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GlobalFoundries拋棄三星和意法半導體在第二代FD-SOI技術上達成合作

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2013-08-12 17:22:08

能否提供ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?

尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08

講一下半導體官方的庫怎么搞

半導體官方的庫怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43

22nm后的晶體管技術領域 平面型FD-SOI元件與基于立體

22nm以后的晶體管技術領域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559

FD-SOI元件與FinFET接近實用化的不斷發(fā)布

22nm以后的晶體管技術領域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的,為此,人們關注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508

意法半導體(ST)與Soitec攜手CMP提供28納米FD-SOI CMOS制程

意法半導體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:501201

看好28奈米FD-SOI技術 意法借力成該技術領導者

日前,意法半導體(ST)宣布位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術,這證明了意法半導體以28奈米技術節(jié)點提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術的能力。
2012-12-14 08:45:27793

華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一代的基礎上實現(xiàn)了多方面的技術提升。目前,90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205

意法半導體公司選擇格芯22FDX?提升其FD-SOI平臺和技術領導力

據(jù)報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力,格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業(yè)應用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975

FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完善 與FinFET勢均力敵

在工藝節(jié)點進展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向,FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703

FD-SOI技術有何優(yōu)勢?還是物聯(lián)網(wǎng)的理想解決方案?

物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術,除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節(jié)點,各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368

三星預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片

晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單,其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565

格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM

格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM,實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上,專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
2018-05-14 15:54:002394

盤點FD-SOI工藝現(xiàn)狀和路線圖

FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應

Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應,滿足當下及未來消費品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應用等領域的需求,確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00495

Soitec 2019上半年財報強勁增長 FD-SOI技術迎來發(fā)展的春天

隨著FD-SOI技術在系統(tǒng)芯片(SoC)設備的設計中越發(fā)受到關注,Soitec的業(yè)務也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777

FD-SOI與深度耗盡溝道DDC MOS器件的詳細資料介紹

當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時,提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012

各企業(yè)積極投入FD-SOI元件開發(fā) 看好后續(xù)市場發(fā)展

為求低功耗、高能效及高性價比之元件,市場逐漸開發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結構;而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心,透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進而以水平式晶體管架構,取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245

云天勵飛、Blink現(xiàn)身說法談FD-SOI優(yōu)勢

事實勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢,其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:453340

高級工藝未來分化,FD-SOI受益

長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554

FD-SOI爆發(fā)的唯一短板是IP?

FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273

Globalfoundries提供eMRAM 計劃在2020年實現(xiàn)多個流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術,該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現(xiàn)多個流片。
2020-03-03 15:10:302185

FD-SOI應用 從5G、物聯(lián)網(wǎng)到汽車

FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點”,Soitec
2020-07-07 16:04:043335

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出FPGA產(chǎn)品加強邊緣AI能力

Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719

三星半導體與芯馳科技達成車規(guī)芯片戰(zhàn)略合作

三星半導體與芯馳科技聯(lián)合宣布,雙方達成長期戰(zhàn)略合作關系,加強在車規(guī)芯片領域的深度合作。為進一步推動車規(guī)半導體的系統(tǒng)集成和適配項目,芯馳科技將在全場景車規(guī)芯片的參考方案開發(fā)中引入三星半導體的高性能存儲芯片,共同推進雙方在車載領域的技術創(chuàng)新與突破。
2023-08-03 17:29:15680

第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長賦能產(chǎn)業(yè)

于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年,2023年主辦方重啟再次主辦,第八屆FD-SOI論壇,邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內的重要企業(yè)專家參與。三年內國內外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化,FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術又有哪些變化? ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041069

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波

谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195

三星半導體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14321

FD-SOI與PD-SOI他們的區(qū)別在哪?

本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI
2024-03-17 10:10:36193

意法半導體攜手三星推出18nm FD-SOI工藝,支持嵌入式相變存儲器

據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術,能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術,新工藝大幅度提高了性能指標:能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369

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