開年以來大陸半導體產業發展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發布新聞稿澄清，表示從未發表過32層3D NAND Flash今年量產的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導體產業發展“三步走”（注1），指出要花至少15年的時間，大陸才能發展出比較有市場競爭力的企業主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規模過大，目前尚處于建設初期，短期無法產生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導體產業持續其發展動能，但是較諸于2、3年前風風火火的在世界四處并購的意氣，頗有急景凋年的味道。

其實這是整體戰略經過階段性實踐后的反思，也許對長遠的發展是有益的。譬如當初長江存儲發布研發32層3D NAND Flash時，我遠比年初看到它否認今年量產的消息還吃驚。長江存儲NAND Flash據報導用的是Spansion的技術，批評者說它原來只是NOR Flash的制造商，2012后才跟Hynix合作NAND，這二者都錯了。Spansion與Hynix合作的是20nm、30nm和40nm嵌入式NAND，跟做stand-alone的存儲器技術差別很大，而且大概也不算成功。如果成功了，現在代工廠eMRAM就沒有問世的迫切性。另外，Spansion在2007、08年也生產過NAND Flash，不過良率有待改善，而且速度較慢。速度慢對于3D應用障礙很大，因為3D就是容量大，元件運作慢或介面慢，容量大就白搭了。所以對當時公司的樂觀實在是一頭霧水。

“三步走”在發展時程上看法比較中肯。現在邏輯制程的前沿是10nm，還有7nm（2018）、5nm（2020）與3nm（？）要走，這是看得到的，也許還可以有小延伸。在摩爾定律終結之前，后進者的持續虧損近乎無可避免。代工如是、存儲器亦復如是。所以單純用商業投資的眼光來看，紫光的停止收購長江存儲股權也是勢所必然。只是有個小注腳，要是我就不敢提“政府大力支持”、“國家資金支援”這等字眼。當初Hynix被各國懲以counter-veiling tax的殷鑒不遠。

但是大陸的持續大額半導體資金投入還是必要的，我認為投資的重點應該在運作環境、基礎設施以及人才培育上，而不在于追趕先進制程，這樣可以少些花費；先進制程反正幾年內追趕不上，但它終將緩慢下來而變得普及，這時候再追平費力少。大陸的半導體內需市場龐大，“中國制造2025”計劃中半導體產業自給率的指標為2020年達到40%，2025年達到70%。姑且不論這些時程是否可能，單只是從人數上有經驗的人才必須再翻幾倍，只有從現在開始大幅擴編，并且要在有經營、管理壓力的實作環境中培育才有可能。大量投資的可能虧損就當是基礎建設，來日再自償。

倒是后摩爾時代兩條研發主軸人工智能以及新物質開發，大陸的商業機構以及學術機構于此已有相當的基礎。與此二軸線配合的半導體制程節點產業界發軔于40nm、28nm，投入后可以立即加入市場競爭。這是經濟產出比較高的研發，而且直接在后摩爾定律時代爭取領先生態區位。

態度的轉變雖是好事，卻也反應了另一個問題。這幾年大陸積極招聘制程工程研發人才乃至于高端的經營管理人才。但是關于制高點的戰略層次似乎還在摸索的階段，而這方面人才的欠缺是最消耗資源的！