`2017年可謂是令人振奮的一年，射頻半導體行業取得了眾多顛覆性的突破與進步，包括但不限于持續整合MMIC市場，通過氮化鎵技術促進新型基站架構和射頻能量應用的發展，甚至在實現5G部署方面也初步取得了
2018-02-08 11:01:42
5G 的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率。5G的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業
2019-07-31 07:47:23
"對于大規模MIMO系統而言，第4代氮化鎵技術和多功能相控陣雷達(MPAR)架構可提升射頻性能和裝配效率。"—David Ryan，MACOM高級業務開發和戰略營銷經理 行業洞察
2017-06-06 18:03:10
MACOM六十多年的技術傳承，運用bipolar、MOSFET和GaN技術，提供標準和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統設計人員簡化和加快產品開發，使其能夠輕松微調射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結合
2017-08-03 10:11:14
：“ST的晶圓制造規模和卓越的運營能力將讓MACOM和ST能夠推動新的射頻功率應用，在制造成本上取得的突破有助于擴大硅上氮化鎵市場份額。雖然擴大現有射頻應用的機會很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
) 2017上展示其業界領先的硅基氮化鎵產品組合和其他高性能MMIC和二極管產品。 MACOM展位將展示專為商業、工業、科學和醫療射頻應用而優化的全新產品解決方案。敬請蒞臨1312＃展位，與MACOM
2017-05-18 18:12:54
分子束外延法和有機金屬化學氣相沉積法生長的新型半導體。這些帶隙原理已應用于MACOM AlGaAs技術的開發，因此推動了PIN二極管射頻性能的大幅提升。主要優勢與等效的GaAs PIN結構相比，改善了
2017-06-06 14:37:19
已經有不少硅基氮化鎵組件被通信客戶采用。為了保證供應，MACOM不久前還與ST簽署了合作協議。從中可以看出，往后具有更大集成效能的半導體材料應用或將走向歷史的中央舞臺。5G促使企業加速國內本土化進程目前
2019-01-22 11:22:59
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的產品方案也不一樣，更像是定制化的產品，根據客戶對產品性能及成本的不同需求制定相應的解決方案。不過產品方案的驗證的時間比較快，成熟方案在1-2個星期左右。MACOM的射頻功率晶體管的產品迭代時間在一年
2017-05-23 18:40:45
以及能耗成本上的差別。碳化硅基氮化鎵的高昂的成本，極大限制了其在商業基站成為主流應用的前景。相比之下，一個8英寸硅晶圓廠幾周的產能便可滿足 MACOM氮化鎵用于整個射頻和微波行業一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
地控制烹飪。以上講解到的演示，即我們的硅基氮化鎵技術將如何支持射頻能量市場，這是我們要通過高效氮化鎵技術推動的多種應用之一。關于MACOMMACOM是一家新生代半導體器件公司，集高速增長、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
/無線廣播臺等。捕獲這類能量的能力有助于創建新的無電池設備，并允許電池供電設備通過無線方式實現點滴式充電。除了環境射頻能量外，還有一種方式是使用專門的發射器發送功率，這能使無線電源系統提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48
`網絡基礎設施與反導雷達等領域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件，這使得市場對于射頻氮化鎵（GaN）器件的需求不斷升溫。舉個例子，現在的無線基站里面，已經開始用氮化鎵器件取代硅基射頻器件，在
2016-08-30 16:39:28
射頻VMMK器件是怎么提高性能的？通過降低寄生電感和電容嗎？
2019-08-01 08:23:35
Honcharenko表示：“MACOM是領先的GaN－on－Si（硅基氮化鎵）器件開發商。GaN－on－Si器件可提供更高的效率，這有助于開發商設計和部署更小、更輕的基站硬件。網絡運營商致力于提供
2019-12-20 16:51:12
氮化鎵開關管來取代，一顆頂四顆，并且具有更低的導通電阻。通過使用氮化鎵開關管來減少硅MOS管的數量，還可以減小保護板的面積，使保護板可以集成到主板上，節省一塊PCB，降低整體成本。儲能電源儲能電源通常
2023-02-21 16:13:41
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點；納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
。與典型的PN結MOSFET不同，GaN器件的雙向結構可以使用雙柵結構控制電流。用于電機驅動的矩陣轉換器可以通過利用雙向設備潛在地減少開關的數量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
應用的發展歷程無疑是一次最具顛覆性的技術革新過程，為射頻半導體行業開創了一個新時代。通過與ST達成的協議，MACOM硅基氮化鎵技術將獲得獨特優勢，能夠滿足未來4G LTE和5G無線基站基礎設施對于性能
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
描述這個教學演示了一個原型，它通過天線收集周圍環境的射頻輻射來收集能量。該電路放置在 Wi-Fi、手機等射頻發射源附近時，會從周圍收集射頻能量并將其轉換為直流電荷，存儲在超級電容器中，然后用于低壓應用。
2022-08-31 06:13:08
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發，有望降低成本50%以上。 目前已開發出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術，光效
