16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發
2019-04-18 15:48:47
6010 趙海軍博士和梁孟松博士表示，FinFET的研發工作繼續加速。該公司的14納米工藝目前正處于風險生產階段，預計將在年底前實現盈利。 此外，該公司還開始與12nm工藝的客戶合作，提供了第一代FinFET技術的增強版本。并抓住5G / IoT /汽車和其他行業趨勢的機會實現突破
2019-08-20 09:25:016602 作為業界少數幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經開始使用其14 nm FinFET制造技術批量生產芯片。該公司設法開發了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業領導者合作共同開發了對FinFET技術的支持，通過提供經生產驗證的設計工具與IP來推進對FinFET技術的采用。
2013-02-19 10:42:54823 那么20納米的平面型晶體管還有市場價值么？這是一個很好的問題，就在此時，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術將會全面投入生產而16納米/14納米 FinFET器件的量產還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:541989 
16nm/14nm FinFET技術將是一個Niche技術，或者成為IC設計的主流？歷史證明，每當創新出現，人們就會勾勒如何加以利用以實現新的、而且往往是意想不到的價值。FinFET技術將開啟電腦、通信和所有類型消費電子產品的大躍進時代。
2013-03-28 09:26:472161 在新思科技（Synopsys）于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產業專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發展潛力，但也有風險，而且該技術的最佳時機尚未達到。Cavium 估計FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141173 Cadence系統芯片開發工具已經通過臺積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設計參考手冊第0.1版與 SPICE 模型工具認證,客戶現在可以享用Cadence益華電腦流程為先進制程所提供的速度、功耗與面積優勢。
2013-06-06 09:26:451236 在Synopsys 的協助下，臺灣聯電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術的測試用芯片日前完成了流片。聯電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體制程世代后，與整合元件制造商的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯盟，串連矽智財、半導體設備/材料，以及電子設計自動化供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。
2013-07-24 10:12:501077 EDA 業者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯電和英特爾（Intel）等半導體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發，EDA工具開發商也亦步亦趨，并爭相發布相應解決方案，以協助IC設計商克服電晶體結構改變所帶來的新挑戰，卡位先進制程市場。
2013-08-26 09:34:041899 
大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 （FDSOI）的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢？
2013-12-09 13:49:542325 在近期內，從先進的芯片工藝路線圖中看已經相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術或者另一種FD SOI工藝的平面技術，有望可縮小到10nm節點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經不十分清晰。大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續多久和為什么要替代他們？
2014-02-25 10:16:565279 在歷史上，半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。FinFET會是半導體工藝演進最佳選項？
2014-04-01 09:07:473015 
臺積電昨日宣布其將在未來一年內調用至少100億美元的經費來增加在16nm FinFET芯片的工業生產。旨在進一步提升其在FinFET技術上的領先地位。
2014-10-17 16:33:39965 當今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導體廠商正嘗試開發3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現突出，這也是英特爾的主要競爭對手。
2014-10-22 10:17:591615 昨日臺積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經開始風險性試產。16FF+是標準的16nm FinFET的增強版本，同樣有立體晶體管技術在內，號稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 華力微業界傳出大陸華力微電子高層近期來臺拜會聯發科，表達大陸半導體政策已不再滿足于28納米制程，希望先進邏輯制程技術全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 13:03:071084 打開這一年來半導體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內新一代A9應用處理器采用新晶體管架構很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機處理器，三星
2015-09-19 16:48:004522 
獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:021835 
今日，三星電子正式宣布已經開始大規模生產基于10nm FinFET技術的SoC，這是業界內首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 據外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管（FinFET）制程工藝相關的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學技術院（KAIST）計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項技術，并將其用于生產高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 今年得獎者為美國加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他也曾是臺積電前技術長，主辦單位表示，胡研發的3D鰭式電晶體（FinFET），突破物理極限，使元件更小，能源使用效率提高，堪稱半導體工業40多年來最大變革，也使得摩爾定律得以延續至今
2016-12-30 07:41:271295 日前，中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬
2017-01-13 09:27:373046 FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 根據供應鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準。因此，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠了。
2018-06-15 14:09:468507 8月30日，中芯國際發布2018年中期業績，收入同比增長11.5%至17.22億美元；毛利同比增長5.6%至4.38億美元。中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。中芯國際的第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。
2018-08-31 14:44:335140 現在，隨著FinFET存儲器的出現，需要克服更多的挑戰。這份白皮書涵蓋：FinFET存儲器帶來的新的設計復雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰；怎樣綜合測試算法以檢測和診斷FinFET存儲器具體缺陷；如何通過內建自測試（BIST）基礎架構與高效測試和維修能力的結合來幫助保證FinFET存儲器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 
