PIN二極管,PIN二極管是什么意思
普通的二極管由PN結組成.在P和N半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導體層,組成的這種P-I-N結構的二極管就是PIN 二極管.正因為有本征(Intrinsic)層的存在,PIN 二極管應用很廣泛,從低頻到高頻的應用都有,主要用在RF領域,用作RF 開關和RF保護電路,也有用作光電二極管(PhotoDiode)。PIN 二極管包括PIN光電二極管和PIN開關二極管.
微波開關利用PIN管在直流正,反偏壓下呈現近似導通或斷開的阻抗特性,實現了控制微波信號通道轉換作用. PIN 二極的直流伏安特性和PN結二極管是一樣的,但是在微波頻段卻有根本的差別。由于PIN 二極I層的總電荷主要由偏置電流產生。而不是由微波電流瞬時值產生,所以其對微波信號只呈現一個線性電阻。此阻值由直流偏置決定,正偏時阻值小,接近于短路,反偏時阻值大,接近于開路。因此PIN 二極對微波信號不產生肥線性整流作用,這是和一般二極管的根本區別,所以它很適合于做微波控制器件。
因此,可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關(即微波開關)、移相、調制、限幅等電路中。 PIN二極管的特性:
加負電壓(或零偏壓)時,PIN管等效為電容+電阻;加正電壓時,PIN管等效為小電阻。用改變結構尺寸及選擇PIN二極管參數的方法,使短路的階梯脊波導的反射相位(基準相位)與加正電壓的PIN管控制的短路波導的反射相位相同。還要求加負電壓(或0偏置)的PIN管控制的短路波導的反射相位與標準相位相反(-164°~+164°之間即可)。
圖1給出了PIN二極管在正向導通時的電荷分布情況.為簡化起見,我們假設I區域中電子與空穴分布對稱且分布密度相同.設x=-d處的空穴分布密度為p1,在[-d,0]區域中的剩余空穴電荷為q2,且位于x=-d/2處,這樣此區域的平均空穴密度為:p2=q2/qAd.這里A為結面積,q為單位電荷.
圖1 PIN二極管的電荷分布
由于P+區域的空穴密度遠大于電子密度,這樣在x=-d處的電子電流可以忽略(所引起的誤差將在下文討論).二極管的電流密度可以表示為[9]
其中 Da為擴散常數;Jh為空穴電流密度.
二極管的電流為
電荷q2與電流的關系式為
其中 τa為壽命時間.
式(2)及式(3)描述了二極管的模型,通過定義qE=2q1, qM=2q2及T=d2/2Da,兩式可簡化為
圖2表示了在感性負載時二極管的關斷過程.此過程可分為兩個階段:從t=T0到t=T1,二極管處于低阻抗狀態,其電壓近似為0,在t=T1時刻,二極管中I區域邊緣的剩余電荷變為0,二極管開始呈現高阻抗狀態.在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1時刻后二極管的電流為
其中 τ?rr由式(7)給出,I?rr為反向恢復電流峰值.
圖2 反向恢復電流波形
一般情況下,t?rr、I?rr及測試條件di/dt、I?FM均在器件的產品手冊上列出.根據式(6)及測試條件,τ?rr可由下式獲得
其中 a=-di/dt.
根據圖2所示的反向電流波形,qM在t≤T1階段的表達式為
當t=T1時,i(T1)=-I?rr=-qM(T1)/T,代入上式得式(10),τa可由此式解出
然后參數T可由τa、T及τ?rr的關系式(7)算出.
從以上的討論可以看出,該模型的參數可以方便地從產品手冊中得到:首先由式(8)計算τ?rr,再從式(10)解得τa,最后由式(7)決定參數T。
設計PIN二極管時需主要考慮幾個參數
1. 插入損耗:開關在導通時衰減不為零,稱為插入損耗
2. 隔離度:開關在斷開時其衰減也非無窮大,稱為隔離度
3. 開關時間: 由于電荷的存儲效應,PIN管的通斷和斷通都需要一個過程,這個過程所需時間
4. 承受功率: 在給定的工作條件下,微波開關能夠承受的最大輸入功率
5. 電壓駐波系數: 僅反映端口輸入,輸出匹配情況
6. 視頻泄漏
7. 諧波: PIN二極管也具有非線性,因而會產生諧波,PIN開關在寬帶應用場合,諧波可能落在使用頻帶內引起干擾. 開關分類:反射式和吸收式, 吸收式開關的性能較反射式開關優良
控制方式:采用TTL信號控制。'1'通'0'斷
PIN二極管型號的選擇主要是根據所做光功率計的測量范圍來確定的。常用的PIN二極管(如FU-15PD)都是小信號工作器件,光敏面不合適,能接收的光功率范圍很有限,所以一般不用它做光功率計的探測器。
PIN二極管還可以調節到高頻范圍。為改善隔離特性,我們可以將兩個或多個二極管串聯起來,但同時會引起介入損耗的增大。PIN二極管本質上還屬于電流控制的電阻器。為減少介入損耗,它們需要采用大量的直流電源以降低I(本征)區內的電阻率。這顯然會影響電池壽命。這種特點,再加上PIN二極管方案需要大量器件,使得這種技術很難應用于便攜手持式產品。
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