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
中國數字電視產業的蓬勃發展帶動了對高性能、低功耗射頻接收芯片的巨大需求，但在該領域，由于射頻技術、實現復雜度、標準及成本等方面的挑戰，中國的數字電視產品中過去大多采用的是國外半導體廠商的芯片。為改變
2019-09-26 06:21:47
如何實現高性能的射頻測量系統？ 高性能射頻測量系統該怎么正確選用阻抗匹配元件？在設計PCB裝配式開關模塊時需要考慮什么？
2021-04-14 06:46:36
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
MHz到70 GHz的寬帶性能。這些產品可以采用裸片形式或SURMOUNT?、倒裝芯片、塑料和陶瓷封裝。這些產品是開關、限位器、移相器和衰減器電路應用的上佳之選。MACOM公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：DU2880V產品名稱：射頻晶體管DU2880V產品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結構
2018-08-08 11:48:47
的最終目標前進。這意味著客戶最終可以與主流技術的發展同步，例如，MACOM公司已經能夠提供300W塑料封裝的硅上 GaN器件，它有著大于70%的效率，售價約為 15 美元，這一價格/性能水平已處于當今射頻能量器件領域的領先位置。
2017-04-05 10:50:35
一個腔室或是一個局限的環境，在其內部可放置吸收射頻輻射的食物，并可提供所需的級別的 EMC 屏蔽。MACOM簡介：MACOM（鎂可微波）科技公司是面向下一代互聯網和國防應用的高性能模擬、射頻、微波
2017-04-06 16:50:08
24 小時，磁控管的有效壽命及其性能將會很快下降。這意味著，現今要經常，有時每周就需派出技術人員去更換磁控管，這將是一項費用昂貴的行為，所以將磁控管改用固態氮化鎵晶體管將有很大的潛力來降低這種服務成本
2017-04-17 18:19:05
以與LDMOS 相競爭的成本來提供其性能優勢。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超過 70%的能量效率，并在 900 MHz 和 2.45GHz 頻率下均具有高的增益。這些頻率都是工業、科學和醫學應用的開放
2017-05-01 15:47:21
當今射頻能量的最大潛在市場之一是在烹飪和加熱方面的應用。現在全球每年微波爐的制造產量遠超7000 萬臺，從低成本的消費類產品到高端的專業和工業加熱爐，它的產品類型跨度很廣。射頻功率晶體管在許多性能
2019-07-31 06:04:54
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
和醫療應用。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN-on-Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
恩智浦半導體（NXP Semiconductors），近日推出業界領先的QUBIC4 BiCMOS硅技術，鞏固了其在射頻領域的領導地位，實現在高頻率上提供更優的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
導讀：近日，TT electronics 宣布推出新一代模壓電感 器件--HM72E/A72E.該兩款器件具有高性能和高成本效益，最大限度地減少了氧化。 該兩款器件是專為需要降壓、升壓或
2018-09-26 15:44:31
速度。這些功能對于牽引逆變器來說是最佳的，因為它們需要間歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時，硅上氮化鎵開關為從低kW到10kW寬范圍的供電系統帶來了益處，即交流到直流板載充電器（OBC）、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
運行時的電性能和效率要比傳統的硅材料高得多。對于已被實際使用的碳化硅半導體和氮化鎵半導體來說，其耐受電壓（高于標稱電壓，用于保持可靠性的基礎電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
幾十倍、甚至上百倍的數量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優勢取得市場的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
你好，我找不到合適的地方張貼，所以我在這里張貼。如果在第三方商業產品中使用低成本先鋒開發工具包，請允許我知道是否有許可限制。
2019-11-01 13:52:23
希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
地檢測品牌、車標和形狀。
OpenVINO TM的Intel&Distribution工具包是一個全面的工具包，用于快速開發模擬人類視覺的應用程序和解決方案。該工具包以細胞神經網絡為基礎，將計算機視覺工作負載擴展到IntelR硬件，最大限度地提高性能。
2023-08-04 07:36:38
的首選技術。固態射頻半導體氮化鎵與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數據已證實，硅基氮化鎵
2018-08-21 10:57:30
的使用壽命最短2個月，最長4個月。因此，由于更換燈泡的成本過高，諸如室外、街道、體育場或區域照明的應用將無法從基于磁控管的等離子照明中獲益。不過，利用氮化鎵技術的性能優勢，基于固態射頻能量的等離子照明
2018-08-06 10:44:39
