三星將大批量生產30納米DDR3 DRAM內存芯片
據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內存芯片已經適合消費者使用，準備應用到產品中。
三星稱，2GB DDR3內存芯片耗電量比用50納米生產技術制造的內存芯片的耗電量減少了30%，生產成本效率提高了一倍多。三星用于筆記本電腦、臺式電腦和服務器的2GB DDR3內存芯片只使用1.5伏或1.35伏電源。
據經營在線內存芯片市場的DRAMeXchange Technology稱，由于DDR3內存芯片降低了耗電量和提供了速度，DDR3內存可能會在本季度取代其以前的產品DDR2內存。PC廠商正在積極地推動在筆記本電腦和服務器中使用這種內存芯片。
使用30納米生產技術將使三星電子領先于競爭的DRAM內存廠商。三星電子稱，其30納米DDR3芯片將在今年下半年大批量生產，并且計劃在2010年年底之前將這種新的技術應用到大多數內存芯片生產中。
英特爾和美光科技的合資企業IM Flash Technologies是領先于三星的少數幾家公司之一。這個公司正在使用25納米技術生產閃存芯片。這家公司不生產DRAM內存芯片。
三星稱，在DDR3內存芯片生產中，30納米技術比老式的40納米技術的生產效率提高了60%。芯片廠商一般不會把節省的成本立即提供給消費者，因為他們首先需要收回推出這個技術所需要的大規模的投資。
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(責任編輯：發燒友)
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