新思科技與中芯國際合作推出 DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
-- 用于中芯65納米 LL 工藝技術(shù),獲得 USB 標(biāo)志認(rèn)證
-- 通過芯片驗(yàn)證的 DesignWare PHY IP 降低了風(fēng)險(xiǎn),易于集成到系統(tǒng)芯片中
美國加利福尼亞州山景城和中國上海2010年5月13日電 /美通社亞洲/ -- 全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造軟件和知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司(納斯達(dá)克交易代碼:SNPS)和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0981.HK)今天宣布開始提供用于中芯國際65納米 (nanometer) 低漏電 (Low-Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得 USB 標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare(R) USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán) (IP)。作為一家提供包括控制器、PHY 和驗(yàn)證 IP 等 USB2.0接口完整 IP 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,新思科技繼續(xù)致力于通過提供高品質(zhì)IP助力設(shè)計(jì)人員降低集成風(fēng)險(xiǎn),這些 IP 具備了驗(yàn)證過的互操作性,并與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范設(shè)計(jì)兼容。
DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP 專為各種高市場容量移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實(shí)現(xiàn)面積最小、低動(dòng)態(tài)和泄漏功耗等特性。此外,DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP 內(nèi)建了調(diào)整電路,可支持快速的、芯片加工后的調(diào)整,以應(yīng)對意外的芯片/電路板寄生或工藝變化,而無需用戶對現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。這一特性使得設(shè)計(jì)人員能夠提高良品率,并最大限度地降低昂貴的芯片改版成本。
“新思科技經(jīng)過硅驗(yàn)證的 DesignWare USB2.0 nanoPHY IP 與中芯國際的低漏電65nm 工藝技術(shù)相互融合,使得我們雙方的客戶能夠容易地將先進(jìn)功能集成到可幫助他們滿足低功耗要求、實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵上市時(shí)間目標(biāo)和快速投入量產(chǎn)的工藝中,”中芯國際高級副總裁兼首席業(yè)務(wù)官季克非表示,”近來,客戶充分利用中芯國際65納米 LL 工藝和新思科技 USB2.0 nanoPHY IP 在硅晶片領(lǐng)域大獲成功,這讓我們信心倍增。我們將加強(qiáng)與新思科技的戰(zhàn)略和協(xié)同關(guān)系,利用我們業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的集成、功率效率和性價(jià)比,為我們的客戶提供明顯領(lǐng)先的優(yōu)勢。我們期待著與新思科技一如既往地開展持續(xù)合作,并向更先進(jìn)的工藝制程邁進(jìn)。”
“隨著新思科技面向 SMIC 65 nm LL 工藝技術(shù)的高品質(zhì) DesignWare USB2.0 nanoPHY 的上市,我們將繼續(xù)向設(shè)計(jì)人員提供他們滿足當(dāng)今制造工藝要求所需的知識產(chǎn)權(quán),”新思科技解決方案集團(tuán)營銷副總裁 John Koeter 表示,“我們通過與中芯國際合作,在其65 nm LL 工藝中對我們的 USB 2.0 nanoPHY IP 進(jìn)行硅驗(yàn)證。這種做法為我們的客戶提供了成熟的、經(jīng)過認(rèn)證的 IP 解決方案,使他們能夠在集成 DesignWare IP 的過程中降低所面臨的風(fēng)險(xiǎn),并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。”
關(guān)于 DesignWare IP
新思科技有限公司是用于系統(tǒng)級芯片 (SoC) 設(shè)計(jì)的高質(zhì)量、經(jīng)生產(chǎn)驗(yàn)證的接口和模擬IP解決方案的領(lǐng)先提供商。Synopsys 廣泛的產(chǎn)品系列提供了完整的連接 IP 解決方案,包括控制器、PHY 和驗(yàn)證 IP,適用于眾多已廣泛應(yīng)用的協(xié)議,如 USB、PCI Express、DDR、SATAHDMI、MIPI 和以太網(wǎng)等,3G DigRF, CSI-2 and D-PHY。模塊 IP 系列產(chǎn)品包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、音頻編解碼器、視頻模擬前端、觸摸屏控制器和其它許多產(chǎn)品。此外,Synopsys 還提供用于構(gòu)建虛擬平臺的 SystemC 事務(wù)級模型,可用于軟件的快速開發(fā)以及芯片生產(chǎn)前的開發(fā)工作。在強(qiáng)有力的 IP 開發(fā)方法支持下,以及憑借在質(zhì)量和全面技術(shù)支持方面的大力投入,新思科技有限公司讓設(shè)計(jì)人員能夠加快產(chǎn)品上市周期和減少集成風(fēng)險(xiǎn)。如需有關(guān) DesignWare IP 的更多信息,敬請?jiān)L問:http://www.synopsys.com/designware 。同時(shí)也可在 Twitter 上了解我們的最新消息:http://twitter.com/designware_ip 。
