在近日于美國舉行的年度國際固態電路會議（ISSCC）上，三星（Samsung）與臺積電（TSMC）針對7奈米制程技術，分別提供了截然不同的觀點；兩家公司都是介紹SRAM技術進展，而該技術通常都是新一代節點的關鍵推手。

臺積電的論文描述了一款測試晶片，能做為商用元件而且號稱擁有“健康的”良率；三星的論文則是敘述利用極紫外光（EUV）微影修復顯然是研發元件的經驗，并透露7奈米制程可能還需要等待幾年的時間。兩家公司都想要成為提供先進制程晶圓代工服務的領導廠商，不過他們對于7奈米制程的策略卻大不相同。

臺積電顯然是拿到了大部分的蘋果（Apple） iPhone處理器SoC生意，這需要每年在制程技術上有一些進展；因此臺積電已經開始為iPhone 7量產10奈米晶片，并得在明年為iPhone 8量產7奈米晶片。而沒了蘋果生意的三星，則可以在某種程度上的“名詞游戲”中喘口氣；因此該公司會稍微延后7奈米的量產時程，但以某種形式展現領導地位──就是EUV。

與英特爾（Intel）在半導體制造領域各顯身手、激烈競爭的兩家公司都有了一些令人贊賞的進展，不過相關技術細節非常稀少；臺積電在ISSCC敘述了一款256Mbit的7奈米制程SRAM測試晶片，儲存單元區域達到0.027mm見方，如該公司記憶體部門總監Jonathan Chang在簡報中所言：“是今年試產出的最小SRAM。”

臺積電的商用SRAM將于今年進行試產

（來源：ISSCC）

而產生的SRAM宏單元（macro）會是臺積電的16奈米制程版本之0.34倍，采用了7層金屬層，整體裸晶尺寸則是42mm見方；Chang的簡報中，關鍵內容是這顆SRAM幾乎已經“全熟”，他表示：“我們現在已經能以非常非常健康的良率生產…與我們的設計目標相符。”

三星的EUV進展

三星的進展則更偏向研究，開發的部分比較少；該公司打造了8 Mbit測試SRAM，只能看到未來商用7奈米制程的一小部分。

三星提供了其7奈米SRAM （上）會比10奈米SRAM （下）小30%的概念影像

（來源：ISSCC）

該晶片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星開發了一種創新的維修（repair）制程，在現有的步進機以及EUV設備上都測試過，而并不令人驚訝的，EUV的效果比較好；一般來說維修并不是制程，因此這項成果對于三星正在進行的7奈米制程EUV微影技術開發情況，能透露的不多。

產業專家們大多認為，EUV將能在2020年左右準備好應用于某些關鍵層的制造；三星在去年底表示，將在7奈米制程采用EUV微影，但并沒有透露其應用的局限程度。

三星是否會在所謂的7奈米制程落后臺積電一年、兩年甚至三年？結果仍有待觀察。

三星可以在任何時候決定并根據現實情況定義其EUV使用策略，而或許該公司屆時也會在行銷語言上說他們家的7奈米制程更先進，因為用了EUV。

編譯：Judith Cheng

（參考原文： TSMC， Samsung Diverge at 7nm，by Rick Merritt）

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