規范的產品通常由硅制成,并作為推挽式應用系統的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學水平上工作的機制可能有些復雜,但總的來說,它們用一系列極化離子引導和引導電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析?按照我的理解,在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時,如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊,請各位大俠指點!??!
2016-06-07 23:27:44
判定前:晶體管的選定~貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值?3. 是否在SOA范圍內?4. 在使用環境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀,可以獲得晶體管的實際特性,能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE檔測量。測量時,應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后,再撥至hFE檔,將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中(采用TO-3封裝的大功率晶體管,可將其3個電極接出3根引線后,再分
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數?有的器件有放大倍數改變的參數。另外,不同的仿真模型參數不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管放大電路有3種基本連接方式:共發射極接法、共基極接法和共集電極接法,如下圖所示。一般作電壓放大時,常采用共發射極電路。(1) 在共發射極電路中,發射極為輸入,輸出回路交流公共端。(2) 在
2017-03-30 09:56:34
供應晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關二極管,肖特基二極管,穩壓二極管等。有意都請聯系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
是交流參數。 (2) 4個h參數都是在Q點的偏導數,因此,它們都和Q點密切相關,隨著Q點的變化而變化; (3) h參數是晶體管在小信號條件下的等效參數。 h參數可以從晶體管的特性曲線上近似求得,也可以用人h參數測試儀直接測出。對一般小功率晶體管,h參數的數量級如圖Z0213所示。
2021-05-13 07:56:25
是晶體管的直流電流放大系數,是指在靜態(無變化信號輸入)情況下,晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等,但兩者含義是有明顯區別的,而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
(電阻器)組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此,晶體管也俗稱"石",設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求,ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進行的,因此存在個別不吻合的內容。請理解為整體的傾向、特征。另外,這些晶體管的結構、工作原理與代表性的參數如下。雙極晶體管(圖中以NPN為例)由PN結組成,通過在基極流過電流,而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相關的參數,以及雙極晶體管的集電極-發射極相關的參數。 基本工作特性比較 這三種晶體管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相對于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作開關,因此一般盡量在Vce/Vds較低的條件下使用。這是在使用的電路條件下,探討哪種晶體管最適合時的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加,(2)技術上的簡化,(3)晶體管的復合——達林頓,(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
晶體管的電參數可分為哪幾種?晶體管的電參數在實際使用中有何意義?
2021-06-08 06:11:12
之間)和發射結(B、E極之間),發射結與集電結之間為基區。 根據結構不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等)電路中使用的高頻晶體管,可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管,例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
強弱??刂颇芰?,則放大大。但如果要從晶體管內部的電子、空穴在PN結內電場的作用下,電子、空穴是如何運動的、晶體管的內電場對電子、空穴是如何控制的等一些物理過程來看,就比較復雜了。對這個問題,許多
2012-02-13 01:14:04
關于晶體管ON時的逆向電流在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問】圖中的晶體管驅動電路,在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯的二極管D2,說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產生的的正脈沖通過D2,直接驅動MOSFET管Q2,達到提高導
2018-07-09 10:27:34
,滿足未來輕薄化的需求?! ?b class="flag-6" style="color: red">芯片晶體管橫截面 到了3nm之后,目前的晶體管已經不再適用,目前,半導體行業正在研發nanosheet FET(GAA FET)和nanowire FET(MBCFET
2020-07-07 11:36:10
輸出為1瓦至600瓦。產品型號: AM81214-030產品名稱:晶體管AM81214-030產品特性內部輸入/輸出匹配網絡PG=7.2 dB,在5 W(峰值)/ 1400 MHzOMNIORD金屬化
2018-07-17 15:08:03
Finfet技術(3D晶體管)詳解
2012-08-19 10:46:17
2022 年,四分之三的芯片市場仍然只需要 12 納米工藝。所以改進現有技術所需的資源比研發 7 納米甚至 5 納米工藝要少得多。終止了7納米、甚至是5納米/3納米的制造工藝研發,將利于GF集中
2018-09-05 14:38:53
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下,所有設備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`產品型號:IB3042-5產品名稱:晶體管Integra于1997年由一些企業工程師發起,他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用
