摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
898 
散熱基板之厚膜與薄膜制程差異分析，我們將LED散熱基板在兩種不同制程上做出差異分析,以薄膜制程備制陶瓷散熱基板具有較高的設(shè)備與技術(shù)
2012-02-21 15:29:182107 
進(jìn)行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的，膜沉積的測(cè)量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:591193 美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料本周一表示，計(jì)劃以35億美元價(jià)格（較先前報(bào)價(jià)增加59％），從私募股權(quán)公司KKR手中收購(gòu)規(guī)模較小的日本同行國(guó)際電氣（Kokusai Electric），理由是其前景良好且估值較高。收購(gòu)國(guó)際電氣將使應(yīng)用材料獲得其薄膜沉積技術(shù)。
2021-01-06 10:04:082446 設(shè)備，涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗(yàn)等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示，對(duì)光刻和薄膜沉積設(shè)備的限制更有可能實(shí)施，從而影響中國(guó)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。 ? 2. 分析師：iPhone 15 系列因供應(yīng)問題減產(chǎn)1100 萬(wàn)部 ? 據(jù)報(bào)道，預(yù)計(jì)蘋果將在今
2023-08-28 11:19:30579 
PZT2222A
2023-03-29 21:48:15
陶瓷薄膜傳感器電極引出線焊接問題：尋求傳感器電極引出線焊接，該傳感器尺寸為0.4*0.2*0.01mm，電極PAD0.04*0.04mm，兩個(gè)電極PAD間隙為0.04mm。尋求能夠焊接此PAD的工藝方法或廠家。有意請(qǐng)聯(lián)系QQ:315864969
2018-03-28 16:28:17
希望了解PZT陶瓷薄膜壓電傳感器應(yīng)用解決方案
2018-03-29 11:23:08
各種自動(dòng)關(guān)機(jī)電路技術(shù)分析，不看肯定后悔
2021-05-07 06:00:37
。為了沉積出非常純的薄膜，要求沉積速率高和低氣體(H20、CO2、C0、O2、N2)殘余壓力。對(duì)于真空蒸發(fā)來(lái)說這些條件都不是很難的，比如在10-6 torr 的壓力下蒸發(fā)速率可以達(dá)到1000 ? /s。表
2016-12-08 11:08:43
柔性薄膜鍵盤是薄膜鍵盤的典型形式。這類薄膜鍵盤之所以稱為柔性，是因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">薄膜鍵盤的面膜層、隔離層、電路層全部由各種不同性質(zhì)的軟件薄膜所組成。
2019-10-23 09:11:42
CAN協(xié)議具有哪些特點(diǎn)？CAN協(xié)議的各種幀及其用途有哪些？
2021-11-10 06:58:36
TEM制樣、FIB切割、Pt沉積和三維重構(gòu)聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過結(jié)合相應(yīng)的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種探測(cè)器及可控的樣品臺(tái)等附件成為一
2017-06-29 14:20:28
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-12-12 14:08 編輯
EPCOS耐濕熱型薄膜電容 - 工業(yè)應(yīng)用的新趨勢(shì)對(duì)于安規(guī)電容，IEC60384-14標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于濕熱測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)不能
2017-12-12 11:57:31
一般都是比其他精密電阻差。2.精密薄膜電阻精密薄膜電阻的技術(shù)發(fā)展代表了可以被大量商用的精密電阻技術(shù)，也是目前最流行的精密電阻技術(shù)。通過長(zhǎng)時(shí)間多層的膜層沉積，高精密的調(diào)阻和后期的篩選，最優(yōu)的精密薄膜電阻
2019-04-26 13:55:26
，也是目前最流行的精密電阻技術(shù)。通過長(zhǎng)時(shí)間多層的膜層沉積，高精密的調(diào)阻和后期的篩選，最優(yōu)的精密薄膜電阻可以達(dá)到±2ppm/°C的溫漂和±0.01%的精度，以及很好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。 其缺點(diǎn)是功率做不大，低
2019-08-03 09:22:30
光通信技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)是什么
2021-05-24 06:47:35
技術(shù)的提高，開始涌現(xiàn)出多種制備手段，并且也利用多種技術(shù)制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)（PLD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術(shù)等。某高校實(shí)驗(yàn)室需要驅(qū)動(dòng)的壓電薄膜
2020-06-30 17:31:46
的、獨(dú)立的撞擊到基片表面。表1-1給出了沉淀速率和殘余氣體壓力在影響薄膜中含氧量上的相互作用。根據(jù)氧氣的黏滯系數(shù)（大概在0.1量級(jí)或者更小）可以大概估計(jì)出含氧量密度，然而這些結(jié)果有重要意義。為了沉積出非常純
2016-06-17 14:40:12
）。平面光波導(dǎo)技術(shù)是在集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，有其獨(dú)特的地方。集成電路的基本元件是電阻、電容、電感和晶體管（二極管、三極管），集成電路技術(shù)是在硅襯底上通過薄膜沉積、擴(kuò)散、外延、光刻、刻蝕、退火等
2018-02-22 10:06:53
微波器件的薄膜化過程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。
2019-06-26 08:09:02
