三星官網發布新聞稿，三星、高通宣布擴大晶圓代工業務合作，包含高通下一代5G移動芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。

新聞稿指出，通過7納米LPP EUV工藝，驍龍（Snapdragon）5G芯片組可減少占位空間，讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設計。除此之外，結合更先進芯片設計，將可明顯增進電池續航力。

該合作計劃將長達十年，三星將授權“EUV光刻工藝技術”給高通使用，其中包括使用三星7納米LPP EUV工藝技術制造未來的Snapdragon 5G移動芯片組。

去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術7LPP EUV，預期可借此突破摩爾定律的擴展障礙，為單納米半導體技術的發展鋪平道路。對照10納米FinFET制程，三星的7納米LPP EUV工序較少、良率較高，而且面積效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

另外，三星位于華城市（Hwaseong）的7納米廠本周五將動土，預計最快明年量產，但預料趕不上當年度Galaxy S10與Note 10的上市時程。

韓國媒體20日報道稱，三星計劃投入6兆韓圜（相當于56億美元）升級晶圓產能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過10臺EUV光刻設備，由于每臺EUV設備要價皆多達1，500億韓圜，因此僅采購機臺費用就達到3～4兆韓圜。此外三星6nm晶圓廠的建設計劃，也將在近期公布。

相較之下，臺積電今年已開始試產7nm芯片，預定第2季為聯發科推出芯片原型，并于明年初開始全力量產。

臺積電采用5nm先進制程的12寸晶圓廠今年1月26日正式動土，預計第一期廠房明年第一季即可完工裝機、2020年年初進入量產。臺積電公告指出，待2022年第一、二、三期廠房皆進入量產時，年產能預估可超過100萬片十二寸晶圓。