英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米

　　英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發生在2015年。

　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。

　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產可能要到2019年,即16nm以下水平。因此EUV對于22nm半間距己經太遲了,所以只能讓16nm及以下的客戶使用。從兩次曝光和EUV光刻的成本看到EUV與其它技術相比缺乏競爭性。

　　Hamatani談到對于EUV技術存在不少其它的替代方法,如通過掩模源程序的最佳化和定制照明來延伸單個圖形技術。Hamatani說在可供選擇之中有可供32nm半間距及以下的所謂間距兩次曝光,pitch splitting兩次曝光,如稱之為LELE,LFLE及line cutting 光刻技術。能夠精確和穩定的圖形測量是關鍵,包括使用為了減少誤差的帶干涉儀的編碼系統,和EUV相比較兩次圖形曝光比較省錢。

　　三星電子的首席技術官Jeong Ho Yeo表示希望采用兩次圖形曝光和EUV能繼續的把存儲器的尺寸縮小。Yeo又說它的觀點是由于成本及圖形的復雜性,采用多束形成圖形作為一種解決方案可能不現實。為了降低存儲器生產中的成本,低成本的兩次圖形曝光技術是有前途的。

　　在兩次圖形曝光技術中CD控制是個挑戰,需要從技術上去突破。通過平臺功能或者某些自對準方法可以達到所需的套準精度。

　　Yeo認為EUV光刻被證明可達到小於20nm的分辨率,包括4XDRAM的接觸層。雖然如此,Yeo說對于EUV技術尚還有三個挑戰。即無缺陷的EUV掩模;高功率EUV光源及相應的光刻膠。在大量制造時空白掩模的缺陷密度在25nm時要求<0,003/cm2。而目前狀態仍有比較大的差距,在18nm時為1/cm2水平。關于光刻膠方面,在形成22m半間距 pitch 圖形時尚存在差距,如膠的倒塌,分辨率,LWR,放氣和靈敏度。

　　Nikon的總經理 Takaharu Miura認為EUV作為未來的光刻技術尚未就緒,表示目前非常可能是采用延伸ArFi 193nm的兩次圖形曝光技術。他認為作為一項大生產要求的設備必須要能夠具備多代使用的技術能力。在22nm及16nm半間距時,鏡頭的NA要>0,3,而在16nm及11nm半間距時NA要>0,4。關于EUV的光源問題,Miura指出系統必須能提供長時間運行的考驗。在掩模方面尚有大量問題需要解決,需要提供光化學的檢驗與驗證設備。

　　Nikon的院士Soichi Owa,它希望浸入式光刻技術,再加上四倍間距和line cutting光刻能延伸到SRAM的10nm半間距能力。目前的挑戰是適合于EUV的光刻膠和因為需要多次曝光,所以必須減少掩模成本。同時在工藝過程中的檢測十分關鍵。

　　Synopsys公司光刻部經理Kevin Lucas認為目前的工藝和設備己經為間距分離的兩次圖形曝光技術作好了準備,無論邏輯或者存儲器產品,尤其是接觸及互連層中使用。然而,為了取得成功需要增加設計與掩模制造的綜合。它認為從設計規則對于邏輯和存儲器采用兩次圖形曝光都是可能的。當把整個芯片進行復雜度和尺寸分解處理之后,Lucas認為接著OPC和驗證對于兩次圖形曝光的成品率十分重要。采用適當的設計限制多次曝光圖形能進一步縮小尺寸。