在長江存儲，晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產(chǎn)存儲基地開建之際，有很多人曾經(jīng)質(zhì)疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設(shè)。現(xiàn)在我通過一個事實告訴你原因。現(xiàn)在在存儲產(chǎn)業(yè)，基本是韓國廠商的天下，而隨著設(shè)動設(shè)備的火熱，各種設(shè)備的爆發(fā)，市場對存儲的需求日增，于是帶來了存儲產(chǎn)品的缺貨問題，進而導(dǎo)致了漲價。

拜DRAM 價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，部分分析師預(yù)測南韓兩大存儲廠三星與SK 海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤可能年增5 成，來到史無前例的25 兆韓圓。

存儲市況從2016 年6 月觸底反彈后，從最低每單位1．31 美元一路走升，年底攀底至1．94 美元，且在供給有限而需求增加的狀況下，存儲今年有望延續(xù)漲勢。

隨著PC 大餅持續(xù)萎縮，分析師去年一度唱衰電腦用存儲市況，但人算不如天算，下半年筆電用存儲需求旺盛，讓NAND 快閃存儲呈現(xiàn)缺貨狀態(tài)。至于PC 用DRAM 報價，今年第一季預(yù)估將再上漲三成。

另外，即使三星Galaxy Note 7 2016 年因自燃事件被迫停產(chǎn)，但行動DRAM 需求仍舊不減反增，這主要歸功于中國智能手機業(yè)者積極填補Note 7 遺留下的需求缺口。

而當(dāng)中應(yīng)以中國作為最大的消耗國。

根據(jù)賽迪顧問提供的數(shù)據(jù)，2014年中國存儲芯片市場規(guī)模達到2465．5億元，占國內(nèi)芯片市場比重的23．7％，其比重超過CPU、手機基帶芯片。

而中國所使用的存儲占全球的比例也在逐步上升，。2014年中國大陸DRAM消耗量已達102億美元，約占全球市場的20％；NAND Flash消耗量也接近全球市場的25％。但與此形成鮮明對比的是國內(nèi)在這個領(lǐng)域幾近空白，市場份額基本都是被日韓美幾大巨頭所壟斷。上文提到的三星和SK海力士就是韓國廠商的代表，每年他們都能從中國獲取高額的利潤，最主要的是在自主可控方面，中國沒有任何話事權(quán)。于是發(fā)展國產(chǎn)的存儲產(chǎn)業(yè)就水到渠成了。

更重要的是，根據(jù)IC Insights ：，未來5 年內(nèi)，存儲是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長最強勁的產(chǎn)品。

IC Insights 的最新報告指出，DRAM 與NAND 快閃存儲等產(chǎn)品，在未來5 年內(nèi)的年平均均復(fù)合增長率（CAGR） 將達到7．3％ 的水準(zhǔn)，產(chǎn)值也將從2016 年的773 億美元，擴增至1，099 億美元。就半導(dǎo)體的產(chǎn)品別來觀察，將會是所有產(chǎn)品成長最大的項目。

報告中進一步指出，受惠于智能手機等行動裝備對低功耗，存儲需求的快速增加，這是帶動DRAM 與NAND 快閃存儲成長的主要原因。除此之外，使用NAND 快閃存儲的固態(tài)硬碟（SSD）在資料中心的儲存設(shè)備中，或是筆記行電腦的應(yīng)用也日趨吃重，也是拉抬其相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。

IC Insights 進一步表示，如果將將半導(dǎo)體區(qū)分成邏輯IC、存儲、模擬IC 與微組件（microcomponents）IC 等四大部分的話，在未來5 年的預(yù)測區(qū)間內(nèi)，將是以存儲的成長力道最為強勁，模擬IC 的成長比率5．2％ 居次，微組件則為4．4％ 排名第3，而邏輯IC 則僅成長2．9％ 墊底。

而IC Insights 還指出，南韓科技大廠三星上周五公布2016 年第4 季財報預(yù)測時，原本預(yù)計在旗艦型智能手機Galaxy Note7 發(fā)生電池爆炸，以致召回而最后停產(chǎn)的情況下，三星原本預(yù)計第4 季在吸收Galaxy Note7 召回成本，以及停產(chǎn)的損失后，最終將大虧超過20 億美元。不料，最終的結(jié)果是營業(yè)利益竟然還能逆勢，跳增近80％ 的比率，其中一大原因就是受惠于DRAM 與快閃存儲的價格大漲，將利潤空間拉大，補足了三星在其他部門的損失。

目前國內(nèi)也建立起了存儲三大陣型：一個是紫光集團旗下的長江存儲，主攻3D NAND Flash；一個是福建晉華集成與聯(lián)電合作的項目，主攻DRAM；；一個是兆易創(chuàng)新和中芯國際前CEO王寧國所主導(dǎo)的合肥DRAM項目。而各自也將取得不錯的進展。

長江存儲那邊聲稱，其新的存儲基地建設(shè)將分為三期，總規(guī)劃面積約100 萬平方米，一期于8 月開工、預(yù)計2018年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約20 萬片。該廠計劃從3D NAND Flash 下手，并預(yù)計2017 有能力推出32 層堆疊、2018年推出48 層堆疊3D NAND Flash。

至于福建晉華項目，據(jù)了解初期將導(dǎo)入32 nm，但最終目標(biāo)其實放在25 nm以下制程，以求與其他DRAM 大廠不致有太大落差，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6 萬片，估計2017 年底完成技術(shù)開發(fā)，2018 年9月試產(chǎn)，并在2019 年以前將產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至福建新廠。

至于兆易創(chuàng)新在合肥那邊的項目，早前兆易創(chuàng)新收購了美國DRAM 廠ISSI ，獲得了相關(guān)的技術(shù)，但沒有說具體計劃。

但我們也要意識到，雖然我們已經(jīng)踏出了重要的一步，但是我們依然要意識到，在技術(shù)方面和人才方面，我們是落后于日韓美的幾大巨頭的，如何完善產(chǎn)業(yè)環(huán)境，獲得關(guān)鍵技術(shù)和人才就成為中國存儲從業(yè)者所需要考慮的首要問題，也是中國存儲能否獲得成功的關(guān)鍵。