在我們的項目中,時常會有參數或數據需要保存。鐵電存儲器的優良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經常使用到的一系列鐵電存儲器,這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅動設計、實現及使用。
2022-12-08 14:56:551116 雖然說使用EEPROM保存參數很有效,但操作及使用次數均有一下限制。當我們的一些參數需要不定時修改或存儲時,使用FRAM就更為方便一點。這一節我們就來設計并實現FM24xxx系列FRAM的驅動。
2022-12-08 15:09:11855 對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說,在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 “今天的發布會上,我將給大家介紹最新一顆鐵電(FRAM)MSP430產品。截至目前為止,TI是唯一一家在市場上提供FRAM MCU的公司”,德州儀器半導體事業部嵌入式產品業務拓展經理吳健鴻(Paul
2014-07-03 10:15:012882 中來工作。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產生高電壓(10 V或更高),并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產生長的寫入延遲并且需要高的寫入功率,這對存儲單元具有破壞性。相比之下,FRAM
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數據保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM,相較于其他非易失性存儲器技術,可實現更快速的數據存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口,容量向16Mb邁進技術優勢解決系列應用瓶頸創新的FRAM 認證芯片促進應用創新
2021-03-04 07:54:14
聚焦AIoT智能新應用
2020-12-02 06:06:54
和配置信息。如果應用中所有存儲器的最大訪問速度是70ns,那么可以使用1片FRAM完成這個系統,使系統結構更加簡單。(3)FRAM與DRAMDRAM適用于那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM
2014-04-25 13:46:28
概述:FM25640是RAMTRON公司生產的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數,掉電數據可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3,最大可達到5 MHz的總線速度,結構容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的,從而在部件使用壽命內支持無限的操作。圖3:MRAM讀寫周期FRAM技術FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器(1T-1FC)架構,該
2022-11-17 15:05:44
和 SPI)提供的 FRAM 內容在系統即便未加電的情況下用于讀取日志消息(例如,通過溫度或壓力發送器讀?。4送猓?b class="flag-6" style="color: red">系統完成安裝并加電之前(或之后),也可在試運行時對配置參數進行編程。通過此類功能,無需為
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設計中表現出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲密度,可以支持完全隨機的讀寫訪問,并且可以獲得所有結果而沒有額外的延遲
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們!富士通將舉辦在線研討會,介紹全新FRAM(鐵電隨機存儲器)解決方案,該器件可在高達攝氏
2017-08-18 17:56:43
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行,但還允許系統設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
電源范圍內工作。此外,與存儲電荷的存儲器設備,FRAM裝置具有耐α粒子和通常表現出軟錯誤率(SER)檢測極限以下。FRAM的優勢的影響漣漪通過的系統,例如無線傳感器節點,需要高速寫入和低功耗工作的組合
2016-02-25 16:25:49
本文以星載測控系統為背景,提出了一種基于 Actel Flash FPGA的高可靠設計方案。采用不易發生單粒子翻轉的 flash FPGA芯片,結合 FPGA內部的改進型三模冗余、分區設計和降級重構,實現了高實時、高可靠的系統。
2021-05-10 06:58:47
單芯片FRAM存儲解決方案成為嵌入式設計的理想選擇
2021-03-04 07:37:38
低功耗應用提高安全性。此外,它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩健統一的存儲器架構,從而可簡化安全系統設計。
2019-07-08 06:03:16
評估閃存系統可靠性,是因為閃存的耐用性規范反映的是平均故障率,每個具體塊的耐用性有高有低。此外,保留的可靠性會隨耐用性極限的接近而下降,因為保留是根據每個存儲器元素的磨損進行統計的。 圖1:FRAM
2014-09-01 17:44:09
功耗要求?!痹陬愃迫缟纤龅?b class="flag-6" style="color: red">系統中,FRAM 可帶來多種優勢。 結合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成,使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
《多媒體電教室的基本構成設備》由會員分享,可在線閱讀,更多相關《多媒體電教室的基本構成設備(27頁珍藏版)》請在人人文庫網上搜索。1、多媒體組合教學應用系統 多媒體電教室 一、多媒體概述 多媒體
2021-09-08 08:13:53
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說,在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫入性能優于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小,在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點?富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應用?
2021-07-11 06:09:49
量級GB/TB/PB/EB/ZB)!在存儲技術領域,低容量密度的嵌入式系統關鍵數據存儲一直似乎風平浪靜,其中利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲的FRAM技術波瀾不驚的從一個小眾產品變成覆蓋幾乎絕大部分
2020-10-30 06:42:47
如今,有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而,迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器(MCU)中閃存技術的強勁競爭者,直到FRAM的出現這種情況才得以改變。鐵電
2019-08-22 06:16:14
在高溫環境下的表現如何? FRAM 是一項非常強大可靠的存儲技術,即使在高溫環境下也是如此。 在溫度為 85 攝氏度時,FRAM 的數據保持時間超過 10 年。這遠遠超過***的身份識別 (ID)卡
2018-08-20 09:11:18
可從全新的地點獲得更多的有用數據北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前,德州儀器(TI)宣布推出業界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器,從而宣告可靠數據錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
無線流媒體監控系統的相關技術有哪些?無線流媒體監控系統組網特點是什么?無線流媒體監控系統是有哪些部分組成的?無線流媒體監控系統主要應用于哪些領域?
2021-05-25 06:52:23
、火車站、大型商場、商業區、商業小區、體育場、廣場等人流量大、商業價值高的區域,媒體發布中心則在各廣告運營商的企業中心。在2.5G的網絡環境下,各媒體廣告運營商主要采用有線網絡的形式和人工更換廣告存儲設備
2015-11-18 09:05:41
MSP430FR2311這個單片機的fram存儲地址是什么還有如何設置
2021-06-06 18:21:25
汽車系統的設計變得越來越復雜,因為要不斷的加入新的功能,如高級駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確保可靠、安全的操作,每個子系統均需要使用特定的非易失性存儲器,以便在復位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術研討會,演講的是一個華裔日本人,趕腳講的還是比較中肯滴,他說:“由于FRAM產品采用并行接口,I2C和SPI,采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
便攜式和無線傳感應用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器,集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩定性和可靠性于一身,但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
、9uA就可以把數據寫完。通過比較可以看到,如果要寫很多數據到Flash等傳統存儲器里,FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數據次數來看,一般存儲器寫一萬來次就到了極限,可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲
2020-05-07 15:56:37
電子工程師的關注,在數據采集系統中用FRAM實時保存數據的方法可使稅控機的數據更可靠,軟件編程更容易用性。 2.3 鐵電存儲器在電子道路收費中的應用 2.3.1 概述 電子道路收費系統
2014-04-25 11:05:59
針對媒體分發網絡(MDN)系統中現有媒體分發存儲策略所存在的問題,為進一步提高系統的性能和滿足更多用戶的點播請求,提出一種基于分塊的存儲策略,該策略通過對每部影片
2009-03-30 10:12:1928 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器,應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:4525 本文介紹了基于DSP 的硬盤存儲式數字媒體系統的特點、應用和實現方案,重點介紹了系統的各個功能單元、數字媒體芯片的選擇和使用,并介紹了該系統的發展前景。DSP 既是數
2009-08-07 08:33:0517 提供可靠服務的P2P 流媒體點播系統:針對P2P 流媒體點播的穩定性和可靠性問題,該文提出一種基于節點可靠度和服務質量評價的點播系統結構RP2MoD。節點根據父節點的失效概率計算
2009-10-28 23:10:1222 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 什么是閃存卡/U盤/SD卡/FIFO/FRAM
閃存卡(Flash Card)是利用閃存(Flash Memory)技術達到存儲電子信息的存儲器,一般應用在數碼相機
2010-03-24 16:49:501649 鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 :針對當前網絡存儲技術存在的存儲服務瓶頤問題,介紹了一種高可靠可擴展PC集群存儲系統的設計方案,并提出了對各個存儲結.點所掛磁盤的分組方案,對大小數據對象分別采用不同的
2011-09-21 16:50:000 鐵電隨機存取存儲器(FRAM)是一種非易失性的獨立型存儲技術,本文將論述FRAM的主要技術屬性,同時探討可充分展現FRAM優勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 近幾年,FRAM(鐵電存儲器)比較火,特別是在三表的應用中。網上也有不少對FRAM技術的討論。這不,小編看到了一篇分享,是某網友總結的FRAM應用的心得,發布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 的人經常會看到,配置有電子標簽的注射器具。手術器具要用伽瑪射線進行消毒,能夠抵抗照射劑量高達50kGy伽瑪射線消毒的只有內置FRAM(非易失性隨機存儲器)的電子標簽。我們可以肯定高可靠性的FRAM是適用于高端醫療領域的為數不多的電子產品。
2017-03-28 15:26:181564 今天,像EEPROM和SRAM這些標準存儲器器件已經被廣泛應用于醫療設備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫療專家對助聽器噪聲,或是需要更換所用設備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產品
2017-03-28 18:11:581494 遇到的縮寫還是以FeRAM居多)作為一種新的存儲方式來報道,而現在,越來越多的應用借FRAM的特性實現了自身在可靠性、性能等方面的突破。
2017-03-28 18:41:571055 與傳統非易失性存儲器相比,FRAM的功耗要低很多,而且寫入速度更快。對于類似的寫入,FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000,達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 隨著物聯網 (IoT) 的擴張,新連接的設備數有望到 2020 年達到數十億。連接這些設備的主要原因之一是要通過數據處理實現更智能的自動化系統。這些設備收集的數據越多,越有利于作出更明智的決策以及改進整個系統。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業界其他解決方案的優勢所在。
2017-04-26 17:19:17775 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢?