是制作薄膜開關(guān)電路最理想的基材。其中有紋理PET適合對(duì)表面要求較高或具有液晶顯示窗的產(chǎn)品。 材料的厚度 塑料基材厚度在0.25mm及以下稱為薄膜，主要用作薄膜開關(guān)的面板層，其背面印有各種指示性的圖案
2012-07-27 09:46:32
電流象、元素的線分布和面分布等提供的信息：斷口形貌、表面顯微結(jié)構(gòu)、薄膜內(nèi)部的顯微結(jié)構(gòu)、微區(qū)元素分析與定量元素分析等掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍：1、材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察2、各種材料形狀、大小
2020-02-05 15:15:16
，微區(qū)形貌觀察2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡(jiǎn)單，不需要包埋和切片。樣品要求：樣品必須是固體
2020-02-06 13:13:24
智能視頻分析技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀如何？“”未來(lái)智能視頻分析技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)怎樣？
2021-06-03 06:44:16
音頻信號(hào)是什么？音頻編碼技術(shù)分為哪幾類？音頻編碼技術(shù)有哪些應(yīng)用？音頻編碼標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展現(xiàn)狀如何？數(shù)字音頻編碼技術(shù)有怎樣的發(fā)展趨勢(shì)？
2021-04-14 07:00:14
汽車電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:33:49
液晶顯示技術(shù)的最新趨勢(shì)是什么？
2021-06-08 06:52:22
驅(qū)動(dòng)技術(shù)國(guó)際發(fā)展趨勢(shì)，電動(dòng)汽車行業(yè)前景來(lái)這幾個(gè)方面來(lái)分析研究電動(dòng)汽車電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)及其發(fā)展?fàn)顩r。通過了解以下內(nèi)容目的是發(fā)現(xiàn)我國(guó)電動(dòng)汽車車用電機(jī)存在的問題，提升我國(guó)電動(dòng)汽車的車用電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的技術(shù)，從而更好的與世界接軌。關(guān)鍵詞：混合電動(dòng)汽車，電動(dòng)機(jī)，驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2016-09-08 19:23:28
:NMKE.0.2010-01-007【正文快照】：1前言隨著納米薄膜技術(shù)的發(fā)展,如今采用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法可以制備出品質(zhì)滿足體聲波器件所需擇優(yōu)取向的PZT壓電薄膜,通過對(duì)其晶向結(jié)構(gòu)和形貌的表征表明,制備
2010-04-24 09:00:23
自動(dòng)化測(cè)試技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)展望分析，不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
藍(lán)牙射頻技術(shù)及其測(cè)試項(xiàng)目有哪些？
2021-06-02 06:24:50
LED的基本原理是什么？LED的技術(shù)趨勢(shì)發(fā)展如何？LED的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)怎樣？
2021-06-03 06:04:07
由于透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)異的光電性能，因而被廣泛地應(yīng)用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
以橋梁模型為例， 利用鋯鈦酸鉛（PZT） 材料的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性， 當(dāng)對(duì)PZT 驅(qū)動(dòng)器施加一定頻率的激勵(lì)使被測(cè)構(gòu)件產(chǎn)生振動(dòng)的同時(shí)， 采集和識(shí)別PZT 傳感器信號(hào)， 即可實(shí)現(xiàn)其故障監(jiān)測(cè)。
2009-06-22 13:38:03
13 采用濺射技術(shù), 對(duì)薄膜沉積的相關(guān)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化, 獲得了電阻溫度系數(shù)TCR≤±10×10- 6ö℃的錳銅薄膜。該項(xiàng)技術(shù)為錳銅傳感器的薄膜化奠定了基礎(chǔ), 同時(shí)也可用于制作錳銅薄膜
2009-06-27 09:32:1619 通過Sawyer2Tower 測(cè)試電路研究了鐵電薄膜的電滯回線,發(fā)現(xiàn)薄膜漏電阻以及示波器輸入電阻和電容的影響可能會(huì)使所測(cè)量的電滯回線發(fā)生形狀扭曲或者使測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)較大偏差,通過
2009-10-07 23:04:5116 PZT薄膜的結(jié)晶特性及紅外特性:采用電子束蒸發(fā)方法在n - Si (100)襯底上制備Pb ( Zrx Ti1 - x )O3 (簡(jiǎn)記為PZT)多晶薄膜. 用X射線衍射分析了PZT薄膜的結(jié)晶擇優(yōu)取向與Zr /Ti成分比、生長(zhǎng)溫度、
2009-10-25 12:18:297 PZT薄膜的制備及特性
2009-10-25 12:28:4818 用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術(shù)在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉積時(shí)氧氣壓力分別為1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度約為300nm。隨后，在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對(duì)
2010-08-03 16:24:350 概述激光測(cè)溫技術(shù)在光學(xué)薄膜制備中的應(yīng)用及其在自動(dòng)化方面的新進(jìn)展。
