討論封裝技術(shù)時當然也不容錯過2.5D 與矽穿孔（TSV）封裝整合，例如AMD的Fury X繪圖卡。圖7顯示在其2.5D整合方案中的GPU覆晶封裝至晶片中介層，周圍并圍繞4個海力士（Hynix）高頻寬記憶體（HBM） DRAM模組。該HBM模組利用中介層表面頂部形成的銅互連以電連接至GPU。

　　圖7：AMD Fury X GPU

　　圖8是AMD Fury X GPU的封裝橫截面圖，顯示連接至矽中介層與底層FR4基板的Hynix HBM模組部份。AMD GPU也以覆晶封裝至相同的中介層，但連接至HBM右側(cè)（超出此圖范圍之外）。矽中介層連同4個HBM模組與GPU依次嵌入于FR4基板上。

　　圖8：AMD Fury X封裝橫截面

　　圖9可以看到用于連接HBM模組至FR4基板與GPU的銅走線，這些都是使用傳統(tǒng)65nm雙金屬鑲嵌制程形成的。我們還可以看到用于連接中介層至FR4基板的銅填充TSV。

　　圖9：矽中介層與銅互連

　　本文簡要地介紹了三種主要的封裝整合方案：多晶片模組（MCM）、嵌入式元件封裝（ECP）以及 2.5D的TSV封裝。這些方案都是針對需要提高封裝整合度的理想解決方案。

　　新興封裝技術(shù)的出現(xiàn)，主要的驅(qū)動力量就來自于永無止境地追求更輕薄短小的智慧型手機。如今，業(yè)界盛傳Apple將為即將推出的iPhone 7取消耳機孔，目的就是為了打造更纖薄的手機。然而我們并不確定元件制造商將會采用哪一種封裝技術(shù)來搭配。iPhone 7預(yù)計要到今年九月才會發(fā)布，這漫長的等待時間怎不教人心急？