1月16日工信部公示了集成電路領域4項國家標準，主要集中在存儲器測試方面。另外，近期總投資240億美元的國家存儲器基地項目在武漢東湖高新區正式開工，中芯國際40nm ReRAM高端存儲芯片已經出樣。可見，集成電路領域研發和行業標準規范方面雙管齊下局面正在形成。

總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成后，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。

此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash Fab廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片月，年產值將超過100億美元。

據介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展。

存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。

從全球范圍看，中國也正面臨著加速發展國產芯片業的重要窗口期。一方面，國際上半導體產業已趨于成熟，國際資本介入半導體產業的腳步顯著放緩，全球芯片市場近兩年持續萎縮，唯有中國區域市場例外;另一方面，摩爾定律放緩，但制造工藝還在前行，且投資不斷加大，這正好符合我國半導體產業投資并購的急切需求。從國內環境分析，除了沉淀出來的PC以及完整的供應鏈市場外，智能手機也在加速洗牌，機型也處于不斷升級的過程之中。同時，智能家居、智能汽車、智能機器人、虛擬現實等已處在暴發的前夜，還有接踵而至的5G、萬物聯網、人工智能、區塊鏈等新業態，無不形成了對芯片的超大需求。

支撐國產芯片業的軟硬環境也正在顯著改善。據國際知名專利檢索公司QUESTEL的最新報告，過去18年，全球芯片專利數量增長了6倍，而我國芯片專利量則增長了23倍，以芯片專利申請數量論，我國已躍居世界第一大國，并連續5年蟬聯全球第一。在政策層面，除設立了總規模近1400億的國家集成電路產業投資基金外，上海，武漢、合肥、長沙、珠海、杭州、無錫等地相繼跟進成立了地方性產業投資基金。據國際半導體設備與材料協會預測報告，2016至2017年間，全球確定新建的晶圓廠有19座，中國占了10座。

據業內人士透露，雖然目前設備國產化仍處于初期，需要投入大量人力、財力、物力，但隨著國產設備大量投入使用，將使得我國芯片制造的設備采購成本降低25%左右。業內專家透露，集成電路技術40多年來一直按照摩爾定律規律發展，即每隔18個月技術更新一代。每一代技術的更新可使芯片集成度提高1倍，電路性能提高40%。隨著摩爾定律近年來逐漸逼近極限，裝備國產化對于提升我國集成電路行業競爭力將起到巨大作用。

數據顯示，我國一年制造11.8億部手機、3.5億臺計算機、1.3億臺彩電，牢牢占據世界第一，我國也由此成為全球最大的芯片需求市場，每年消耗全球54%的芯片，但國產芯片自給率則不足三成，市場份額不到10%。這也就是說，我國“芯”90%以上依賴進口，其中2016年前10個月進口芯片花費1.2萬億元人民幣，為原油進口支出的兩倍，超過鐵礦石、鋼、銅和糧食這四大戰略物資的進口費用之和。

“受制于人”的被動局面，不僅讓不少我國企業承受著巨大的專利扼制之痛，而且也時刻威脅著國民經濟以及企業經營的安全，極大限制了我國企業在國際市場的獲利能力。為此，《國家集成電路產業發展推進綱要》提出，到2020年我國半導體產業年增長率不低于20%。

同時，《中國制造2025》明確提出了2020年我國芯片自給率要達到40%，2025年要達到50%的標桿。而工信部的相關實施方案則更提出了新目標：10年內力爭實現70%芯片自主保障且部分達到國際領先水平。業內人士表示，行業標準的推出將有助于我國芯片國產化的進程加速。