臺媒指臺積電已開始試產7nm工藝，最快將在明年一季度正式投產，并傳言高通將可能回歸采用7nm工藝生產其高端芯片，筆者對這一消息有一定的疑問。

　　在16nm和10nm工藝上，臺媒也曾聲言其進展良好，也曾傳言指高通將會回歸臺積電采用10nm工藝生產驍龍835芯片，不過事實卻與這些傳言有出入。

　　早在2014年的時候臺積電就說16nm工藝進展良好，不過事實上當時投產的16nm工藝能效不佳，甚至不如20nm工藝，原因就是由于當時未能成功引入FinFET技術，而業界普遍認為在20nm工藝以下由于閘極長度更小需要引入FinFET技術才能更好的控制電流、漏電等以獲得更好的性能、性能等特性。

　　因此當時量產的16nm工藝并沒獲得各方的認可，只有華為海思等兩個客戶采用該工藝，而華為海思也僅是用該工藝生產對功耗要求不高的網通處理器等芯片。臺積電與華為海思合作繼續改進該工藝，直到2015年三季度開發出16nmFinFET工藝，能效表現甚佳，獲得了蘋果A9、華為海思麒麟950等眾多客戶的采用。

　　三星與臺積電16nmFinFET同檔次的14nmFinFET工藝則在2015年初成功投產，這是多年來兩家激烈競爭中三星首次取得領先優勢，那一年采用該工藝生產的三星Exynos7420芯片由于能效表現卓越，而高通當時采用臺積電20nm生產的驍龍810則出現發熱問題，由此Exynos7420獨領Android市場風騷。

　　臺積電的10nm工藝也一度被臺媒大力吹捧，甚至說會趕在三星之前投產，不過事實是去年10月份三星首先量產該工藝，而臺積電雖然說去年底投產但是采用該工藝的蘋果A10X和聯發科helio X30都未確定發布，而采用三星10nm工藝的高通驍龍835已發布，所以在實際上三星已領先臺積電。

　　從16nmFinFET和10nm工藝均可以看出，臺媒方面事前均宣傳臺積電進展迅速，然而事實卻是實際投產時間要落后于預期，7nm工藝是否能領先三星當然讓人懷疑。

　　至于說到高通會回歸臺積電采用其7nm工藝這更是存有非常大的疑問。當初高通出走的原因正是由于它多年來一直幫助臺積電開發最先進的工藝，但是到了20nm工藝的時候臺積電卻優先將該工藝提供給蘋果生產A8處理器，導致驍龍810量產時間太遲沒有足夠時間進行優化，這是驍龍810出現發熱問題的因素之一。

　　因此高通一怒之下出走改采三星半導體的14nmFinFET工藝生產其高端芯片驍龍820，其實之后的華為海思也享受了同樣的遭遇。華為海思幫助臺積電開發了16nmFinFET工藝，不過臺積電卻優先將該工藝產能提供給蘋果生產A9/A9X處理器，導致華為海思的麒麟950量產時間晚了兩三個月。

　　受此教訓，華為海思去年同時開發了麒麟960和麒麟970兩款高端芯片，這兩款芯片架構基本相同，只不過前者采用臺積電的16nmFinFET而后者采用10nm工藝。聯發科寄望其最新款高端芯片helio X30采用臺積電的10nm工藝以與高通競爭，目前就面臨著由于要與蘋果的A10X爭奪10nm工藝產能而未知何時能正式量產上市的尷尬。

　　在這樣的情況下，高通今年底或明年會轉回臺積電采用它的7nm工藝就存有很大的疑問，假如到時候臺積電的7nm工藝按時量產，其也可能因為優先照顧蘋果的關系導致難以提供足夠的產能給高通，要知道高通是全球手機芯片老大其對產能的需求非常大，臺積電的7nm工藝初期由于良率和產能的關系很難同時滿足蘋果和高通兩家大客戶的需求。