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薄膜光伏太陽能2013年占整體模塊市場(chǎng)30%以上

2009-11-10 08:59本站整理 Greg Shepp我要評(píng)論(0我要去社區(qū)論壇 ->

薄膜光伏太陽能2013年占整體模塊市場(chǎng)30%以上

據(jù)iSuppli 公司,盡管歐洲光伏(PV)裝機(jī)市場(chǎng)正在經(jīng)受全球經(jīng)濟(jì)衰退的打擊,但薄膜光伏技術(shù)的發(fā)展欣欣向榮,將來可能推動(dòng)歐洲光伏市場(chǎng)增長。

盡管去年多晶硅的合同價(jià)格下挫逾50%,但薄膜太陽能模塊市場(chǎng)前景依然樂觀。 iSuppli 公司預(yù)測(cè),到2013 年,薄膜光伏太陽能模塊將占到整體模塊市場(chǎng)的30%以上,2008 年該比例為14%。


2008-2013 年薄膜占全球光伏模塊產(chǎn)量比例的預(yù)測(cè),按功率計(jì)算。

First Solar Inc.已經(jīng)有力地證明了薄膜市場(chǎng)的生存能力。該公司今年躍居全球最大的太陽能面板制造商,產(chǎn)量超過10 億瓦。同時(shí),該公司已經(jīng)把每瓦生產(chǎn)成本降到不足90 美分,大約是硅晶體模塊生產(chǎn)商的一半。

簡要背景

大多數(shù)太陽能電池板由結(jié)晶硅片制成,采用180-230 微米的多晶硅。相反,薄膜面板通過在基板上沉積多層其它材料制成,厚度為幾微米。兩種技術(shù)之間的主要差異在于效率與每瓦發(fā)電成本。薄膜面板在把陽光轉(zhuǎn)變成電力時(shí)效率較低,但其制造成本也明顯較低。值得注意的是,薄膜在安裝空間有限時(shí)處于劣勢(shì),如住宅屋頂。薄膜安裝可能需要多占15-40%的空間才能達(dá)到與結(jié)晶硅相同的整體系統(tǒng)功率輸出。這往往限制其在某些應(yīng)用領(lǐng)域的吸引力。

價(jià)格學(xué)習(xí)曲線

預(yù)計(jì)明年薄膜模塊的平均價(jià)格將下降至1.40 美元,低于2009 年的1.70 美元。2010 年結(jié)晶硅面板的平均價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)下降至2.00 美元,今年是2.50 美元。iSuppli 公司預(yù)測(cè),到2012 年,結(jié)晶硅將在一定程度上縮小這種價(jià)格差距,因?yàn)樗墓⿷?yīng)商都財(cái)力雄厚,他們不斷在資本支出、技術(shù)研發(fā)和改進(jìn)生產(chǎn)工藝方面投入巨資。

薄膜光伏技術(shù)有很多種。他們的效率大多低于10%,但有些在實(shí)驗(yàn)室可以達(dá)到15%以上。其中有些技術(shù)被稱為單結(jié),使用一個(gè)二極管。最近發(fā)展到使用多個(gè)結(jié)相互疊加在一起,也稱為串聯(lián)和三結(jié),這樣可以通過使用不同的材料組合或結(jié)吸收更寬的光譜。

這些技術(shù)大多依賴于化學(xué)氣相沉積(CVD)或絲網(wǎng)印刷衍生出來的工藝,把各層材料沉積在不同的基板上,即玻璃和各種塑料。最近出現(xiàn)的一些技術(shù)使用噴墨打印之類的方法,以更快地沉積材料。推動(dòng)薄膜技術(shù)加速發(fā)展的另一個(gè)因素,是應(yīng)用材料、歐瑞康和Centrotherm 等公司提供更多的一攬子生產(chǎn)線。

基于硅的薄膜包括非晶(aSi)與微晶硅(μSi)的各種組合,主要根據(jù)成本和光吸收能力進(jìn)行權(quán)衡。處于開發(fā)或早期生產(chǎn)階段的是染料敏化太陽能電池(DSSC),它使用吸光染料。一家名為G24i 的公司宣稱已率先把這項(xiàng)技術(shù)商業(yè)化。有機(jī)/聚合物技術(shù)也正在開發(fā)之中,有報(bào)告稱實(shí)驗(yàn)室效率接近7%。經(jīng)過多年的技術(shù)和生產(chǎn)工藝開發(fā),CIS/CIGS(銅銦鎵二硒/銅銦鎵鎵二硒)技術(shù)今年已經(jīng)開始大量出貨。Nanosolar 是該領(lǐng)域最引人注目的公司之一,在9 月宣布開始利用其高產(chǎn)量卷繞式生產(chǎn)工藝批量出貨,開始履行41 億美元訂單。

碲化鎘(CdTe)是當(dāng)今最大的商業(yè)薄膜技術(shù),F(xiàn)irst Solar 是主要供應(yīng)商。 按功率計(jì)算,CdTe 占2009 年薄膜產(chǎn)量的53%。它將繼續(xù)是占主導(dǎo)地位的薄膜技術(shù),但iSuppli 公司預(yù)測(cè),先進(jìn)的aSi/μSi技術(shù),即串聯(lián)和三結(jié),以及CIS/CIGS 技術(shù),到2013 年會(huì)與碲化鎘平分秋色。  


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