最先發表演講的是夏普。演講內容是已在2009年12月舉行的學會“International DisplayWorkshops（IDW）”上公開過的、使用透明氧化物半導體IGZO（In, Ga, Zn,O）的2.6英寸QVGA（320×240像素素）TFT液晶面板。夏普稱，這種面板解決了IGZO濺射工藝穩定性及IGZO-TFT可靠性兩方面的問題。夏普還稱，IGZO-TFT的可靠性可與普通TFT液晶面板使用的非結晶硅TFT相當。試制的液晶面板為TN模式、灰階為6bit、對比度為300:1.該公司還將試制面板帶入會場內的展示區，現場演示了彩色影像的顯示情況。

　　韓國雙雄LG和三星展開競爭

　　兩家韓國公司均首次公開了新數據。LG顯示器首先發表了演講，演講內容包括，（1）在刻蝕阻擋層（EtchStopper）中采用SiO2的IGZO-TFT;（2）在IGZO層上形成TiOx膜的新結構IGZO-TFT的開發。

　　關于（1）中提及的SiO2刻蝕阻擋結構的IGZO-TFT,LG提到了原來存在的問題--“光對TFT特性造成的影響”,并稱“即使在4500cd/m2亮度的背照燈光條件下，也可確保充分的可靠性”.另外，關于外光及溫度的影響，LG稱沒有問題。LG目前正在使用這種IGZO-TFT,開發15英寸電視用有機EL面板。每個像素由5個晶體管和兩個電容器組成。像素數為1366×768,亮度為200cd/m2.

　　至于（2）中提到的設有TiOx膜的IGZO-TFT,LG稱與SiO2刻蝕阻擋結構的IGZO-TFT相比，制造工藝簡單，而且成本低。該公司此次還提到了IGZO-TFT的性能及可靠性，稱“與SiO2刻蝕阻擋結構的IGZO-TFT相當”.據稱遷移率可達到9cm2/Vs以上。

　　三星電子的演講內容包括，（a）基于6步光掩模工藝的刻蝕阻擋結構IGZO-TFT的開發；（b）在液晶面板的底板使用IGZO-TFT時的長期可靠性；（c）IGZO-TFT面板的試制等三個方面。關于（a）中提到的基于6步光掩模工藝的刻蝕阻擋結構IGZO-TFT,三星稱可開發出高性能TFT.該公司表示，能夠獲得遷移率為5~7cm2/Vs、NBTS（negativebias temperature stress）穩定性低于1V的出色性能。據稱光對斷態電流產生的影響也小于非晶硅TFT,而且十分穩定。