2010-09-09 15:50:3817 半導(dǎo)體制程之薄膜沉積
在半導(dǎo)體組件工業(yè)中，為了對(duì)所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術(shù)，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類型
2009-03-09 13:23:416889 醫(yī)療電子技術(shù)的現(xiàn)狀及其分析趨勢(shì)
分辨率為16位、采樣速率為170MSPS的ADC，像素?cái)?shù)量為2560*2048、灰階顯示為1786級(jí)的液晶顯示屏……。這些尖端電子技術(shù)正被開發(fā)用
2010-03-03 15:41:56522 微波器件的薄膜化過程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。
2012-06-01 15:48:41977 
薄膜是一種物質(zhì)形態(tài)，清華田民波在《材料學(xué)概論》一書的第十三講，說的就是薄膜技術(shù)及薄膜制備技術(shù)。成膜技術(shù)及薄膜產(chǎn)品在工業(yè)上，特別是電子工業(yè)鄰域有及其重要的地位，在半導(dǎo)體集成電路、電阻器、電容器、激光器
2016-12-14 18:21:430 安防技術(shù)趨勢(shì)分析報(bào)告
2016-12-19 15:29:3124 文獻(xiàn)數(shù)字化技術(shù)的特點(diǎn)及其發(fā)展趨勢(shì)分析_寇清華
2017-03-15 11:23:230 PZT厚膜的電射流沉積研究_王大志
2017-03-19 18:58:180 CIGs薄膜的制備方法 20世紀(jì)70年代Wagner等瞳］利用CulnSe2單晶制備出了最早的CIS太陽(yáng)能電池，其效率可以達(dá)到12％。隨著技術(shù)的發(fā)展多晶薄膜電池成為了主要的發(fā)展方向，相繼出現(xiàn)了共蒸發(fā)
2017-09-27 17:52:427 概述了透明導(dǎo)電薄膜的分類以及ITO薄膜的基本特性，綜述了ITO薄膜主要的制備技術(shù)及其研究的進(jìn)展，并指出了不同制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)。最后對(duì)ITO薄膜的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。 可見光透過率高而又有導(dǎo)電性的薄膜
2017-11-03 10:13:4224 本文詳細(xì)介紹了光收發(fā)模塊的封裝技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)。
2017-11-06 10:51:5658 采用甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù) ，在相對(duì)較高氣壓和較高功率條件下 ，制備了不同硅烷濃度的微晶硅材料。 材料沉積速率隨硅烷濃度的增加而增大 ，通過對(duì)材料的電學(xué)特性和結(jié)構(gòu)特性的分析得知 獲得了
2017-11-08 10:12:5812 微波器件的薄膜化過程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。
工作在微波波段（300～300000兆 赫）的器件。
2019-03-18 14:38:21998 
本文在分析薄膜電路的特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，介紹了幾種典型的薄膜電路在T/R組件中應(yīng)用實(shí)例，分析指出薄膜技術(shù)在T/R組件中應(yīng)用的兩個(gè)新的趨勢(shì)，并給出發(fā)展建議。采用薄膜技術(shù)來(lái)制造薄膜電路是薄膜領(lǐng)域中一個(gè)重要分支
2017-12-12 11:37:077353 近年來(lái)，光伏工業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展的趨勢(shì)，與十年前相比，太陽(yáng)能電池價(jià)格大幅度降低。 隨著技術(shù)的進(jìn)步，薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展將日新月異，在未來(lái)光伏市場(chǎng)的市場(chǎng)份額將逐步提高。作為性能最好的薄膜太陽(yáng)能電池，CIGS 薄膜太陽(yáng)能電池也將迎來(lái)快速發(fā)展時(shí)期。接下來(lái)我們一起了解下關(guān)于CIGS薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
2018-01-24 16:24:3722319 
薄膜是MEMS技術(shù)中最常用的材料和手段，多層膜是將2種以上的不同材料先后沉積在同一個(gè)襯底上，以改善薄膜同襯底間的粘附性。
2018-04-18 11:11:599781 
泛林集團(tuán)宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 （ALD） 工藝，標(biāo)志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS? 產(chǎn)品系列又添新成員。通過業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢（LFW） ALD 工藝，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398 PZT壓電薄膜是構(gòu)成MEMS傳感器和執(zhí)行器的關(guān)鍵技術(shù)，但其制備工藝在過去很難實(shí)現(xiàn)，傳統(tǒng)上主要采用低溫的涂覆方法（溶膠-凝膠法）。然而，在2015年，ULVAC成功開發(fā)出世界上最先進(jìn)的低溫PZT壓電薄膜濺射工藝，并為下一代MEMS技術(shù)持續(xù)研發(fā)該技術(shù)。
2019-08-28 11:47:004932 隨著生產(chǎn)技術(shù)的更新及應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，PZT壓電陶瓷已經(jīng)廣泛進(jìn)入人們的視野，知名度也在不斷升高。 PZT壓電陶瓷具有逆壓電效應(yīng)，即在施加電壓信號(hào)下可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)電壓信號(hào)的微位移，且具有納米級(jí)高分辨率及微秒
