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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>28nm嵌入式磁阻式隨機存取內存(MRAM)即將問世

28nm嵌入式磁阻式隨機存取內存(MRAM)即將問世

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2022-06-08 10:25:441

隨機存取存儲器VDMR4M08xS44xx4V35用戶手冊

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術,該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:20:131

隨機存取存儲器VDMR2M16xS54xx2V35用戶手冊

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為一個128K x 16位寬數據接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481

相變隨機存取存儲器(PCRAM)制造工藝

相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699

隨機存取存儲器的誕生

無論是在網飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數碼照片,你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器(RAM),今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317

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