關(guān)于新思科技有限公司新思科技有限公司 (Synopsys, Nasdaq:SNPS) 是全球電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 (EDA) 行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,為全球電子市場提供用于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造的軟件、知識產(chǎn)權(quán) (IP) 和服務(wù)。Synopsys 的全面解決方案將其在實(shí)施、驗(yàn)證、IP、制造和現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 等方面的產(chǎn)品組合集于一體,幫助設(shè)計(jì)師和制造商解決了當(dāng)前面對的各種關(guān)鍵挑戰(zhàn),如功率消耗、良率管理、軟件到芯片 (software-to-silicon) 驗(yàn)證以及實(shí)現(xiàn)時(shí)間。這些技術(shù)領(lǐng)先的解決方案幫助Synopsys的客戶建立了一個(gè)競爭優(yōu)勢,既可以將最好的產(chǎn)品快速地帶入市場,同時(shí)降低成本和進(jìn)度風(fēng)險(xiǎn)。Synopsys 的總部位于加利福尼亞州的 Mountain View,并且在北美、歐洲、日本、亞洲和印度擁有超過65家辦事處。如需獲得更多信息,請登陸 http://www.synopsys.com 。Synopsys 和 DesignWare 均為 Synopsys 公司的注冊商標(biāo)。本新聞稿所涉及的所有其它商標(biāo)或注冊商標(biāo)的知識產(chǎn)權(quán)均歸屬其相應(yīng)所有者。
關(guān)于中芯國際
中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)合交易所股票代碼:981),是世界領(lǐng)先的集成電路芯片代工企業(yè)之一,也是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠,在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中,在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務(wù)和設(shè)立營銷辦事處,同時(shí)在香港設(shè)立了代表處。此外,中芯代成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司經(jīng)營管理一座200mm 芯片廠,也代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座300mm 芯片廠。詳細(xì)信息請參考中芯國際網(wǎng)站 http://www.smics.com
安全港聲明
(根據(jù)1995私人有價(jià)證券訴訟改革法案)
本次新聞發(fā)布可能載有(除歷史資料外)依據(jù)1995美國私人有價(jià)證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃根據(jù)中芯對未來事件的現(xiàn)行假設(shè)、期望及預(yù)測而作出。中芯使用“相信”、“預(yù)期”、“打算”、“估計(jì)”、“期望”、“預(yù)測”或類似的用語來標(biāo)識前瞻性陳述,盡管并非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導(dǎo)致中芯實(shí)際表現(xiàn)、財(cái)務(wù)狀況和經(jīng)營業(yè)績與這些前瞻性聲明所表明的意見產(chǎn)生重大差異的已知和未知的重大風(fēng)險(xiǎn)、不確定因素和其他因素,其中包括當(dāng)前全球金融危機(jī)的相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)、未決訴訟的頒令或判決,和終端市場的財(cái)政穩(wěn)定。
投資者應(yīng)考慮中芯呈交予美國證券交易委員會(huì)(“證交會(huì)))的文件資料 ,包括其于二零零九年六月二十二日以20-F 表格形式呈交給證交會(huì)的年報(bào),特別是在“風(fēng)險(xiǎn)因素”和“管理層對財(cái)務(wù)狀況和經(jīng)營業(yè)績的討論與分析”部分,并中芯不時(shí)向證交會(huì)(包括以6-K 表格形式),或聯(lián)交所呈交的其他文件。其它未知或不可預(yù)測的因素也可能對中芯的未來結(jié)果,業(yè)績或成就產(chǎn)生重大不利影響。鑒于這些風(fēng)險(xiǎn),不確定性,假設(shè)及因素,本次新聞發(fā)布中討論的前瞻性事件可能不會(huì)發(fā)生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明,因其只于聲明當(dāng)日有效,如果沒有標(biāo)明聲明的日期,就截至本新聞發(fā)布之日。除法律有所規(guī)定以外,中芯概不負(fù)責(zé)因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況,亦不擬,更新任何前瞻性陳述。
消息來源 中芯國際集成電路制造有限公司