一、InGaAsAPD/PIN光電探測器：

1、InGaAsAPD光電探測器：（900nm-1700nm）高質量陶瓷以及光纖封裝。典型應用于通信，數據傳輸，人眼安全激光測距機等。
型號：C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN(小面積)光電探測器：（900nm-1700nm）高質量陶瓷以及光纖封裝。典型應用于通信，數據傳輸，儀表等。
型號：C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN(大面積)光電探測器：（900nm-1700nm）高質量窗口以及光纖封裝。典型應用于光功率表，人眼安全激光通信，儀表等。
型號：C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN(大面積）擴展波長光電探測器：（1um-2.5um)高質量陶瓷封裝，提供不帶制冷器、一級制冷器和二級制冷器三種封裝的產品。典型應用于非破壞性檢查，水汽測量，生物化學應用，環境監控等，需要相關資料，請咨詢。

二、SiliconAPD光電探測器：

1、SiliconAPD標準雪崩管：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于熒光探測，小信號快速探測，LIDAR，光子計數，數據傳輸，儀表，自適應光學，共焦微透鏡等。
型號：C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光電探測器陣列：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于LIDAR，分光鏡，粒子探測，自適應光學，跟蹤系統等。
型號：四象限陣列C30927E、線性陣列C30985E

3、SiliconAPD低價格光電探測器：（400nm-1100nm）大量，低價格探測器。典型應用于激光測距，防碰撞系統等。
型號：低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD熱電致能型光電探測器：（400nm-1100nm）帶一級或者兩級熱電致冷器，冷卻APD，減少小信號探測時的熱噪聲，內部集成的熱電阻用來溫度監控以及致冷器控制。典型應用于小信號熒光探測，光子計數，快速或者微弱信號探測，自適應光學等。型號：C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近紅外增強型（1.064um）光電探測器：密封陶瓷封裝。典型應用于LIDAR，紅外激光測距，熒光探測，快速或者小信號探測。
型號：C30954E，C30955E，C30956E

6、SiliconAPD光纖耦合型光電探測器：光纖耦合封裝。典型應用于光纖數據傳輸，遠程光傳感器，小信號探測等。
型號：C30921

7、SiliconAPD輻射探測器：大光敏面積，平板封裝。典型應用于直接探測光，x-Rays,電子的輻射。
型號：C30626，C30703

三、SiliconPIN光電探測器：

1、SiliconPIN窗口以及光纖封裝光電探測器：（400nm-1100nm）高速，P型設計。典型應用于快速激光脈沖探測，光纖通訊，儀表等。
型號：C30971

2、SiliconPIN大面積光電探測器：（400nm-1100nm）高質量，高速度，N型設計，密封陶瓷封裝。典型應用于激光探測系統，快速脈沖探測，儀表等。
型號：FFD-100、FFD-200

3、SiliconPIN四象限光電探測器：（220nm-1100nm）N型設計，密封陶瓷封裝。典型應用于光斑位置跟蹤，測量脈沖激光或者連續激光x-軸和y-軸的方向。
型號：C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A

4、SiliconPIN標準N型光電探測器：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于激光探測系統，光度計，數據傳輸，儀表等。
型號：C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E

5、SiliconPIN紫外增強型光電探測器：（220nm-1100nm）低噪聲，標準N型設計，密封陶瓷封裝。典型應用于紫外光表，可見光表，光度計，熒光探測，分光鏡，微光探測傳感器，儀表等。
型號：UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ

6、Silicon/Silicon雙色光電探測器：（400nm-1100nm），DTC系列包括兩個探測器，密封陶瓷封裝。典型應用于雙波長功率表，雙色溫度測量等。
型號：DTC140

7、SiliconPIN表面貼裝光電探測器：CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低帶寬（1kHz-50kHz）光電探測模塊：（220nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于紫外信號探測，光度計等。
型號：HUV-2000B、HUV-1100BG

8、窄光譜響應光電探測器SR10SPD系列，不需要額外的濾波器，表面貼裝。
型號：SR10SPD 470-0.9 ( 470nm中心波長）、SR10SPD 525-0.9 ( 525nm中心波長）、SR10SPD 880-0.9 ( 880nm中心波長）

9、SiliconPIN/APD高帶寬（40MHz-100MHz）光電探測模塊：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于激光信號探測，儀表等。
型號：C30608E、C30950E、C30919E

10、Silicon/InGaAs APD高帶寬（50MHz-200MHz）光電探測模塊：（400nm-1700nm）密封陶瓷封裝。典型應用于激光信號探測，儀表等。
型號：C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C30659-1060-3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2（C30659E-CD2982）

四、SiliconPN硅光電池:

　　VTB系列紫外增強硅光電池（190nm-1100nm），增強光譜從UV(190nm)－NearIR(900nm），高阻抗，低噪聲，低暗電流，適合光電型、弱信號探測應用。有效探測面積從1.6mm2— 37.7mm2。封裝型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封裝，石英和紫外窗口陶瓷封裝。典型應用：紫外、可見、紅外分光光度計、生化分析儀、驗鈔機、紫外曝光表、紫外水質凈化、熒光探測，以及其它分光鏡應用。

??????? VTP系列，VTS系列硅光電池探測器，低價格，極好的光電流線性，快速響應時間，探測可見光以及近紅外光源，例如LED，氖燈，熒光燈，NIR激光管，火焰，陽光以及其它光源。典型應用：NIR傳感器，醫療紅外傳感器，紅外安全設備，工業用紅外傳感器，紅外接近傳感器，紅外激光探測器。

??????? VTA系列硅光電池探測器陣列，64單元。

五、波長傳感器（450－900nm），可準確檢測確定單色激光或者LEDS光源的單色光的波長，與其他同類產品不同的是，其輸出不受所測光線強度的影響，光譜分辨率：0.01nm。

六、紅外光電探測器(探測器類型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe)，能夠靈敏探測在0.2-40+microns波長范圍內的紅外光,以其在長波長方面的高靈敏度和快速探測，具有獨特的優勢。這些探測器工作在室溫或者TE-Cooled情況下，各種TO類型封裝。典型應用：脈沖、調制和連續CO2激光輻射探測和監控，外差式檢波探測，2to12μm低頻和高頻調制輻射探測，激光測量，激光預警接收器，激光雷達、激光測距和激光通訊，追蹤、定位系統，行掃描儀，快速多色高溫計，紅外分光光度計，熱成像掃描儀，遙感，氣體分析，火焰探測器，人體探測等。

　　如果需要硅（Si）、鍺（Ge）、銦稼砷（InGaAs）、硫化鉛（PbS）、硒化鉛(PbSe)、銻鎘汞(HgCdTe)等探測器的相關資料，請隨時聯系！