845 手機性能越來越強勁離不開半導體制程的進步，明年手機處理器將會進入10nm時代。高通驍龍835、聯發科Helio X30、蘋果A11處理器都將采用10nm制程，因此晶圓代工廠商臺積電、英特爾、三星等也在紛紛搶進10nm、7nm先進半導體制程。不過，市場真的能跟上先進半導體制程的腳步嗎？
2016-12-27 15:47:02922 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 成本。與FinFET技術相比，FD-SOI的優勢更為明顯。FD-SOI向后兼容傳統的成熟的基板CMOS工藝。因此，工程師開發下一代產品時可沿用現存開發工具和設計方法，而且將現有300mm晶片制造廠改造成FD-SOI晶片生產線十分容易，因為大多數設備可以重新再用。
2016-04-15 19:59:26
半導體制冷—— 2 1 世紀的綠色“冷源”唐春暉（上海理工大學光學與電子信息工程學院，上海 200093）摘要：基于節能和環保已是當今一切科技發展進步的基本要求，對半導體制冷技術原理以及應用情況做了
2010-04-02 10:14:56
各位大神，小弟目前有一個項目，需要單片機控制半導體制冷塊控制降溫，受成本所限不能使用開關電源，想請問各位大神如何設計驅動電路，目的是講交流220V電源變為12V直流輸出，用以控制半導體制冷塊工作，半導體型號TEC12710,需要什么樣的變壓器能夠實現功能，請各位大神不吝賜教，小弟新手，請見諒
2018-09-03 15:38:06
大家有沒有用過半導體制冷的，我現在選了一種制冷片，72W的，我要對一個2.5W的熱負載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環溫60度時熱負載所處的空間只降到30度，我采用的時泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導體制冷的機理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導體制冷片控制板開發技術需要用到的功能模塊有哪些？有知道的朋友嗎？展開講講？
2022-05-22 18:26:09
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優缺點？
2021-02-24 09:24:02
半導體制造技術經典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。電路集成度越高，挑戰半導體制造工藝的能力，在可接受的成本條件下改善工藝技術，以生產高級程度的大規模集成電路芯片。為達到此目標，半導體產業已變成高度標準化的，大多數制造商使用相似的制造工藝和設備。開發市場
2020-09-02 18:02:47
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。半導體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
`半導體制程簡介微機電制作技術，尤其是最大宗以硅半導體為基礎的微細加工技術(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半導體組件的制程技術，所以必須先介紹清楚這類制程
2011-08-28 11:55:49
`《半導體制造工藝》學習筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
MOSFET演變為FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。1.1 鋁柵MOS管MOS誕生之初，柵極材料采用金屬導體材料鋁，因為鋁具有非常低的電阻，它不會與氧化物發生反應，并且它的穩定性非常好
2018-09-06 20:50:07
從7nm到5nm，半導體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
半導體為代表的歐洲半導體科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發展，為MRAM的商業化應用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導體簽訂28nm FD-SOI技術多資源制造全方位合作協議，授權三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
我想用單片機開發板做個熱療儀，開發板是某寶上買的那種，有兩個猜想：一個用半導體制冷片發熱，一個用電熱片。但我不會中間要不要接個DA轉換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
求大神解答，半導體制冷片的正負極能反接嗎，如果可以，那原來的制冷面是不是可變成散熱面而原來的散熱面變成制冷面？？
2016-03-03 16:53:12
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
基于半導體制冷片的高精度溫度控制系統，總結的太棒了
2021-05-08 06:20:22
如何實現基于STM32的半導體制冷片(TEC)溫度控制系統設計？
2021-12-23 06:07:59
想用半導體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導體制冷片，還有散熱系統，單片機控制系統，能調溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調節的精度
2020-08-27 08:07:58
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
{:1:}想了解半導體制造相關知識
2012-02-12 11:15:05
微機電系統(MEMS)感測器制造技術邁入新里程碑。意法半導體(ST)宣布成功結合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
可行嗎？還需要電器隔離嗎？半導體制冷片的額定電壓是12v，mcu是stm32
2018-05-01 19:29:12
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
到了二十世紀五十年代隨著半導體材料的迅猛發展，熱電制冷器才逐漸從實驗室走向工程實踐，在國防、工業、農業、醫療和日常生活等領域獲得應用，大到可以做核潛艇的空調，小到可以用來冷卻紅外線探測器的探頭，因此通常又把熱電制冷器稱為半導體制冷器。
2013-11-29 09:26:38
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
半導體制程之薄膜沉積
在半導體組件工業中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
圖解半導體制程概論1
█ 半導體的物理特性及電氣特性
【
2010-03-01 17:00:496880 圖解半導體制程概論（2）
邏輯IC
電子機器的動作所必需的內部信號處理大致可以分為模擬信號處理和數字信號處理
2010-03-01 17:03:522812 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 微機電制作技術，尤其是最大宗以硅半導體為基礎的微細加工技術(silicon- based micromachining)，原本就肇源于半導體組件的制程技術，所以必須先介紹清楚這類制程。
2011-08-28 11:56:38
279 臺積電(TSMC)表示在接下來十年以FinFET技術持續進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節點;但在 7nm節點以下，半導體制程微縮的最大挑戰來自于經濟，并非技術。
2011-11-01 09:34:33960 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56427 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793 意法半導體（ST）宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術獎。根據客戶的節能與性能權衡策略，FD-SOI芯片本身可節約20%至50%的能耗，使終端設備可更快散熱，并實現更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43913 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術平臺，以支持用于工業及消費
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工藝節點進展方面，三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示，三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點，各家晶圓代工業者著眼于應用廣泛、無所不包的物聯網(IoT)市場對低功耗、低成本組件需求而推出的各種中低階制程技術選項，也是產業界的關注焦點。
2018-03-01 14:05:013813 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產），三星代工廠（28納米工藝投產中，18納米工藝計劃投產），以及格芯代工廠（22納米工藝投產中，12納米計劃投產）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發，轉而專注現有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 先進制程的研發令人有些惋惜，不過格芯倒是顯得穩重、平和。日前舉行的GTC大會，格芯還是強調先進制程不是市場唯一方向，當前旗下22納米FD-SOI制程，以及14/12納米FinFET制程依然大有市場。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注，Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
但是隨著物聯網、人工智能、智能駕駛這樣的新應用對半導體提出了全新的挑戰，而FinFET工藝也遇到了瓶頸，尤其是FinFET的制造、研發成本越來越高，已經遠遠不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:383612 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-12 22:57:17842 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-27 14:54:38739 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 半導體制冷片的好壞可以采用萬用表測量其電阻，電流或者電壓來進行判斷，半導體制冷片電阻正常范圍為0－0.05歐，半導體制冷片電流正常范圍為0－0.09安，半導體制冷片電壓正常范圍為0－0.1伏。
2020-08-20 16:23:4634313 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 進行熱交換，同時將制冷片熱面的熱量及時散出。我們根據傳熱方式的不同，將半導體制冷器分為空氣對空氣系列（AirtoAirseries）、平面對空氣系列（Plateto
2023-08-25 17:58:421903 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。三年內國內外的科技環境發生了巨大的變化，FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
（電子發燒友網原創）在2023年第八屆上海FD SOI論壇上，全球知名半導體產業研究機構IBS公司CEO Handel Jones先生，公布了對2030年前的全球半導體芯片市場的預測，同時，他也表示
2023-11-21 17:39:11805 
[半導體前端工藝：第二篇] 半導體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369
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