高頻功率管,高頻功率管是什么意思

高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz,功率小于1W的三極管。主要用于高頻振蕩、放大電路中。高頻大功率三極管指特征頻率大于3MHz,功率大于1W的三極管。主要用于通信等設備中作為功率驅動、放大。

功率MOSFET(金屬－氧化物-半導體場效應晶體管)是最重要的一種功率場效應晶體管,除此之外還有MISFET、MESFET、JFET等幾種。功率MOSFET為功率集成器件，內含數百乃至上萬個相互并聯的MOSFET單元。為提高其集成度和耐壓性,大都采用垂直結構(即VMOS)，如VVMOS（V型槽結構）、VUMOS、SIPMOS等。

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數載流子工作,因而具有許多優點:能與集成電路直接相連；開關頻率可在數兆赫以上（可達100MHz），比雙極型功率晶體管至少高10倍；導通電阻具有正溫度系數,器件不易發生二次擊穿,易于并聯工作。與GTR相比，功率MOSFET的導通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時,其功率損耗高于GTR。此外，由于導電溝道很窄（微米級）,單元尺寸精細，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。

下圖為HF/VHF 功率MOS 晶體管BLF117(耗散功率200W,工作頻率可高達100MHz)的外形圖和芯片圖.

場效應管的作用:

1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3、場效應管可以用作可變電阻。

4、場效應管可以方便地用作恒流源。

5、場效應管可以用作電子開關。

場效應管與晶體管的比較

(1)場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。

(2)場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。

(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅動電路、高壓開關電路等電路。

常用的國產高頻中、大功率晶體管有3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9等型號。

常用的進口高頻中、大功率晶體管有2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型號。