類型包括硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）和硅鍺異質結雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關注的其他設備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質結場效應晶體管（GaAn HFET）功率半導體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當前和未來軍事系統，如衛星和導彈。
2012-12-04 19:52:12
嗨，幾次之前我帶來了Lora開發工具包LoRa（R）技術評估工具包- 800。（我想在這里發布網址，但似乎不可能）。我想把這個工具包用于商業目的，我想問我是否需要從微芯片購買一些許可證或支付一些付款
2019-07-29 07:51:37
如何實現高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
。采用RFCMOS制程最大的好處，當然是可以將射頻、基頻與存儲器等組件合而為一的高整合度，并同時降低組件成本。但是癥結點仍在于RFCMOS是否能解決高噪聲、低絕緣度與Q值、與降低改善性能所增加制程成本
2016-09-15 11:28:41
降低性能。行業內外隨著射頻能量通過加大控制來改進工藝的機會持續增多，MACOM將繼續與行業領導者合作，以應用最佳實踐并通過我們的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案實現射頻能量。確保了解有關射頻能量
2018-01-18 10:56:28
我們在“日常生活中的微波射頻能量”系列此前的技術知識分享中有提到氮化鎵(GaN)技術在固態烹飪和等離子照明應用中的諸多優勢以及普遍認為的氮化鎵將對商業和工業市場產生變革的影響。在談論突破性的半導體
2017-12-27 10:48:11
將幫助商業OEM調整其產品設計，納入基于硅基氮化鎵的射頻能量，使他們更輕松地利用這種不熟悉的技術。利用射頻能量工具包，照明系統設計人員現在能夠有效降低開發復雜性和成本、縮短固態等離子照明的上市時間
2018-02-07 10:15:47
空置的地方，這進一步延長了燈泡的壽命。盡管這是一個極具吸引力的概念，但從以往記錄來看，固態芯片的成本結構比磁控管更昂貴，這使射頻能量應用成為一種奢侈品。然而，憑借MACOM氮化鎵（以硅基的成本構成實現
2017-12-14 10:24:22
。核心基本不變的微波爐在經過50年的穩步發展后，憑借結合射頻能量聯盟的突破與MACOM硅基氮化鎵技術的性能，便極有可能得到徹底變革。MACOM很高興能夠走在技術突破的前沿，并希望通過為全世界打造更智能
2017-11-15 10:08:05
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
MACOM公司支持多種產品組合用于從長距離都市核心網到FTTx接入和數據中心網之間的光通信。MACOM公司的產品組合實現了電領域和光領域之間的高性能模擬接口，提供了滿足當今高速網絡對尺寸、功率、信號
2017-06-19 14:14:57
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的特性組合。電動汽車充電等高增長應用中的高性能電力電子設備可以從砷化鎵二極管提供的系統級成本降低機會中受益匪淺。對二極管在實際應用中引起的正向導通行為和動態損耗的詳細了解，為設計人員提供了優化性能和成本的工具。
2023-02-22 17:13:39
應用市場，GaN器件的市場份額將逐漸提高。長期來看，在宏基站和回傳領域，憑借高頻高功率的性能優勢，GaN將逐漸取代LDMOS和GaAs從而占據主導位置；在射頻能量領域，LDMOS憑借高功率低成本優勢
2019-04-13 22:28:48
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
在于它的導熱性不佳。事實上，在所有可用于射頻放大或功率切換的半導體中，它的導熱性最差。氧化鎵的熱導率只有金剛石的1/60，碳化硅（高性能射頻氮化鎵的基底）的1/10，約為硅的1/5。（有趣的是，它可
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我們全新的白皮書：“用一個集成驅動器優化GaN性能。”? 通過閱讀博文“我們一起來實現氮化鎵的可靠運行”，進一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
中國上海，2016年2月24日- 領先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產品供應商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應用于宏基站的MAGb系列氮化鎵（GaN）功率晶體管。
2016-02-24 10:40:21
992 “固態射頻能量技術具有從生活消費品到工業、科學和醫療系統及基礎設施的全方位優勢，有望在未來撼動整個市場劃分。”MACOM市場部資深總監Mark Murphy表示。
2016-06-03 10:11:462018 ：NXPI）今日宣布推出RFE系列射頻能量系統解決方案。這些2.45 GHz、250 W平臺解決方案能夠幫助工程師通過全新的方式來創建原型和開發創新的高性能系統。
2018-06-30 09:18:003715 MACOM是世界領先的高性能射頻、微波、毫米波和光子解決方案供應商，于6月12日宣布正式推出其全新的MADT－011000功率檢測器。這款檢測器適用于微波無線電、測試和測量（T＆M）設備以及雷達系統
2018-07-02 10:18:001261 
方便設計人員針對射頻性能和芯片面積同時進行優化，設計并制造出高性能、低功耗無線射頻前端開關，從而減少設計反復，很大程度地縮短客戶將產品推向市場的時間。
2019-10-21 11:19:022688 macom的總裁兼ceo兼總裁stephen g. daly說：“我們歡迎射頻事業組加入macom。今后，我們將全力支持所有產品和代工客戶，并以現有技術為基礎，加強對射頻項目的領導能力。”
2023-12-05 13:33:51453
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