眾所周知，中國是智能電子設備的制造大國和消費大國。在美國、歐洲、非洲各地都能看到有中國特色的手機和電腦賣的紅紅火火；每年在拉斯維加斯舉辦的全球消費電子展CES上也都擠滿了各個領域的中國廠商。然而，手機、電腦產的多賣的好并不代表中國在基礎的半導體行業上就趕上了領先國家，而恰恰我們的大部分產品都還在用別人家的芯片和存儲器。

而近幾年，中國政府對于半導體行業的支持力度相當大。國務院曾在2014年6月頒發了《國家集成電路產業發展推進綱要》，要實現集成電路行業銷售收入從2015年3500億人民幣以每年20%的增速達到2020年約8700億人民幣的目標。

那么，縱觀全球總產值3500億美元的半導體市場，哪一領域可能是中國快速提升的突破口呢？

記者采訪了位于圣何塞的半導體技術公司Kilopass的CEO Charlie Cheng，通過他對業界的認知以及其公司的新技術來探討一種中國半導體企業發展的可能性。

（Charlie Cheng）

DRAM市場有多重要

采訪過程中Charlie首先談到，3500億美元的半導體市場中儲存類產品占據將近1000億美元的份額，而其中DRAM（動態隨機存取存儲器）更是占據約500億美元的份額。如此大的市場，對于中國企業來說無疑有著巨大的開拓潛力。

然而，目前DRAM超過90%的市場份額被三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家海外大企業霸占。更重要的是傳統DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元，它不僅在制造上面臨挑戰，更重要的是被大量專利保護。為了進入DRAM市場，后發的中國廠商必須利用創新的替代方案，以推動競爭升級，爭取實現差異化。

Kilopass的VLT技術將改變DRAM產業格局

2016年10月，Kilopass正式推出垂直分層晶閘管（Vertical Layered Thyristor， VLT）技術。該技術對于DRAM產業可謂是顛覆性的。

（擁有專利的VLT存儲器技術）

DRAM技術自2010年以來就放緩了前進的步伐，原因是當前基于1個晶體管+1個電容器（1T1C）的存儲單元結構不是一個合理的解決方案。摩爾定律不適用于電容！

而通過VLT技術，DRAM制造成本將比目前頂尖的20納米DRAM工藝降低45%。由于采用了垂直方式實現晶閘管架構，VLT使得存儲單元變得更加緊湊。另外，VLT不需要復雜且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM的待機功耗可以降低10倍。最為關鍵的是，VLT無需任何電容，避開了傳統DRAM制造中最大的挑戰，即溝電容的制造，從而規避了相關的專利沖突。

無需電容，更低成本，更低功耗，不受專利限制，VLT給DRAM產業帶來的革新將是意義非凡的，這也或許是中國存儲廠商彎道超車的一個極佳機會。