0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
1.5V升壓3.3V，1.5V升壓5V1.5V升壓3.3V芯片，1.5V升壓5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低紋波、高工作頻率1.2MHZ的 PFM 同步升壓DC/DC 變換器
2020-09-21 19:25:05
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
起因:
玩nas+軟路由，m2+無線網卡+板載各種芯片(網卡)等對3.3v需求大，估算需求約20a，nas用的是flex電源，flex電源3.3v基本都只有10-15a，目前用的電源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
32抽頭非易失I2C線性數字電位器MAX5432資料下載內容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內部方框圖MAX5432極限參數MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
9個案例5V→3.3V
2021-03-08 07:29:53
滿足一般的485芯片對電源穩定性的要求。此款5v轉3.3v的模塊電源一般可以分為兩種：非穩壓輸出和穩壓輸出。先說穩壓輸出，穩壓輸出指的是，模塊電源的輸入電壓或者輸出負載不管如何變化，輸出電壓都能穩定
2018-08-04 14:05:01
5V轉3.3V的技巧
2020-12-23 06:04:01
，效率高，且輸出紋波噪聲都非常小，可以滿足一般的485芯片對電源穩定性的要求。此款5v轉3.3v的dc/dc轉換器一般可以分為兩種：非穩壓輸出和穩壓輸出。先說穩壓輸出，穩壓輸出指的是，dc/dc轉換器
2018-07-26 13:59:50
64794分析儀 D 256K跟蹤深度仿真總線分析儀，128 KB
2019-01-21 10:53:04
`描述此 4W 參考設計產生 3.3V 和 12V 輸出。3.3V 輸出為穩壓輸出，而 12V 輸出具有某種依賴于負載的變化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解決方案。`
2015-04-10 15:37:15
描述 此 4W 參考設計產生 3.3V 和 12V 輸出。3.3V 輸出為穩壓輸出，而 12V 輸出具有某種依賴于負載的變化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解決方案。
2018-11-20 11:43:01
概述:FM1808是RAMTRON公司生產的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
單片機是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3節充電電池接上后MOS管一直導通,不受單片機控制,燈珠是3.3V 3W的大功率燈珠
2019-09-18 03:45:09
、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1556中所有寄存器的訪問是通過一個字節寬的接口完成的，如圖1所示。RTC寄存器包含24小時BCD格式的世紀、年、月
2020-09-16 17:17:42
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
深圳市三佛科技有限公司供應AC-DC非隔離3.3V 400MA小家電電源方案 LP2177AC-DC非隔離3.3V 400MA小家電電源方案 LP2177產品介紹：LP2177 是一款高效率
2020-04-24 11:41:47
易失性標準兼容架構。全局時鐘網絡中多達4條全局時鐘線，驅動整個器件。提供可編程的快速傳播延遲和時鐘至輸出時間。UFM支持高達256千位的非易失性存儲。支持3.3、2.5、1.8和1.5邏輯電平可編程壓
2022-08-10 09:47:44
等待區（ZW）使用，96K劃給用戶使用作為RAM使用256K的非零等待區里可以通過軟件配置將其中的128K劃出來給用戶作為RAM使用，那么此時用戶就有96+128K RAM可以使用，這224KB
2020-11-20 21:25:08
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封裝 T/R卷帶包裝
2018-12-19 12:27:32
CC2541oad在生成ImageB.bin超過256k flash？那個大神用過cc2541的 oad功能嗎？？？在生成ImageB.bin時，ImageB.bin文件過大 ，超過
2016-03-16 14:56:17
我用CH340K做一鍵下載電路，現在遇到的情況是給CH340K供電使用的是3.3V，芯片的10腳V3接了3.3v，能夠與單片機通信，但是復位按鈕按下之后會導致單片機進入錯誤的啟動方式，檢查發現
2022-07-13 06:32:39
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
針腳 QFN 封裝和 3.5x3.8mm 64 球形直接晶片構裝之晶圓級封裝 (WLCSP)。nRF51822 提供 256k 或 128kB Flash 容量的不同版本。歡迎交流qq 1433511556
2016-07-03 11:18:34
我用的5V的電壓 ，然后用了ME6219C將5V的電壓轉換成了3.3V的電壓，3.3V的電壓用來給NRF24L01供電，不接NRF，VCC的電壓是3.3V，接上NRF后，VCC的電壓就變成了4.4V了，接上其他的負載，比如LED燈，電壓還是3.3。為什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40帶5V電源。在端口B，我選擇了SPI接口。我打開了SDO和SCK PIN的集合。用一個3.3V的上拉電阻，我可以使用3.5V的奴隸，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
PIC18F66K80系列datasheet開頭提到有個新特性On-chip 3.3V Regulator(集成3.3V穩壓器)，后面又有圖片中這兩段，意思我理解為本來用戶可以通過ENVREG
2016-03-29 20:02:02
STC15W4K48S4使用ds1302 讀取的時候顯示85.請問是要加上拉電阻么。應該加多大的。（我的電源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
F407的規則同步ADC采集如何 實現256k采樣+轉換速度？
2024-03-07 07:51:02
我們正在嘗試在STM32WB55RC上加載 stm32wb5x_Zigbee_FFD_fw.bin，但發行說明中的??地址表顯示 FFD 堆棧為 0x00，STMCube 程序員給出了錯誤地址錯誤。256K 閃存設備的 Zigbee 堆棧的實際地址是什么？
2022-12-23 09:03:11
按照 TPS61221的數據手冊，其輸入電壓范圍為0.7V-5.5V,當輸入電壓大于3.3V時，其輸出電壓不再穩壓為3.3V，當輸入電壓為5V時，其輸出為4.7V，這是什么原因呢？是因為其為升壓芯片，只能進行升壓，而不能降壓嗎？
2016-02-01 15:52:30