2020-05-06 11:53:393747 微波器件的薄膜化過程中會(huì)遇到很多的技術(shù)難點(diǎn)，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點(diǎn)為例來(lái)分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個(gè)性的技術(shù)難點(diǎn)。工作在微波波段（300～300000兆 赫）的器件
2020-08-14 18:52:000 沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù)，其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中，晶圓廠80%的投資用于購(gòu)買設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一，占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 
業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等，其中ALD屬于CVD的一種，屬于當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。
2021-09-03 11:12:421149 
歡迎閱讀《獲得連接》系列博客！在上篇《獲得連接》博客《多點(diǎn)應(yīng)用的 LVDS》一文中，我們介紹了 TIA/EIA-899 或 MLVDS 標(biāo)準(zhǔn)以及一個(gè)典型的最終應(yīng)用。本文我們將探討串行解串器 （SerDes） 以及各種技術(shù)及其應(yīng)用。
2022-01-28 09:16:004819 
薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍(lán)寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線，最后進(jìn)行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類，為物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD
2021-12-22 16:41:067760 摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應(yīng)器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02，cf4/02等離子體放電。推導(dǎo)出了沉積氣體混合物的組成與根據(jù)蝕刻和沉積速率定義的無(wú)量綱數(shù)(EN
2022-01-07 16:19:111028 
本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427 
摘要 本文的目的是建立科技鎖的技術(shù)水平，必須打開科技鎖才能將直接大氣壓等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(AP-PECVD)視為工業(yè)應(yīng)用的可行選擇。總結(jié)了理解和優(yōu)化等離子體化學(xué)氣相沉積工藝的基本科學(xué)原理。回顧
2022-02-21 16:50:111900 
評(píng)估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)，該挑戰(zhàn)基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
薄膜沉積設(shè)備介紹
2022-06-22 15:22:1710 化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的固態(tài)物質(zhì)沉積在襯底材料表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術(shù)。
2022-11-04 10:56:067441 由于 ALD 技術(shù)逐層生長(zhǎng)薄膜的特點(diǎn)，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性和一致性，同時(shí)可以較好她控制其制備薄膜的厚度、成分和結(jié)構(gòu)，因此被廣泛地應(yīng)用在微電子領(lǐng)域。
2022-11-07 10:43:165138 現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)氮摻雜過程需要在氮?dú)獾入x子體的高溫條件下進(jìn)行，但是高溫環(huán)境下的薄膜生長(zhǎng)會(huì)引起電池正極和負(fù)極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實(shí)現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積，但是同時(shí)會(huì)顯著增加氨氣尾氣處理的設(shè)備成本和維護(hù)難度以及安全風(fēng)險(xiǎn)。
2023-01-16 14:09:13644 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導(dǎo)體先進(jìn)制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢(shì)。
2023-02-16 14:36:54556 ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍?cè)诨妆砻娴姆椒ǎ軌驅(qū)崿F(xiàn)納米量級(jí)超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052442 
近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微公司”，上交所股票代碼：688012）推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）設(shè)備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設(shè)備多年、在半導(dǎo)體薄膜沉積領(lǐng)域取得的新突破，也是實(shí)現(xiàn)公司業(yè)務(wù)多元化增長(zhǎng)的新動(dòng)能。
2023-05-17 17:08:41831 。 PVD 沉積工藝在半導(dǎo)體制造中用于為各種邏輯器件和存儲(chǔ)器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應(yīng)用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個(gè)高真空的平臺(tái)，在
