內(nèi)存條芯片參數(shù)

整個(gè)DDR SDRAM顆粒的編號(hào)，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。

顆粒編號(hào)解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡(jiǎn)稱(chēng)，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。

2． 內(nèi)存芯片類(lèi)型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片）

6． 內(nèi)存bank（儲(chǔ)蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口類(lèi)型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內(nèi)核代號(hào)：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封裝類(lèi)型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度））

由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實(shí)最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買(mǎi)到一款這里顯示為L(zhǎng)的產(chǎn)品（也就是說(shuō)，它只支持DDR 200的工作頻率），那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。

常見(jiàn)SDRAM 編號(hào)識(shí)別

維修SDRAM內(nèi)存條時(shí)，首先要明白內(nèi)存芯片編號(hào)的含義，在其編號(hào)中包括以下幾個(gè)內(nèi)容：廠商名稱(chēng)（代號(hào)）、容量、類(lèi)型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過(guò)對(duì)這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識(shí)和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點(diǎn)。
(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門(mén)子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)
(2)內(nèi)存芯片速度編號(hào)解釋如下:
★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.
★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.
★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.
★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.
(3) 編 號(hào) 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片類(lèi)別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號(hào)，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國(guó)、韓國(guó)、日本、德國(guó)、***)：

序號(hào) 品牌 國(guó)家/地區(qū) 標(biāo)識(shí) 備注
1 三星 韓國(guó) SAMSUNG
2 現(xiàn)代 韓國(guó) HY
3 樂(lè)金 韓國(guó) LGS 已與HY合并
4 邁克龍 美國(guó) MT
5 德州儀器 美國(guó) Ti 已與Micron合并
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門(mén)子 德國(guó) SIEMENS
12 聯(lián)華 *** UMC
13 南亞 *** NANYA
14 茂矽 *** MOSEI

SAMSUNG內(nèi)存

體含義解釋?zhuān)?br>例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
第2位——芯片類(lèi)型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進(jìn)一步的類(lèi)型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。
第11位——連線“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。

注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過(guò)校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過(guò)程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購(gòu)買(mǎi)時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

Hynix(Hyundai)現(xiàn)代

現(xiàn)代內(nèi)存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
　　1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品

　　2、內(nèi)存芯片類(lèi)型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

　　3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　

　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

　　5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

　　6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系

　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2

　　8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新

　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

　　10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A

Infineon（億恒）

Infineon是德國(guó)西門(mén)子的一個(gè)分公司，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門(mén)子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如：
1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內(nèi)存的說(shuō)明

Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專(zhuān)利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來(lái)。

容量備注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開(kāi)標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來(lái)說(shuō)明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱(chēng)。
48——內(nèi)存的類(lèi)型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。
A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。

Winbond（華邦）

含義說(shuō)明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5

1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)

　　2、代表顯存類(lèi)型：98為SDRAM，94為DDR RAM?

　　3、代表顆粒的版本號(hào)：常見(jiàn)的版本號(hào)為B和H；

　　4、代表封裝，H為T(mén)SOP封裝，B為BGA封裝，D為L(zhǎng)QFP封裝

　　5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz