隨著降低環境負荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發展的功率元器件市場，采訪了曾在德國英飛凌大幅提高了該業務的業績并負責該公司戰略發展、并購及營銷的管理委員會成員阿瓦加伊?米塔爾（ArunjaiMittal）。

　　――您如何看待功率元器件市場？

　　米塔爾：功率元器件市場今后還將繼續增長。但增長空間會因采用功率元器件的各用途情況的不同而異。

　　――SiC作為新一代材料而備受關注。請介紹一下其優勢。

　　米塔爾：SiC的主要優勢是，可以提高效率，并提高輸出功率密度。而且，還適合高溫運行，所以冷卻機構可簡化。由于還能實現高速開關動作，因此被動元器件的尺寸可縮小。

　　――SiC市場將會如何？

　　米塔爾：我認為SiC市場今后還會擴大。然而因材料費較高，單個元器件還很昂貴。因此，如果不在采用SiC功率元器件會在多大程度上改變系統的成本這一點上得到用戶的認可，就不可能很快擴大應用。例如，雖然元器件成本升高，但通過使用SiC而使冷卻機構得以簡化，使系統整體的成本與原來相同，或者低于以前。因冷卻機構的簡化，所用的銅等材料也可減少。據認為今后地球上銅、鐵及石油等多種資源的供求形勢會比現在還要嚴峻。惟其如此，更需要盡量減少冷卻機構等使用的部材，而在需要降低整體系統成本的用途上，我認為可以采用SiC。

　　――請介紹一下SiC適合的用途。

　　米塔爾：SiC適合的領域，有前述那樣希望減少冷卻機構的用途、要求高轉換效率及輸出功率密度的用途，以及要求以高頻率開關的用途等。例如，光伏發電系統就適合采用SiC。這是因為該領域要求盡量提高效率。除了提高太陽能電池板的光電轉換效率之外，還要求轉換并輸送電力的部分降低損耗。這里可發揮SiC的低損耗性作用。

　　――最近，貴公司決定推出SiC制JFET。

　　米塔爾：我們數年前就開始在提供SiC制JFET的樣品。此次終于推出了產品。決定推出產品的原因是，我們在SiC方面積累了不少技術經驗，且正好趕上了制造成本比以前還要低的時機。JFET與MOSFET相比，最大的優勢在于，因去掉了柵極氧化膜，所以不會發生因之而起的可靠性降低。

　　――在SiC備受關注的同時，新涉足用SuperJunction（SJ）構造的Si制MOSFET業務的企業在增加。

　　米塔爾：節能領域是一個增長市場。因此，從事SJ型MOSFET業務的企業也在不斷增加。傳統型MOSFET的封裝面積有限，在這樣的面積中制作損耗更小的元器件存在限制。因此，采用SJ構造的企業才會不斷增加。我想對新涉足SJ構造MOSFET業務的企業說聲“Goodluck！”。這句話含有兩層意思。一個是希望這種MOSFET能夠有助于解決地球能源問題。另一個是希望這些企業“好好干”。但我們（英飛凌）在SJ構造MOSFET方面擁有豐富的經驗。

　　――關于Si制IGBT，有意見認為性能提高的潛力變小了。

　　米塔爾：IGBT性能的提高確實被認為正在接近極限。但或許會發生“硅反擊戰”，而不是星球大戰“帝國反擊戰”。