FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:　快速頁面模式內存。是一種在486時期被普遍應用的內存（也曾應用為顯存）。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從DRAM陣列中某一行的觸發開始，然后移至內存地址所指位置，即包含所需要的數據。第一條信息必須被證實有效后存至系統，才能為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態”，因為CPU必須傻傻的等待內存完成一個周期。FPM之所以被廣泛應用，一個重要原因就是它是種標準而且安全的產品，而且很便宜。但其性能上的缺陷導致其不久就被EDO DRAM所取代，此種顯存的顯卡已不存在了。

EDO顯存

EDO (Extended Data Out) DRAM，與FPM相比EDO DRAM的速度要快5%，這是因為EDO內設置了一個邏輯電路，借此EDO可以在上一個內存數據讀取結束前將下一個數據讀入內存。設計為系統內存的EDO DRAM原本是非常昂貴的，只是因為PC市場急需一種替代FPM DRAM的產品，所以被廣泛應用在第五代PC上。EDO顯存可以工作在75MHz或更高，但是其標準工作頻率為66 MHz，不過其速度還是無法滿足顯示芯片的需要，也早成為“古董級”產品上才有的顯存。

SGRAM顯存

DDR3顯存可以看作是DDR2的改進版，二者有很多相同之處，例如采用1.8V標準電壓、主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進：DDR3顯存采用0.11微米生產工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存采用了“Pseudo Open Drain”接口技術，只要電壓合適，顯示芯片可直接支持DDR3顯存。當然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。客觀地說，DDR3相對于DDR2在技術上并無突飛猛進的進步，但DDR3的性能優勢仍比較明顯：

　　(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
　　(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少后，顯存功耗也能進一步降低。
　　(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
　　目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。

SDRAM顯存

　DDR顯存分為兩種，一種是大家習慣上的DDR內存，嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM。另外一種則是DDR SGRAM，此類顯存應用較少、不多見。

DDR SDRAM
　　人們習慣稱DDR SDRAM為DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR SDRAM是在SDRAM基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。

　　與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。DDR SDRAM是目前應用最為廣泛的顯存類型，90%以上的顯卡都采用此類顯存。

DDR SGRAM
　　DDR SGRAM是從SGRAM發展而來，同樣也是在一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據。可以在不增加頻率的情況下把數據傳輸率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要強于DDR SDRAM，但其仍舊在成本上要高于DDR SDRAM，只在較少的產品上得到應用。而且其超頻能力較弱，因其結構問題超頻容易損壞。

DDR2顯存

DDR2顯存可以看作是DDR顯存的一種升級和擴展，DDR2顯存把DDR顯存的“2bit Prefetch(2位預取)”技術升級為“4 bit Prefetch(4位預取)”機制，在相同的核心頻率下其有效頻率比DDR顯存整整提高了一倍，在相同顯存位寬的情況下，把顯存帶寬也整整提高了一倍，這對顯卡的性能提升是非常有益的。從技術上講，DDR2顯存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中處理4個數據而非DDR顯存的2個數據，這樣DDR2顯存便實現了在每個時鐘周期處理4bit數據，比傳統DDR顯存處理的2bit數據提高了一倍。相比DDR顯存，DDR2顯存的另一個改進之處在于它采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式，工作電壓也由2.5V降為1.8V。

　　由于DDR2顯存提供了更高頻率，性能相應得以提升，但也帶來了高發熱量的弊端。加之結構限制無法采用廉價的TSOP封裝，不得不采用成本更高的BGA封裝(DDR2的初期產能不足，成本問題更甚)。發熱量高、價格昂貴成為采用DDR2顯存顯卡的通病，如率先采用DDR2顯存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列顯卡就是比較失敗的產品。基于以上原因，DDR2并未在主流顯卡上廣泛應用。