【漲姿勢】“鐵”的事實告訴你，工程師不可望文生義

是時候來科普下威武的鐵電（FRAM）技術了！望文生義對于工程師可不行，例如曾有客戶在設計一級三相智能電表的時候，對是否選擇鐵電存儲器（FRAM）之前，向我們提出了一個問題：“工業環境中那么多電磁干擾，甚至磁鐵，它會不會易于被雜散磁場擾亂？”看來“鐵電”這個術語多少起到了一點誤導作用。

FRAM雖然叫“鐵電”，但是完全與“Fe”元素無關（FRAM含有鈦和鈷）。這一技術采用了一種具有兩種狀態的分子，并且這一分子在電場中使其從一種狀態轉變為另一種狀態時表現出滯后現象。因為這一滯后現象類似于磁介質中的磁滯效應，因此人們將其命名為“鐵電”效應，并且這一叫法保留了下來。

FRAM官方解釋

FRAM（鐵電隨機存取存儲器）也被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。

FRAM技術和工作原理

FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性（Ferroelectricity）和鐵電效應（Ferroelectric Effect）來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩定點。它們可以根據外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定，即使再出現電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數據以“1”或“0”的形式存儲。