據(jù)海外媒體報道，即使近年摩爾定律（Moore’s Law）進(jìn)展速度趨緩，但全球各家芯片制造商仍持續(xù)開發(fā)新一代制程技術(shù)。在12月3~7日于美國舉行的IEEE國際電子元件會議（IEDM）上，臺積電宣布以其最新版3D FinFET電晶體，可用于生產(chǎn)更新一代智能手機(jī)及其他移動裝置處理器的首個全新7納米制程技術(shù)，借此正式加入全球7納米制程技術(shù)競爭戰(zhàn)場，并彰顯其較英特爾（Intel）更快的制程技術(shù)進(jìn)展，顯示晶圓代工廠具備的技術(shù)優(yōu)勢。

根據(jù)科技網(wǎng)站ZD Net及EETimes報導(dǎo)，臺積電為了展示7納米制程技術(shù)，在會議中介紹一款由7納米制程生產(chǎn)的全功能256MB SRAM測試芯片，據(jù)稱該芯片存儲器細(xì)胞（Memory Cell）尺寸僅0.027平方微米，可提供相較于現(xiàn)有16納米FinFET制程高達(dá)4成的性能速度提升，以及高達(dá)65%的功耗節(jié)省。

臺積電7納米制程技術(shù)采用當(dāng)前的193納米浸潤式微影技術(shù)（Immersion Lithography），與三星、GlobalFoundries以及IBM等競爭業(yè)者宣布的7納米制程技術(shù)，是采用新型態(tài)極紫外光微影技術(shù)（EUV）有所差異。有鑒于EUV技術(shù)至少要等到2018~2019年以后才可能見到量產(chǎn)就緒，因此要等到EUV技術(shù)成熟問世可能仍需一段時間，不過EUV具備成本降低等優(yōu)勢。

值得注意的是，臺積電7納米制程技術(shù)并非與目前最新的10納米制程技術(shù)做比較，而是與16納米進(jìn)行規(guī)格比較，這意謂臺積電等于一次跳了2個甚至3個制程世代達(dá)7納米技術(shù)水準(zhǔn)。臺積電在會中也透露，該公司7納米制程SRAM良率已達(dá)50%，外媒分析稱這是值得注意的成就。

外界多半認(rèn)為10納米只是一個壽命短的過渡制程技術(shù)，目前三星電子（Samsung Electronics）已開始以10納米制程量產(chǎn)，首款10納米處理器可能將于2017年初發(fā)布；GlobalFoundries計劃直接跳過10納米，直攻7納米制程技術(shù)，并計劃將從2018年初開始進(jìn)行7納米制程風(fēng)險生產(chǎn)。

臺積電則計劃從2016年第4季開始采10納米制程技術(shù)量產(chǎn)，預(yù)計2017年底才會見到7納米制程導(dǎo)入生產(chǎn)，臺積電強(qiáng)調(diào)，該公司正將重心放在協(xié)助客戶盡速面向市場推出7納米芯片產(chǎn)品。

由此快速的制程技術(shù)進(jìn)展步伐，也意謂晶圓代工廠商已在半導(dǎo)體制程技術(shù)上取得技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，如英特爾已延后10納米生產(chǎn)進(jìn)程，并預(yù)計2017年底以后才會發(fā)布首款桌上型電腦（DT）處理器“Cannonlake”。作為此進(jìn)程延后下的過渡權(quán)宜策略，英特爾改發(fā)布采14納米制程的Kaby Lake處理器。

另外，雖然ASML的EUV系統(tǒng)至今仍僅在量產(chǎn)前的發(fā)布階段，不過臺積電已宣布自有5納米制程節(jié)點(diǎn)將開始采用EUV技術(shù)。