mos管簡介

　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

　　TTL連接線是用于相機與閃光燈離機專用的熱靴來相連接線，通常還會把它叫做閃光燈離機連接線、TTL線、快門連接線、離機連接線等等，有很多種叫法。

　　如何用ttl驅動mos管

　　工作頻率和驅動信號的占空比不是很大，并且VMOS的功率規格也不是很大時，普通并不需求為VMOS配置特地的驅動電路。通用的CMOS半導體（互補金屬氧化物品體管邏輯IC）、TTL（晶體管邏輯）集成電路、常見的PWM專用IC的輸出級都能夠直接驅動VMOS。這種驅動方式普通適用于驅動信號的產生及控制電路與VMOS構成的功率級電路共地的狀況。

　　TTL集成電路的邏輯電平為5V，輸出級通常由BJT（雙極性晶體管）組成，信號普通從集電極輸出，這就是常說的“集電極開路輸出”，當然，輸出級也有采用MOSFET的，這就是“開漏輸出”。上述開路輸出方式需求外部電路配置偏置電阻，以樹立工作點，限定輸出電流。

　　通用IC的峰值電流驅動才能通常都不會超越1A，這是限制其驅動才能的主要要素。圖中的上拉電阻R3決議了驅動才能的大小和性能。R4是柵極泄放電阻，作用是在柵極驅動信號沒有時疾速泄放掉輸入電容的電荷。R4越小越有利于VMOS的疾速關斷，但是義會增加控制電路的驅動擔負，普通而言，R4的取值不應該小于控制電路的輸出阻抗。

　　在驅動才能有限的條件下，為了減小引線寄生電感的影響，VMOS間隔控制電路越近越好。為了防止柵極電流對控制電路的影響，圖中的旁路（ Bypass）電容也是引薦要采剛的，普通采用聚酣、CBB、瓷片等無極性電容，容量為0.1~lμF即可。

　　采用TTL集成電路驅動MOS另一個需求留意的問題是，工作電壓至少要高于VMOS的開啟電壓VGS（th），而且要保證圖中A點的驅動電壓高于開啟電壓。用CMOS來驅動根本上不需求思索這樣的問題，由于此類Ic能夠提供12V左右的信號電平。

　　TTL和CMOS集成電路自身能夠搭接成振蕩電路，產生方波等信號，因此，除了功用上沒有專用的PWM強大以外（通常的主要區別是維護電路），在簡單的應用中是很便當的。

　　圖5. 72中的TTL和CMOS電路符號畫成了（邏輯）門電路的方式。門電路輸出的波形十分規整，關于方波而言，就是十分“方”的波形，十分合適驅動開關電路廠作，只是功率輸出才能有限，普通稱之為“電平信號，常見的邏輯門電路符號如圖5.73所示，關于它們的概念，很容易找到相關的公開材料，也不是本書討論的主要內容，在此不再贅述。

　　專用的PWM集成電路針對詳細的應用增加了一些適用的功用，經典的型號莫過于UC3842，TL494了，它們當然也能夠直接驅動VMOS。這些IC的輸出級普通為“圖騰柱”電路，驅動才能更強，像TL494的輸出級，既可以提供圖騰柱輸出，也能夠提供集電極升路輸出。

　　圖騰柱屬于推挽電路，因而能夠主動對VMOS的柵極停止放電，這樣一來，柵極泄放電阻能夠省略，也能夠取比擬大的數值，以防萬一。假如IC內部的驅動才能缺乏，外部能夠增加擴流電路，常見的電路方式也是圖騰柱的電路。關于集電極開路輸出的IC，如TTL集成電路，外接擴流電路時，通常并不從集電極取信號，而是從發射極取信號，這樣—來，內部的集電極開路輸出級就變成了射極跟隨器，既降低了輸出阻抗，也有利于開關速度的進步。

　　擴流電路普通用來驅動大電流規格的VMOS，為了減小驅動控制電路與功率級電路之間的互相干擾，通常會采用各自獨立的電源。為了簡化圖線的相互穿插以有利于讀圖，地（也稱為參考點）和電源也會在恰當的中央分別畫出，這種畫法疏忽了連線的電阻以及阻抗，最初多見于歐美電路原理圖中。在實踐布線時，應該留意它們的影響。

　　Q3、Q4既能夠采用通用的小功率晶體管，也能夠采用小功率互補對管，如FPQ6502等等。