??? 具有信號放大功能的3個端子的半導體器件。作為電流載體，有利用電子及空穴兩個載子的雙極晶體管，以及只利用電子或空穴任何一種的場效應管（FET）。

??? 晶體管的分類???

雙極晶體管中根據(jù)半導體的組合方式分為NPN型和PNP型。另一方面，場效應管因結構而分為接合型場效應管（結構FET）和MOS型場效應管（MOSFET）。還可再分為N通道、P通道，N通道中電流的主體為電子，P通道中為空穴。雙極晶體管用于模擬IC、高頻器人年、或者音頻輸出、串聯(lián)調(diào)節(jié)器等模擬用途。另一方面，MOSFET的ON-OFF切換動作迅速，由于結構簡單，且可由開關耗電量小的CMOS柵組合而成，而且通過微細加工技術可以提高性能，從而成為數(shù)字LSI器件上的必須構件。功率MOSFET是一種適用于改變ON-OFF循環(huán)時間而控制功率的開關領域的器件。

晶體管的分類

各種晶體管封裝

雙極晶體管

具有2個PN接合，利用電子以及空穴兩個載子作用放大或開在動作的晶體管。

結構、運作

NPN晶體管中，為了消除基極、發(fā)射極接合面的電位勢壘而外加正向電壓的話，電子將從發(fā)射極的范圍注入基極范國。削薄基極層的厚度后，幾乎所有的電子都會作為擴散電流到達基極、集電極接合面，而成為集電極電流。同時空穴也從基極注入發(fā)射極，成為基極電流，但將發(fā)射極的雜質(zhì)濃度提高到基極雜質(zhì)100倍的話就可以降低電流的比例，依靠微小的基極電流可以控制較大的集電極電流。

NPN晶體管中電子雖為電流的主體，但PNP晶體管中空穴為主體，因此電流的流動方向相反。

應用及用途

高頻特性良好，特性由物理量決定，因此偏差少，適合于無線設備的高頻電路等模擬電路。而且電流驅(qū)動能力較大，因此作為電源、音頻輸出、電視機的水平偏向用等功率器件被廣泛使用。

雙極晶體管的結構

晶體管的圖形符號

NPN晶體管的動作原理