2017-09-17 16:34:229447 富士通在開發高質量、高可靠性存儲器FRAM的方面,具有17年以上的豐富量產經驗,并在智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,已取得卓越的應用成果。與時俱進,富士通正積極投入
2017-09-20 12:43:0815 次)和抗輻射特性,非常適合許多工業類和醫療類應用。 在前不久的工業計算機與嵌入式系統展上,富士通半導體公司(Fujitsu)市場部高級產品工程師伍宏杰告訴記者,FRAM是嵌入式領域一個比較有優勢的產品,對設計有幫助,很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲器。
2018-06-02 02:46:0014464 FRAM是ferroelectric random access memor}r(鐵電隨機存取存儲器)的首字母縮寫,它是非易失性存儲器,即便在斷電后也能保留數據。盡管從名稱上說,FRAM是鐵電存儲器,但它不受磁場的影響,因為芯片中不含鐵基材料(鐵)。鐵電材料可在電場中切換極性,但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 關鍵詞:FRAM , 存儲器 引言: FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文: 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間
2018-09-28 15:56:01270 本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 媒體聚焦丨瑞薩電子兩大科技令嵌入式系統實現邊緣智能和擺脫電池束縛
2019-07-02 14:11:521784 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標板 FRAM外擴存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 和FLASH非易失性內存相比,FRAM在EDR應用上有三大關鍵優勢。對于那些有精確時間要求的應用來說,FRAM會立即具備非易失性。這些應用在系統發生故障時,最重要的數據,如數據記錄器通常會面臨風險。FRAM擦寫周期為10E+14,而EEROM為10E+6,FLASH為10E+5,。因此FRAM是數據記錄
2020-05-26 11:03:431080 SPI-FRAM之前,有幾個參數需要進行一些系統級分析,包括輸出負載,啟動時間以及加電和斷電斜坡。 比較的可靠性考慮 CY15B104QN FRAM架構采用鐵電材料作為存儲設備。這些材料的固有電偶極子
2020-09-19 10:07:311628 FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數據保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數據,即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能,可字節尋址的非易失性存儲設備。MRAM(磁性只讀存儲器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優勢:低電壓運行,長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
2020-12-03 11:53:166108 獨特性能成就技術“硬核”,FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數據保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲
2021-04-08 15:42:02824 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 監控,記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統BMS應用 高燒寫耐久性,高速寫入操作: ?系統每0.1或1秒,
2021-05-04 10:18:00377 FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器,FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療
2021-04-26 15:49:16689 開發和量產及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優先存儲器選擇。 為什么這么說?這就要從FRAM的產品特性開始說起。FRAM的學術名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲,
2021-05-11 17:17:09704 FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡和MCU中,預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點,符合科創板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統中使用的主要存儲器,由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優點,FRAM在此領域迅速占領了市場;隨著電子設備和存儲數據需求的增多使得FRAM受到廣泛應用,FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統中。
2021-05-12 16:52:49616 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的,并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性,開銷和系統級可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的,并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599 富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數據保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導體的FRAM器件從開始交付給工業市場已超過21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量產制造經驗的高性能和高度可靠的存儲器。 這么優質的存儲器都用在了哪里呢?今天小編就為大家梳理一下FRAM的應該領域。 物聯
2021-10-28 10:26:562565 便攜式和無線傳感應用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器,集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩定性和可靠性于一身,但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況,以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是一種非易失性存儲器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取存儲器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質,利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785 FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣,因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 舞臺音響是一種用于舞臺演出的音響設備,舞臺音響通常會采用外掛小容量的器件來存儲數據,因此就要求存儲器具有安全、可靠的特性。下圖為舞臺音響的原理框圖,在本方案中,存儲采用拍字節的鐵電存儲器(FRAM
2022-11-25 09:27:52474 FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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