數據手冊里的這句話如何理解？256K FLASH+64K SRAM 的產品支持用戶選擇字配置為（192K FLASH+128K SRAM）、（224K FLASH+96K SRAM）、（256K
2022-06-20 07:37:12
stm32f103rct6芯片的閃存是256K，但是當我存儲數據的地址設到300K還是可以正常存儲，不知道為什么？
2019-03-01 07:30:52
C8051F340ADS1230的芯片資料顯示供電電壓為2.7到5.3V，那當3.3V供電時，是否就可以直接和單片機連接，電平是匹配的？我的打算是：傳感器的激勵電壓選用9V或10V，ADS1230的參考電壓和電源電壓
2012-08-21 08:49:01
本人是新人。使用3000公斤的稱重傳感器測量一個加載力，傳感器信號接ADS1230，然后送入單片機C8051F340ADS1230的芯片資料顯示供電電壓為2.7到5.3V，那當3.3V供電時，是否
2012-08-20 11:12:14
DN72- 單個LTC1149在17W時提供3.3V和5V電壓
2019-07-02 06:29:25
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
嗨， LSM6DS33的典型電源電壓為1.8V，最大限制為3.6V。如果連續為設備提供3.3V的電源電壓，這樣可以嗎？ 問候，Prachi＃lsm6ds33以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
(SPI-SRAM)64Kbit 8Kx8 IP12B064C-TU 3.3V 20MHz E Tube TSSOP-8128Kbit 16Kx8 IP12B128C-TU 3.3V 20MHz E Tube
2013-08-23 11:00:03
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
哪位哥們用個64K 8位、3.3v供電的RAM 幫提供兩個型號唄！
2019-01-14 06:36:13
我想使用TI的電源模塊PTR08060W（輸入4.5V~14V轉0.6V~5.5V6A電流能力）產生一個-3.3V（2A）。能否將Vin直接連接-5V使得Vout輸出-3.3V還是將Vin連接+5V
2019-04-09 06:28:14
The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:17
11 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59
888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
Features AS7C256 (5V version) AS7C3256 (3.3V version) Industrial and commercial temperature
2011-04-02 10:38:5152 DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 DS1086L EconOscillator?是一種3.3V、可編程時鐘發生器，可產生頻率在130kHz至66.6MHz、經過頻譜擴展(抖動)的方波輸出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅3.3V—5V連接技巧與訣竅
2015-12-14 14:11:200 he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically
2017-09-14 17:05:283 The AS7C34098A is a high-performance CMOS 4，194，304-bit Static Random Access Memory （SRAM） device organized as 262，144 words × 16 bits.
2017-09-19 16:59:144 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584 電子發燒友網站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片內存擴展帶插座.zip》資料免費下載
2022-08-05 11:54:540 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-70+相關產品參數、數據手冊，更有DS1230Y-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1230Y-70+真值表，DS1230Y-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:37:17
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-100+相關產品參數、數據手冊，更有DS1230Y-100+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1230Y-100+真值表，DS1230Y-100+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:37:37
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-70IND+相關產品參數、數據手冊，更有DS1230Y-70IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1230Y-70IND+真值表，DS1230Y-70IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:38:05
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-150+相關產品參數、數據手冊，更有DS1230Y-150+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1230Y-150+真值表，DS1230Y-150+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:38:26
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1230Y-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1230Y-120+真值表，DS1230Y-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:38:44
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1230YP-70+相關產品參數、數據手冊，更有DS1230YP-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1230YP-70+真值表，DS1230YP-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:48:17
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