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特征頻率,特征頻率是什么意思

2010年03月05日 16:36 www.1cnz.cn 作者:佚名 用戶評(píng)論(0
關(guān)鍵字:特征頻率(8261)

特征頻率,特征頻率是什么意思

(1)基本概念:

  
  在給定的發(fā)射中由于識(shí)別和測(cè)量頻率,例如載波頻率可被指定為特征頻率。
  對(duì)于元器件而言,特征頻率是指其主要功能下降到不好使用時(shí)的一種截止頻率。例如,對(duì)于用作為放大的有源器件——雙極型晶體管以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管而言,特征頻率就是指其電流放大系數(shù)下降到1時(shí)的頻率,這是共發(fā)射極組態(tài)作為放大使用的截止頻率。對(duì)于用作為檢波、開關(guān)等的無源二極管而言,其特征頻率就是指其阻抗下降到很小、不能吸收信號(hào)功率時(shí)的頻率,這時(shí)的截止頻率也就是其特征頻率。
  
(2)雙極型晶體管的特征頻率:

  
  BJT的特征頻率ft就是其共發(fā)射極組態(tài)的電流放大系數(shù)大小│β│下降到1時(shí)的頻率,又稱為晶體管的增益-帶寬乘積。若βo是低頻時(shí)的電流放大系數(shù),fβ是所謂β截止頻率,則在 f >> fβ 時(shí)可有│β│f = βo fβ = ft 。因此,只要在高于fβ的頻率下測(cè)得│β│, 就可以得到ft 。
  BJT的特征頻率ft可用電子從發(fā)射極到集電極之間的有效渡越時(shí)間τec來表示為:ft = (2 π τec)-1 ,式中τec =τE +τB +τD +τC,τE = ( kT/q Ic ) CjE 是發(fā)射結(jié)的充電時(shí)間,τB ≈τF 是電子渡越中性基區(qū)的時(shí)間,τF是移走基區(qū)和發(fā)射區(qū)中存儲(chǔ)電荷所需要的時(shí)間 (略大于τB),τC = (kT/qIc + rc)CjC是集電結(jié)的充電時(shí)間,τD = Xdc / vs是電子以飽和漂移速度vs渡越集電結(jié)耗盡層Xdc的時(shí)間;對(duì)ft起決定作用的因素一般主要是τB ,其次是結(jié)電容(特別是集電結(jié)電容)。ft與晶體管的工作點(diǎn)有關(guān),故在使用晶體管和測(cè)試ft時(shí),都需要合理地選擇工作點(diǎn)。
  提高BJT特征頻率的措施是:
  ①在ft不很高時(shí)往往是τB起主要作用,則要求減小基區(qū)寬度 (采用淺結(jié)工藝制作薄基區(qū))、增大基區(qū)電場(chǎng)因子η(提高基區(qū)中在發(fā)射結(jié)一側(cè)的摻雜濃度和提高發(fā)射區(qū)雜質(zhì)分布的陡峭度以減小阻滯場(chǎng),但若摻雜濃度太高反而會(huì)使擴(kuò)散電子系數(shù)減小,故η一般控制在3~6之間);
  ②在ft較高時(shí),基區(qū)寬度必然很小,τB較短,則必須考慮τE、τD和τC 的影響,因此要求減小發(fā)射結(jié)的動(dòng)態(tài)電阻 (選用較大的集電極電流) 和勢(shì)壘電容 (減小發(fā)射結(jié)面積)、減小集電結(jié)的勢(shì)壘厚度 (可降低集電區(qū)電阻率,但要兼顧擊穿電壓)、減小集電極的串聯(lián)電阻rC (降低集電區(qū)的電阻率)和勢(shì)壘電容Cjc (減小集電結(jié)面積)。
  
(3)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特征頻率:

  
  場(chǎng)效應(yīng)管(JFET、MESFET、HEMT)的特征頻率ft是指共源、輸出端短路、電流放大系數(shù)為1(即輸入電流=輸出電流) 時(shí)的頻率, 也稱為共源組態(tài)的增益-帶寬乘積;它主要由柵極電容Cg來決定。由簡(jiǎn)化的小信號(hào)高頻等效電路可以給出有ft = gm / 2πCg = 1 / 2π τ,即ft決定于柵極下載流子的渡越時(shí)間τ。
  對(duì)于長(zhǎng)溝道(μ為常數(shù)) 的器件:τ = L /μEy ≈ L2 /μVds,則ft = μ Vds / 2πL ;對(duì)于短溝道(漂移速度飽和為vs) 的器件:τ = L / vsL ,則ft = vs L / 2πL。
  若再計(jì)入寄生電容CL , 則截止頻率為 ft = gm / [2π(Cg+CL )] = (1 / 2 π τ) [1 + ( CL / Cg )]-1 。
  提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管ft的措施:增大跨導(dǎo)gm、減小柵電容Cg、減短溝長(zhǎng)L、增大遷移率μ或飽和漂移速度vs。
  對(duì)HEMT(高電子遷移率晶體管),由于HEMT的控制層厚度可以制作得比較小, 則Cgs ( 即gm ) 比較大, 從而有較高的截止頻率和較快的工作速度。

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