橫向導電的MOSFET，如下圖所示，這個結構及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結構及特點，其由三個電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向導電MOSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
Finfet技術（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
轉自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
工藝技術的演進遵循摩爾定律，這是這些產品得以上市的主要促成因素。對整個行業來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個重要里程碑。這一過渡促使工藝技術經過了幾代的持續演進，并且減小
2019-07-17 06:21:02
大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
finfet都用什么PR工具？現在后端工具inn成主流了嗎？沒用過Innovus想問一下也能跑skill嗎？
2021-06-25 08:09:39
22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾（Intel） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為叁閘極（tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際上是幾乎呈現三
2012-05-23 09:54:442050 
知名芯片設計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協議，根據該協議，雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產品方面進行合作。
2012-07-24 13:52:57911 GLOBALFOUNDRIES與ARM宣布簽訂一份為期多年的合約，共同推出採用GLOBALFOUNDRIES 20奈米製程與FinFET 技術的 ARM 處理器設計最佳化的系統單晶片 （SoC） 解決方案。
2012-08-15 09:37:141115 GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動市場所設計的新技術，加速其頂尖的發展藍圖。該公司推出的14nm-XM技術，將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優勢，不僅可降低風險，更能
2012-09-24 10:39:38757 該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節點上開發系統級芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 雖然開發先進微縮制程的成本與技術難度愈來愈高，但站在半導體制程前端的大廠們仍繼續在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運用IBM的FinFET制程技術而設計實現之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 全球晶圓代工業者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產14奈米FinFET后，臺灣晶圓雙雄臺積電與聯電亦陸續公布FinFET制程發展藍圖與量產時程表，希冀藉此一新技術，提供
2012-12-20 08:43:111508 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 新思科技提供其基于FinFET技術的半導體設計綜合解決方案。
2013-02-18 13:20:081149 ，采用臺積公司先進的16納米FinFET （16FinFET）工藝打造擁有最快上市、最高性能優勢的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:14869 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識產權）。
2014-05-21 09:44:541769 全球知名電子設計創新領先公司Cadence設計系統公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594 美國加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設計創新領導者Cadence設計系統公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919 了90%基于FinFET設計的量產流片。全球超過20家行業領導性企業已經使用該平臺成功地完成了超過100次FinFET流片。
2015-04-01 16:42:271007 Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布，Calibre? nmPlatform 已通過TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認證。此外，Mentor
2015-09-21 15:37:101300 三星于2015年第一季度發布了半導體芯片行業首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業引領者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發布了首款采用臺積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。
2016-05-19 16:41:50662 據外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管（FinFET）制程工藝相關的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學技術院（KAIST）計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。
2016-12-05 20:08:05559 2015年，基于FinFET 工藝的IC產品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，FPGA也正式步入FinFET 3D晶體管時代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創下業界第一，開啟了FinFET FPGA的新時代。
2019-10-06 11:57:003095 加利福尼亞，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的（7LP）FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施
2017-06-14 16:24:51877 本文介紹設計人員如何采用針對FinFET工藝的IP而克服數據轉換器設計的挑戰。
2017-09-18 18:55:33
17 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? （AFS?） Platform 獲得 TSMC 12nm FinFET Compact
2017-10-11 11:13:422372 我們首先來了解一下什么是FinFET技術。
2017-12-26 16:44:2924211 FinFET 同樣帶來了更多限制，例如電壓閾值感知間隔、植入層規則等。這些因素將影響擺設、布局規劃和優化引擎，還會直接影響設計的利用率和面積。多重圖案拆分收斂和時序收斂相互依存，可以增加設計收斂時間。
2018-04-04 14:23:001101 TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Mentor 同時宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術
2018-05-17 15:19:003391 韓國三星為了多元化營收來源，這兩年晶圓代工業務為重點發展項目，2018年率先推出7納米EUV制程，搶在臺積電、格羅方德與英特爾之前推出。但三星如今似乎“吃緊弄破碗”，FinFET制程惹上了麻煩。根據
2018-06-20 14:19:002262 根據美國德克薩斯州聯邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利，必須賠償4億美元。
2018-06-22 16:28:343915 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠
2018-07-06 15:23:523383 格芯方面表示，他們正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖，以服務未來幾年采用該技術的下一波客戶。公司將相應優化開發資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042 關鍵詞：格芯 , FinFET 功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性 格芯今日在其年度全球技術大會(GTC)上宣布計劃在其14/12nm FinFET產品中引入全套
2018-10-04 00:09:01125 三個月前，晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項目，業內嘩然。在臺積電、三星等競爭對手正在努力搶占7nm制程市場之時，格芯為何作出此舉？放棄7nm制程后，格芯未來的路又將走向何方？這是業界關心的問題。
2018-12-03 14:30:562838 4月16日，三星官網發布新聞稿，宣布已經完成5納米FinFET工藝技術開發，現已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008 通過這些EDA創新，如果你是即將采用FinFET工藝的數字設計人員且最近的節點是20nm，那么FinFETs只不過是一種漸進的變化。BEOL沒有新的內容，物理設計在很大程度上仍舊保持不變，而EDA工具負責執行必要的分析。
2019-10-12 08:39:464060 FinFET技術是電子行業的下一代前沿技術，是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:363193 Nandra補充說，“FinFET固有增益很高，但是跨導（gm）實際上很低，和頻率（ft）一樣。更先進的幾何布局比平面器件更容易實現匹配，能夠很好的控制晶體管特性。結果是，您可以開發性能更好的電路。而且，還有其他的令人驚奇的地方。例如，輸出電流較小，因此，您開發的數據轉換器會更小。”
2019-09-25 14:27:2111473 
的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智能（AI）應用上市時間。
2019-11-06 15:59:552940 據介紹，14nm FinFET工藝使得界面態密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進工藝優勢，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
據中國臺灣消息報道，中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經從競爭對手臺積電手中，奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677 關注半導體產業的臺灣《電子時報》（DigiTimes）1 月 13 日報道稱，中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電，奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環繞式柵極（GAA）”技術取代FinFET晶體管技術，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉向GAA，就已有一個時代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 臺積電3納米將繼續采取目前的FinFET晶體管技術，這意味著臺積電確認了3納米工藝并非FinFET技術的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術下，在3納米制程里取得水準以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術遠超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 FinFET（鰭式場效應晶體管）在當前的晶圓代工領域可謂是大放異彩的核心技術，臺積電甚至打算一路用到3nm時代。
2020-09-15 15:42:171794 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:402858 
據消息，IP和定制芯片企業芯動科技已完成全球首個基于中芯國際FinFET N＋1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次性通過。 在半導體領域，芯片流片也就等同于試生產，即設計完電路
2020-10-16 10:26:1112497 
據科創板日報報道稱，中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產。 科創板中芯國際在互動平臺表示，公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產；第二代FinFETN+1已進入客戶導入階段
2020-12-04 18:08:151858 中芯國際在互動平臺上回答投資者時表示，第二代FinFET 已進入小量試產。 在回答投資者 近來公司 7 納米產品生產研發進展如何？的問題時，中芯國際表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:372570 據最新消息，我國芯片生產巨頭中芯國際在互動平臺公開表示，該司即將在2020年底小批量試產第二代FinFET N+1芯片，目前這一芯片已經進入客戶導入階段。去年年底，中芯國際率先完成任務，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產工作。
2020-12-08 15:41:092788 FinFET晶體管架構是當今半導體行業的主力軍。但是，隨著器件的持續微縮，短溝道效應迫使業界引入新的晶體管架構。在本文中，IMEC的3D混合微縮項目總監Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術節點發展的演進之路。
2020-12-24 15:54:06289 ? ? FinFET晶體管架構是當今半導體行業的主力軍。但是，隨著器件的持續微縮，短溝道效應迫使業界引入新的晶體管架構。在本文中，IMEC的3D混合微縮項目總監Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:162676 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。
2022-05-05 16:00:291209 
FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術節點面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經趨于極限。
2022-08-01 15:33:11952 ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設計服務（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進工藝）及生產的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實現更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優化至關重要。
2023-01-04 15:54:511488 臺積電官網宣布推出大學FinFET專案，目的在于培育未來半導體芯片設計人才并推動全球學術創新。
2023-02-08 11:21:01279 臺積電宣布推出大學FinFET專案，目的在于培育未來半導體芯片設計人才并推動全球學術創新。
2023-04-23 09:29:035165 推動半導體行業發展并使今天的芯片成為可能的關鍵技術趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術是環柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:374434 
今天要介紹的數字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設計格點。介紹該格點前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術。
2023-07-12 17:31:45731 
當做到FinFET工藝時才了解到這個名詞，在平面工藝時都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個概念。為什么到FinFET下開始需要注意SHE的影響了呢？下面參考一些材料總結一下分享，如有不準確的地方請幫指正。
2023-12-07 09:25:09677 
且值此具有歷史意義的時刻，位于法國格勒諾布爾的行業領軍企業Dolphin Design，已于近期成功流片首款內置先進音頻IP的12 nm FinFET測試芯片，這無疑是公司發展路上一座新的里程碑。
2024-02-22 15:53:11173
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