導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
2010年03月23日 09:27 www.1cnz.cn 作者：佚名 用戶評論（0）
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VIN值所對應的P溝道MOSFET與N溝道MOSFET的導通電阻并聯，可得到如圖2所示并聯結構下的導通電阻（RON）隨輸入電壓（VIN）的變化關系，如果不考慮溫度、電源電壓的影響，RON隨VIN呈線性關系將導致插入損耗的變化，這將使模擬開關產生總諧波失真（THD），這是設計人員所不希望的，如何將RON隨VIN的變化量降至最小也是設計新一代模擬開關所面臨的一個關鍵問題。
另外，導通電阻還與開關的供電電壓有關，由圖3可以看出：RON隨著電源電壓的減小而增大，當MAX4601的電源電壓為5V時，最大RON為8Ω；當電源電壓為12V時，最大RON為3Ω；電源電壓為24V時，最大RON僅為2Ω。RON的存在會使信號電壓產生跌落，跌落量與流過開關的電流成正比，對于適當的電流，這一跌落量處在系統容許的誤差范圍之內，而要降低RON所耗費的成本卻很高，因此，應根據實際需要加以權衡。RON確定后，還需考慮通道間的失配度與RON的平坦度。通道失配度用來描述同一芯片的不同通道間RON的差別；RON的平坦度用于描述每一通道的RON在所規定的信號范圍內的變化量。這兩個參數的典型值為2Ω至5Ω，對于低RON模擬開關，這些參數僅為0.5Ω。失配度/RON、平坦度/RON這兩個比值越小，說明模擬開關的精度越高。
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