為了推動自主存儲芯片的發展，我國以國家戰略和意志建設半導體產業鏈，至今為止我國僅能批量生產55nm級別的NOR Flash（NOR閃存），用于主板BIOS芯片等小容量、寫入慢的邏輯芯片。3D NAND閃存也僅在實驗室狀態下，完成9層結構的存儲芯片的存儲器功能的電學驗證。DRAM則干脆處于技術儲備、規劃當中，短期內無量產可能，如果靠我國純正血統的技術、團隊在幾年時間追趕國外領先的存儲芯片水平，其難度遠高于我國的大飛機項目，且不論容量大小，不允許有任何失誤。因此我們找到①技術的合作伙伴、②有經驗的優秀團隊以及③矽知識產權，將是加速我國存儲芯片量產的三大關鍵因素。

　　中國完成DRAM技術飛躍的契機

　　據日經新聞報道，由日本爾必達的元社長坂本幸雄所設立的半導體設計公司兆基科技（Sino King Technology）和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，兆基科技將主導合肥市政府總額高達8000億日元（460億人民幣（6.7180， 0.0130， 0.19%））的大規模半導體工廠興建企劃。新工廠將生產由兆基科技所設計研發、具備低耗電力的計算機內存（DRAM），計劃在2018年下半年開始量產，以12吋晶圓換算的月產能達10萬片的國內最大的內存芯片工廠。其實兆基科技現在只有10名日藉員工，從理論上講應該是一個半導體設計公司，他們也準備從中國、日本和***三國招募1000名半導體技術人員。合肥的計劃當然是政府振新半導體行業的一部分，但是合肥市政府如此巨額的投資，為什么要和一個剛建立不久且員工只有10名的無名小輩合作呢？社長坂本幸雄個人的魅力是一個很重要的一點，但最重要的原因應該和武漢新芯和飛索聯合作獲取3D NAND Flash生產技術一樣，是為了獲取DRAM的生產技術。日本爾必達倒產以后，生產DRAM的只有三星、美光和SK Hynix三巨頭，紫光在美光收購和SK Hynix入股的接連失敗后，兆基科技成為現階段獲取DRAM技術的唯一選擇。

　　中國半導體選擇存儲芯片崛起的原因

　　中國半導體行業選擇存儲芯片作為崛起的突破口最重要的原因是迎合“大數據”和“云計算”時代的到來。根據野村證券的研報，現在世界在網絡上的數據為8ZG（1ZB =270bit）左右，而其中15%的1.2ZB是儲存在存儲芯片里，90%由硬盤（HDD）存儲，10%存儲在像NAND那樣的閃存里。到2020年，人類在虛擬空間積累的數據將達到44ZB，而且為了能對這些數據進行“云計算”，儲存在閃存的數據將達到15ZB。這個數據是以現在NAND的價格為前提計算的，如果像3D NAND Flash那樣的技術能提高存儲容量和降低價格的話，2020年時閃存所占的比例將會為50%-70%，即22-30ZB左右，按此計算的話，月產10萬片的超級工廠需要234座，而現在世界上只有15座，在未來的4-5年間，世界需要219座超級工廠，“大數據”和“云計算”時代會給以3D NAND Flash為代表的閃存帶來幾何式增長需求。

　　另一原因，一大半以上的“大數據”和“云計算”設備在中國生產應該是沒有任何懸念，在生產階段，中國將消費大部分的存儲芯片。再則，隨著中國“虛擬現實”、“互聯網金融”等的發展，中國自身對存儲芯片的需求也會成爆發式增長，這些“鋼性需求”對新參的中國企業來說無疑是天賜良機。從戰略層面上講，現在是發展存儲芯片難得的時間窗口。