0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說(shuō)明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說(shuō)明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫(xiě)入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
ESP32-WROOM-32(16MB)
2023-03-28 14:56:45
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我們使用微量序列 NOR MT25QL256ABA( 32MB) 鞭笞, 無(wú)法使用“ flexspi_ nor_flash_ page_ page_ progragram” API 程序到 16MB
2023-11-13 06:39:52
有人知道 expressif esp8266 數(shù)據(jù)表第 15 頁(yè)上規(guī)定的 16MB 閃存大小限制是否只是編譯器/SDK/常量定義，或者可能與硬件/字大小有關(guān)？
2023-06-09 06:24:59
EPM1270T144I5N是Altera非易失性的CPLD是基于0.18微米，6-第一層金屬閃光過(guò)程中，從240至2,210個(gè)邏輯單元（LE ），密度（ 128? 2210等效宏單元）和8千位的非
2019-11-09 12:03:04
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛(ài);我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門(mén)套件，我編寫(xiě)了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問(wèn)題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫(xiě)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
osal_snv_init();這的NV條目 是指什么？ VOIDosal_snv_write(22, 10,buf); VOIDosal_snv_read(22 , 10,buf1); 我調(diào)用讀寫(xiě)
2019-10-16 09:14:09
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
賽普拉斯NV-SRAM解決方案
2020-12-30 07:15:03
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過(guò)I2C兼容接口對(duì)其進(jìn)行程序設(shè)計(jì)，接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過(guò)
2021-05-17 07:50:20
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開(kāi)啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內(nèi)含實(shí)時(shí)時(shí)鐘的非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器。該器件內(nèi)部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和一個(gè)鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 3D Plus公司推出商用高性能SRAM——MMSR32510804STC，這是一款512k×32的靜態(tài)RAM，由4個(gè)具有獨(dú)立寫(xiě)功能的存儲(chǔ)體(每個(gè)為512k×8)構(gòu)成。該易用型產(chǎn)品適合高可靠性
2006-03-13 13:08:38
703 新一代NV SRAM技術(shù)
第一代NV SRAM模塊問(wèn)世近20年來(lái)，NV SRAM技術(shù)不斷更新，以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展，同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53901 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測(cè)
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護(hù)和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則，首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)歷史。 開(kāi)發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-23 10:17:05558 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則，首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)歷史。 開(kāi)發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42499 DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50697 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:53877 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)在，所有需要無(wú)電數(shù)據(jù)保持以及S
2011-01-07 09:11:291166 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37879 DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開(kāi)始出樣。
2014-09-11 15:14:541500 DELL 5420 筆記本電路圖，NV獨(dú)顯QUANTA，板號(hào) DA0R08MB6E2 MB
2016-07-06 15:14:4758 flash是串行接口的NOR FLASH，在設(shè)計(jì)支持，容量都比較小，所以協(xié)議中只留了3Bytes尋址，也就是最大16MB空間。但是隨著工藝和技術(shù)的提升，現(xiàn)在32MB、64MB，甚至128MB和更大容量的SPI/QSPI flash都出現(xiàn)了。
2018-06-29 08:25:002791 
NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問(wèn)：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問(wèn)速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng)，則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28732 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33454 的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM 內(nèi)部自帶刷新機(jī)制。 PSRAM容量有4Mb，8Mb，16Mb，32Mb，64Mb
2021-04-08 15:26:599271 UC-009：尋址16MB外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
2021-04-25 10:55:111 隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無(wú)限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器
2022-06-10 15:23:01686 ?SPI(OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場(chǎng)合，能夠提供帶寬范圍從100Mbps~2.128Gbps的大范圍。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb,128Mb等等
2022-06-29 16:59:333233 高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫(xiě)訪問(wèn)，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無(wú)限次地寫(xiě)入或讀取NV-SRAM。
2022-11-30 17:48:48502 
達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59795 
DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59668 
自NV SRAM開(kāi)發(fā)開(kāi)始以來(lái)，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00336 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1270Y-70#相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1270Y-70#的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1270Y-70#真值表，DS1270Y-70#管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:39:53
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