2019-04-15 15:12:37
在本文中,我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管?! ∑矫媾c三維 (3D) 平面MOSFET(圖1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前,我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳,它將是集電極(c),基極(b)和發射極(e)。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
低功耗設計中,晶體管控制電路會對電路產生一定的影響。無論是NPN還是PNP,晶體管的PN結都會有漏電流。當I/O控制基極電壓時,為了穩定基極電壓,一般在NPN開關電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP開關電路的設計中,基極增加了一個下拉電阻。上拉和下拉電阻根據控制芯片、晶體管和電路電壓進行選擇。
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中,兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉,使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
的金屬間距,從而實現了業內最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進展英特爾高級院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節,展現了英特爾的技術領先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍,然后在集電極以Ic形式輸出。(2)場效應晶體管含義:原件要比晶體管小得多晶體管就是一個小硅片 但是場效應晶體管的結構要比晶體管的要復雜場效應管的溝道一般是幾個納米
2019-04-09 11:37:36
變化對系統的積極作用 凡事都有兩面性,雖然芯片中晶體管的老化對電子產品不是好事,但其功耗卻隨著時間的推移而降低,這是英國南安普頓大學電子工程教授Bashir Al-Hashimi在一系列仿真和試驗后
2017-06-15 11:41:33
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝,也可以封裝在非常小的區域內,容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術)嚴格來說,晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件,包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現?! ?b class="flag-6" style="color: red">在許多透明電子系統中,晶體管都是至關重要的部件。如今,這種器件通常是薄膜晶體管形式,由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成?! 〔贿^,薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對,由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導率。 鰭式場效應晶體管是一種非平面器件,即不受單個平面的限制。它也被稱為3D,因為具有第三維度?! 楸苊饣煜仨毩私獠煌奈墨I在提及鰭式場效應晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教:單結晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學習單結晶體管,按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真,大多數都不成功,請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下,基極-發射極結(稱這個PN結為“發射結”)處于正向偏置狀態,而基極-集電極(稱這個PN結為“集電結”)則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
的時候gate電壓不足,引起導通不夠徹底,從而增加功耗。3、場效應晶體管雙電壓應用:在一些控制電路中,邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓,而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方
2019-04-16 11:22:48
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
`場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。(2
2009-04-25 15:43:51
區域,而粉紅色陰影區域表示截止區域?! D1. 晶體管工作區 這些區域定義為: ? 飽和區域。 在這個區域,晶體管將偏置最大基極電流,用于在集電極上實現最大電流,在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
個晶體管的偏置。我的問題是,我必須在兩個晶體管的漏極處獲得3V和60mA,在兩個晶體管的柵極處獲得一些毫伏電壓,這就是我想要的。但我得到(如下圖所示)紅色環#2處的#1,0v和0mA處的紅色環處的3
2019-01-14 13:17:10
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測晶體管的性能?怎樣去檢測特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區別是什么?例如《晶體管電路設計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F在產品設計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
3伏,Ids = 60mA)下實現了偏置。但是我無法在Vds和Ids = 60 mA時在X1晶體管(如圖所示)上實現3伏電壓的差異。我按照Active_Feed_Example的例子連接了連接晶體管
2018-12-27 16:09:48
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
晶體管為保持ON狀態的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1:由0開始依次加入輸入電壓。2:達到1.8V時,數字晶體管啟動。3:因在規格書規定的3V(min) 以下,故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
額定值,在不超過VIN(max)條件下,數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上",僅用IC標記沒有問題,但結合客戶實際使用狀態,合并
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一,普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外,三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
突破現有的邏輯門電路設計,讓電子能持續在各個邏輯門之間穿梭。此前,英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管,現在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面,它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
(電阻器)組成。構成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質。因此,晶體管也俗稱"石",設計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求,ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
更短的死區時間,較低的磁化電流導致較低的反向傳導損耗。在狀態3下,當驅動信號VGSL為高電平時,晶體管的ZVS實現,并且沒有開關導通損耗。在狀態4時,晶體管以從漏極到源極的正向電流導通。在此狀態下
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+,鍵3-,鍵4修改鬧鐘時間,再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+,鍵3-,鍵4修改鬧鐘時間,以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤,我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了?!罢!狈绞绞怯?1:基極,2:發射極,3:集電極,但我需要一個晶體管,1:基極,2:集電極,3:發射極。引腳號與此圖像相關:你知道有這種封裝的晶體管嗎?我知道我可以將它倒置并旋轉,但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
的晶體管特性曲線,其線條數與階梯波的級數相同。在每一個循環周期中,電容c4的充電次數由C4 與C3 的比值決定,在本電路中,C4/C3 =5 ,所以階梯波的級數為5 級,調節c4可改變階梯波的級數。本
2008-07-25 13:34:04
如果說起來,電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是,如今電子管在電子電路設計領域中的地位已經漸漸地被晶體管所取代,只有在少數對于音頻質量有著極高要求的產品中,才會出現電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
Ib放大β倍,然后在集電極以Ic形式輸出。二、場效應晶體管:原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個小硅片.但是場效應晶體管的結構要比晶體管的要復雜.場效應管的溝道一般是幾個納米,也就是說場效應晶體管
2019-03-27 11:36:30
程控單結晶體管(PUT)具有敏發炅敏度高、速度快、功耗低和動態電阻小等優點,因此廣泛應用于各種脈沖電路和晶閘管控制系統。PUT張弛振蕩電路上圖是PUT的基本張弛振蕩電路。它和普通單結晶體管張弛
2018-01-23 11:47:39
比如華為的麒麟芯片晶體管數量、功耗控制,芯片內總線連接?澎湃芯片的失敗是不是它的研發團隊在這些方面的不足?
2020-03-15 17:31:09
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
控制電路。有了前面的這些基礎,下面再加入一個新的電路需求,用晶體管實現過流保護電路。感興趣的同學可以先不要往下看,自己在腦海中想一想,看看有沒有火花迸出來。圖2一個PNP、NPN控制負載圖3《電子學
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
英飛凌科技公司(Infineon),設在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發出全球最小的納米晶體管,其溝槽長度僅為18納米,幾乎是當前最先進的晶
2006-03-11 22:10:39993 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術。
2013-02-20 23:04:307799 斯坦福大學發布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會走到道路的盡頭。晶體管越做越小,以至于它不能夠容納下足夠的硅原子來展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:491953 IBM宣布在晶體管的制造上獲得了巨大的突破,運用最新工藝研制出了300億個5納米晶體管。和10nm芯片對比同等效率下,5納米芯片可以節省74%電能。
2017-12-27 12:39:19995 現如今,市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學院微電子研究所微電子設備與集成技術領域的專家殷華湘說,他的團隊已經研發出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度,在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數百億個這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275171 近日,中科院對外宣布,中國科學家研發出了新型垂直納米環柵晶體管,這種新型晶體管被視為2nm及一下工藝的主要技術候選。這意味著此項技術成熟后,國產2nm芯片有望成功“破冰”,意義重大。
2020-01-15 09:40:328863 過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點,其突破性的 2?納米芯片技術顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天,晶體管的標準長度是10納米,而且隨著最新研究,頂級公司已經生產了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35436 5納米是指芯片的特征尺寸,特征尺寸越小,制造出來mos管就更小,成本也就更低。5納米芯片意味著芯片更小,在單位面積內晶體管更為密切,功耗也更低。
2022-06-29 16:59:1441808 在芯片設計和制造中,納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離,在體積相同大小的情況下,7納米工藝的芯片容納的晶體管的數量,幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 芯片為啥不能低于1納米 芯片可以突破1納米嗎? 從計算機發明以來,芯片技術已經有了數十年的發展,從最初的晶體管到如今的微米級或納米級芯片,一直在不斷地創新?,F在,隨著計算機技術的日益發展,芯片的尺寸
2023-08-31 10:48:313378
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