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半導體固態量子器件取得突破

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2020-03-04 14:03:472069

我國半導體部分中高端領域取得可喜突破 不確定因素增加但仍將篤定前行

半導體新結構、新器件的開發提供了新的思路。2019年,國內半導體材料在各方共同努力下,部分中高端領域取得可喜突破,國產化進一步提升。
2020-03-26 15:54:282473

基于量子中繼的量子通信網絡技術取得重大突破

近日,我國在基于量子中繼的量子通信網絡技術方面取得重大突破,在國際上首次實現相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443089

中國量子計算機取得新的突破

隨著中國在科技領域上的進步,中國量子計算機也取得了新的突破。兩個月前,中國科技大學宣布了一項喜訊,包括潘建偉在內的該校幾人,成功構建76個光子的量子計算機原型機“九章”。這一突破使我國成為了僅次于美國的全球第二個實現“量子優越性”的國家。
2021-02-22 10:48:363372

中科大在微波諧振腔探測半導體量子芯片上取得重要進展

5月9日消息 據中國科學技術大學網站,中國科大郭光燦院士團隊在微波諧振腔探測半導體量子芯片上取得重要進展。 該團隊郭國平、曹剛等人與本源量子計算有限公司合作,利用微波超導諧振腔實現了對半導體量子
2021-05-13 09:32:241715

IBM和三星在半導體設計方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,IBM和三星聯合宣布,他們在半導體設計方面取得一項重大突破
2022-03-16 09:56:02357

本源量子與中國科大合作在硅基半導體量子比特調控上取得新進展

當前,量子計算發展進入飛速期,各國研究團隊分別通過超導電路、離子阱、半導體、金剛石色心,或者光子等各種介質來構建量子比特體系,實現量子計算。在這些技術思路中,硅基自旋量子比特具有較長的量子退相干
2022-05-12 09:42:31305

淺談功率半導體器件與普通半導體器件的區別

功率半導體器件與普通半導體器件的區別在于,其在設計的時候,需要多一塊區域,來承擔外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區的普通半導體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:211170

拓撲量子器件突破性進展

1月18日,德累斯頓和維爾茨堡的量子物理學家們取得了顯著的科技突破。他們研發出一種半導體器件,其卓越的魯棒性和敏感度得益于一種量子現象——拓撲保護作用,能夠免受外部干擾,實現前所未有的精準測量功能。
2024-01-23 14:59:21232

華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術突破

近日,華光光電808nm高功率半導體激光芯片研究取得重大技術突破。經過公司研發團隊持續地科研攻關,華光光電成功研制出25W高功率高可靠性激光芯片,進一步鞏固了公司在半導體激光領域的領先地位,并為國內半導體激光芯片產業升級注入了新的活力。
2024-04-26 10:54:42206

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