國產半導體設備與材料正積極打破國外壟斷局面，邁入先進工藝制程領域。其中北方華創、中微則是國產裝備的領軍“旗手”。北方華創目前14nm等離子硅刻蝕機臺已正式交付客戶；同時中微傳出年底將正式敲定5nm刻蝕機臺。這是國產半導體裝備在先進工藝制程相繼取得的重大突破。

北方華創總裁趙晉榮表示，國內芯片廠當前對于把握度較高的65nm、55nm工藝有替換性的裝備性價比需求；此外，放眼未來2-3年國內新的晶圓廠相繼導入裝備，其中，國內正在聚焦量產的存儲器晶圓廠，在未來對國產裝備采購更具自主性、彈性。

近日北方華創更接獲來自中芯國際的二次訂單，顯示其裝備在工藝制程領域已具備相當穩定度。

據了解，中芯國際12吋廠是北方華創重要的先進工藝制程客戶之一。尤其今年中芯國際28nm規劃客戶芯片將放量成長，尤其在HKMG工藝上要取得量產突破，國產裝備將扮演推助的角色。

北方華創表示，目前在集成電路制造領域，14nm等離子硅刻蝕機也已交付客戶，28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD設備已率先進入國際供應鏈體系，12吋晶圓清洗機累計流片量已突破60萬片大關，深硅刻蝕設備也順利跨入東南亞市場。

此外，先進封裝領域，公司刻蝕機和PVD設備已在全球主要企業中得到廣泛應用，其中PVD機臺已成為全球排名前三的CIS封裝企業的首選機臺。

裝備國產化增長如“星星之火”

趙晉榮更表示，國內集成電路核心裝備開始萌芽，中國國產設備采購額開始逐年增長，已有“星星之火”足以燎原之態。

他指出，在一些細分市場如刻蝕機、PVD、PECVD、單晶爐、退火爐、封裝光刻機臺等裝備，已經基本實現了國產化，這個過程約用了5年時間；而集成電路高端裝備的國產化用時也許還需5年，或許10年，但已經是大勢所趨。

盡管當今國產裝備在集成電路的采用率較低不到10%，但他樂觀認為，未來3年可望一舉提升至30%。

北方華創2016年半導體設備營業收入由5.2億元增長到 8.1億元人民幣，比上年同期增長56.18%，預期2017年在重大訂單挹注下營收將持續成長。

事實上，不僅北方華創近年來嘗到國產裝備成長的“甜頭”，其他裝備廠家在2016年都實現相當亮麗的增長態勢，如沈陽新松年增長率近126%、北京京儀自動化成長145%、靖江先鋒增長約38%、沈陽科儀增長80%等等。再再顯示國產裝備材料過去幾年沉潛近兩年呈現跳躍式增長。

中微5nm刻蝕機年底推出市場

中芯國際另外一家重要裝備合作伙伴還包括刻蝕機的制造商深圳中微半導體（AMEC）。近日傳出，中微將在2017年底敲定5nm刻蝕機，為此中微已經研發了5年之久。

目前僅中芯國際啟動7nm工藝制程研發，約落后巨頭如英特爾、三星、臺積電等一線大廠2-3個世代，其中最先進的工藝制程的裝備多數由國外廠家把持，但國產裝備則積極尋求突破口。

中微半導體CEO尹志堯表示，5nm刻蝕機臺正在測試中預計今年底正式推向市場。但中微研究團隊也提到，刻蝕機的成熟到導入芯片入商用量產，大約還需要5年的時間。

中微預估，今年公司銷售可望成長70%以上，產值將達11億元人民幣。尹志堯表示，根據預估中國到2020年將采購480億美元的集成電路生產設備，中國本地裝備的國產化必須持續進程，逐步提高自給率。

電子發燒網點評：

1．近兩年在《國家集成電路產業發展推進綱要》和國家集成電路產業投資基金的推動下，中國半導體市場已成為全球增長引擎，2016年銷售額超過4300億元，增長率達到19%。隨著國內對中芯國際、長電、紫光等企業的大力扶持，再加上還有格羅方德、臺積電等知名企業和國內的合資或者投資建廠，毫無疑問，中國在未來幾年在半導體設備方面有高速增長的需求。

2．與高速增長需求不相匹配的是，中國國產半導體設備在集成電路的采用率較低，不到10%，國產半導體設備，尤其是在高端設備的缺失，嚴重制約著國產集成電路產業的自足與健康發展，如何提升國產設備的市場占有率就成為半導體從業者關注的一個問題。

3．盡管與國外先進水平相差很大，但國產半導體裝備在先進工藝制程已取得一些重大突破。中微半導體生產的刻蝕設備已經用于英特爾、三星、臺積電先進的工藝；同時中微今年底將正式敲定5nm刻蝕機臺；北方華創目前14nm等離子硅刻蝕機臺已正式交付客戶，28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD設備已率先進入國際供應鏈體系，12吋晶圓清洗機累計流片量已突破60萬片大關，深硅刻蝕設備也順利跨入東南亞市場。中國國產半導體設備采購額開始逐年增長，已有“星星之火”足以燎原之態。