2023-05-26 16:36:511751 在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。
2023-06-08 11:00:122192 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
2023-06-15 16:19:212038 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺(tái)形態(tài)的納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學(xué)氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設(shè)備等12種產(chǎn)品。
2023-06-28 10:41:03540 在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37404 
薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學(xué)、電學(xué)等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776 
在半導(dǎo)體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實(shí)也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨(dú)要強(qiáng)調(diào)“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27370 
由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽(yáng)能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性
2023-09-21 08:36:22407 
PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491775 在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率的關(guān)鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術(shù)可較為便捷的制備高純度、高質(zhì)量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項(xiàng)核心技術(shù)
2023-10-10 10:15:53649 隨著科技的進(jìn)步和工業(yè)發(fā)展的需求，對(duì)于壓力測(cè)量和控制的需求日益增加。壓力傳感器作為一種關(guān)鍵的傳感器器件，在機(jī)械、自動(dòng)化、醫(yī)療、航空等多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。PZT陶瓷薄膜壓電傳感器由于其響應(yīng)速度
2023-10-23 17:17:52215 
半導(dǎo)體設(shè)備系列研究-薄膜沉積設(shè)備
2023-01-13 09:06:526 眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從而能夠控制這些性質(zhì)。在薄膜沉積的情況下，微結(jié)構(gòu)特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214 
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界面的表面形貌、晶體質(zhì)量和界面性能進(jìn)行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232 
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個(gè)方向。 PVD主要用來(lái)沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18999 金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù)，兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外，先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒有臺(tái)階覆蓋性的要求，但是后柵極工藝因?yàn)樾枰匦绿畛湓瓉?lái)多晶硅柵極的地方，因此對(duì)薄膜的臺(tái)階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太陽(yáng)能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學(xué)氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽(yáng)能電池的具體問題進(jìn)行針對(duì)性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 薄膜電容是一種常見的電子元件，其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)對(duì)其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對(duì)薄膜電容的工藝與結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的介紹
2024-01-10 15:41:54444 
ITO薄膜在提高異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池效率方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，同時(shí)優(yōu)化ITO薄膜的電學(xué)性能和光學(xué)性能使太陽(yáng)能電池的效率達(dá)到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數(shù)，兩者對(duì)ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20237 隨著智能電子皮膚、健康檢測(cè)、人機(jī)交互等領(lǐng)域的快速發(fā)展，柔性鋯鈦酸鉛（PZT）復(fù)合薄膜壓力傳感器因其出色的柔性和壓電性能而受到研究者的廣泛關(guān)注。
2024-03-17 17:48:29469 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論