概述

　　DS1873用于控制、監(jiān)測(cè)小外形(SFF)、小外形可插拔(SFP)和增強(qiáng)型小外形可插拔(SFP+)模塊的所有功能，包括SFF-8472的全部功能。六通道ADC檢測(cè)VCC、溫度和四路外部監(jiān)控輸入(MON1–MON4)，能夠滿足所有監(jiān)測(cè)要求。兩路數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)輸出配合溫度查找表(LUT)，提供額外的監(jiān)測(cè)和控制功能。為了監(jiān)測(cè)如此多的功能，DS1873需要控制大量的寄存器，本文介紹了控制這些寄存器的一個(gè)變通方法。

DS1873存儲(chǔ)器

DS1873有九個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器表，內(nèi)部劃分成八個(gè)字節(jié)行。

低地址字節(jié)存儲(chǔ)器的地址從00h至7Fh，包括報(bào)警和預(yù)警門限、標(biāo)志位、屏蔽位、幾個(gè)控制寄存器、密碼輸入?yún)^(qū)域(PWE)以及表格選擇字節(jié)。

表01h包含用戶EEPROM (PW1級(jí)訪問(wèn)權(quán)限)和報(bào)警、預(yù)警使能字節(jié)。

表02h為多功能區(qū)域，包含配置寄存器、比例調(diào)節(jié)和失調(diào)值、密碼、中斷寄存器以及其它各種控制字節(jié)。

表04h包含溫度索引LUT，用于控制調(diào)制輸出電壓。LUT可以按照2°C間隔，在-40°C至+102°C范圍內(nèi)編程。

表05h默認(rèn)為空，可以配置為MASK位使能(表02h、寄存器89h)的表01h、寄存器F8h–FFh的報(bào)警、預(yù)警使能字節(jié)。這種情況下，表01h為空。

表06h包含溫度索引LUT，支持自動(dòng)功率控制(APC)設(shè)置點(diǎn)隨溫度變化，以補(bǔ)償跟蹤誤差(TE)。APC LUT具有36個(gè)索引值，按照4°C間隔，在-40°C至+100°C范圍內(nèi)確定APC設(shè)置。

表07h包含溫度索引LUT，用于控制DAC1。該LUT具有36個(gè)索引值，按照4°C間隔，在-40°C至+100°C范圍內(nèi)確定DAC設(shè)置。

表08h包含溫度索引LUT，用于控制DAC2。該LUT具有36個(gè)索引值，按照4°C間隔，在-40°C至+100°C范圍內(nèi)確定DAC設(shè)置。

輔助存儲(chǔ)器(器件A0h)包含256字節(jié)EEPROM，通過(guò)地址00h–FFh訪問(wèn)。輔助存儲(chǔ)器通過(guò)A0h器件地址選擇。

關(guān)于每個(gè)字節(jié)的功能以及讀/寫權(quán)限的詳細(xì)信息，請(qǐng)參考下列表格。

?

EEPROM映射

許多非易失存儲(chǔ)器位于EEPROM映射區(qū)域(請(qǐng)參考下述寄存器參考部分)，受控于表02h、寄存器80h的SEEB位。

DS1873為關(guān)鍵存儲(chǔ)器地址提供映射EEPROM存儲(chǔ)器的位置，可進(jìn)行多次寫操作。默認(rèn)情況下，映射EEPROM位SEEB并不置位，這些存儲(chǔ)器的操作與常規(guī)EEPROM相同。當(dāng)SEEB置位時(shí)，這些存儲(chǔ)器的功能類似于SRAM單元，允許無(wú)限次寫操作，不用擔(dān)心EEPROM的寫次數(shù)問(wèn)題。利用SEEB位還可以不受EEPROM寫時(shí)間t_WR的限制。SEEB使能情況下的任何變化并不影響EEPROM，掉電后不會(huì)保持這些更改。上電后的數(shù)值為SEEB禁用時(shí)最后一次寫入的數(shù)值。SEEB功能可以用來(lái)限制校準(zhǔn)期間EEPROM的寫操作次數(shù)，或者在正常工作時(shí)周期性改變監(jiān)測(cè)門限。這有助于減少EEPROM的寫次數(shù)。下面的存儲(chǔ)器映射表給出了映射EEPROM的位置。

?

DS1873存儲(chǔ)器映射

寄存器參考

以下表格給出了低地址字節(jié)存儲(chǔ)器和表01h、表02h的簡(jiǎn)要參考。請(qǐng)參考數(shù)據(jù)資料中相應(yīng)的寄存器，查找每一位的詳細(xì)說(shuō)明。表04h至表08h為L(zhǎng)UT，不需要單獨(dú)說(shuō)明，請(qǐng)參考數(shù)據(jù)資料了解這些表格的詳細(xì)信息。

注：RSVD是“reserved”的縮寫。

低地址字節(jié)存儲(chǔ)器