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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>測(cè)試/封裝>DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

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。時(shí)鐘精度(DIP模塊DS1556保證在25攝氏度下每月保持1分鐘的時(shí)間精度。RTC由達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司在工廠使用性調(diào)諧元件進(jìn)行校準(zhǔn),無(wú)需額外校準(zhǔn)。因此,現(xiàn)場(chǎng)時(shí)鐘校準(zhǔn)方法不可用,也不必要。電氣
2020-09-16 17:17:42

DS4520性(NV)I/O擴(kuò)展器中文資料

  ?在引導(dǎo)閃存之間選擇  ?設(shè)置ASIC配置/配置文件  ?服務(wù)器  ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)  ?路由器  ?電信設(shè)備  ?PC外圍設(shè)備  一般說(shuō)明  DS4520是一個(gè)9位性(NV)I/O擴(kuò)展器,具有64
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2023-05-30 08:48:06

CMOS bq4011性262144位靜態(tài)RAM

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2020-09-16 17:15:13

CypressSRAM技術(shù)

SRAMnv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS性技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類(lèi)似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAMnv SRAM執(zhí)行
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Dallas DS1230 - FM18W08SRAM FRAM適配器

描述Dallas DS1230 - FM18W08 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí),您可以放心,因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年,無(wú)需任何電池供電。
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如何使用Spartan?-3AN性FPGA入門(mén)套件下載程序?

親愛(ài);我有Spartan?-3AN性FPGA入門(mén)套件,我編寫(xiě)了VHDL程序,用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有(16位輸入端口)和(16位輸出端口),問(wèn)題是:如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序?如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳?最好的祝福
2019-08-22 10:31:44

如何存儲(chǔ)應(yīng)用程序中使用的性數(shù)據(jù)?

我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)性數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫(xiě)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09

求助,如何使用性密鑰生成CMAC?

我想用性密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32

賽普拉斯NV-SRAM解決方案分享

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2020-12-30 07:15:03

高壓NVI2C電位器DS3501相關(guān)資料下載

概述:DS3501是一款7位、(NV)數(shù)字電位器,具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過(guò)I2C兼容接口對(duì)其進(jìn)行程序設(shè)計(jì),接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過(guò)
2021-05-17 07:50:20

NV SRAM Frequently Asked Quest

such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
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DS1249是一款芯片

DS1249 2048k(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
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DS1265是一款芯片

DS1265 8MSRAM為8,388,608位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
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DS1270是一款芯片

DS1270 16MSRAM為16,777,216位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
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DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍,一旦
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DS1230是一款芯片

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2010-11-24 09:43:53877

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

  DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

  DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:53:311843

DS1250 4096k、非易失SRAM

  DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

  DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-12-07 10:21:02966

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器,可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37879

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685

DS1244,DS1244P數(shù)據(jù)資料

DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218

非易失性存儲(chǔ)器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn),可以滿足理想SRAM器件的要求,該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問(wèn):系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問(wèn)速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng),則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28732

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案,它的優(yōu)勢(shì)是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度,并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33454

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512

NV-SRAM是什么,它的主要特征是什么

NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無(wú)限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器
2022-06-10 15:23:01686

DS1557WP-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有DS1557WP-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,DS1557WP-120+真值表,DS1557WP-120+管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:54:32

DS1251WP-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 21:20:57

DS1744WP-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1744WP-120相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有DS1744WP-120的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,DS1744WP-120真值表,DS1744WP-120管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-21 21:50:21

DS1244WP-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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DS1248WP-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 21:58:59

DS1747WP-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 22:05:01

DS1557WP-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 22:05:15

DS1553WP-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 23:09:44

DS1553WP-150+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-22 19:08:17

DS1747WP-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-24 20:13:47

DS1556WP-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-24 20:18:48

求一種具有控制器的NV-SRAM解決方案

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫(xiě)訪問(wèn),并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無(wú)限次地寫(xiě)入或讀取NV-SRAM
2022-11-30 17:48:48502

NV SRAM模塊中的電池監(jiān)控

對(duì)于PowerCap產(chǎn)品,電池更換通常應(yīng)在系統(tǒng)電源打開(kāi)時(shí)進(jìn)行,以免損壞內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容。當(dāng) %-overbar_pre%BW%-overbar_post% 處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí),不會(huì)禁止正常的內(nèi)存寫(xiě)入/讀取
2023-01-10 09:36:00380

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性(NVSRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器,如NOVRAM,使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59792

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶(hù)將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59665

為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

NV SRAM開(kāi)發(fā)開(kāi)始以來(lái),其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù),以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336

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