雙方共同客戶可獲得“從初步規劃到簽核” 3DIC完整解決方案，應對數千億晶體管的復雜性

　　加利福尼亞州山景城2021年12月8日 /美通社/ --

　　要點：

　　統一的3DIC平臺可系統級地驅動PPA優化

　　新思科技和三星晶圓廠（以下簡稱為“三星”）著力提升先進節點和多裸晶芯片封裝的創新和效率，滿足HPC、AI、汽車和5G等應用的大量需求

　　新思科技（Synopsys， Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，其集成了2.5D和3D多裸晶芯片封裝協同設計和分析技術3DIC Compiler平臺已通過三星多裸晶芯片集成（MDI?）流程認證，以助力面向高性能計算、AI和5G等計算密集型應用SoC的創新。基于此，雙方共同客戶能夠通過統一的3DIC設計平臺高效管理復雜的2.5D和3D設計，支持數千億晶體管設計，并達成更佳PPA目標和擴展性能。

　　三星電子晶圓廠設計技術團隊副總裁Sangyun Kim表示：“新思科技和三星正共同努力，通過從早期到系統全面實現和簽核的分析，簡化多裸晶芯片設計優化的方式。基于新思科技3DIC Compiler平臺進行芯片和先進封裝協同設計和分析，再一次證明了我們的密切合作能夠為客戶提供先進生產力解決方案，協助他們縮短周轉時間并降低成本。”

　　多裸晶芯片集成是指將多個裸晶芯片堆疊并集成在單個封裝中，以滿足在PPA、功能性、外形尺寸和成本方面的系統要求。在這種模式下，終端產品可模塊化靈活組合，將不同的技術混合和匹配成解決方案，以滿足不同的市場細分或需求。3DIC Compiler是一套完整的端到端解決方案，可實現高效的多裸晶芯片設計和全系統集成。它建立在高度集成的新思科技Fusion Design Platform?的通用、可擴展的數據模型之上，支持多裸晶芯片的協同設計和分析，為3D可視化、設計早期探索、規劃、具體實現、設計分析和簽核提供統一無縫集成的環境。

　　新思科技芯片實現事業部總經理Shankar Krishnamoorthy表示：“傳統的3D IC設計流程分離繁瑣且需要反復迭代，實現多裸晶芯片集成需要多個工具和流程，因此限制了工程效率。為滿足我們客戶對更高效率、更大擴展能力的需求，我們在3DIC Compiler上進行開創性創新，提供開發到簽核的3D硅實現一體化平臺，進一步提升了新思科技在此領域的領先地位。 三星和新思科技密切合作，實現3DIC Compiler在MDI流程的驗證，為我們的共同客戶提供經過流片驗證的成熟平臺，以優化其創新多裸晶芯片設計并加速產品上市。”

　　3DIC Compiler平臺集成了StarRC?和PrimeTime?黃金簽核解決方案，氪為多裸晶芯片提取寄生參數及靜態時序分析 （STA）；采用Ansys? RedHawk?-SC和HFSS技術進行電遷移/電壓降（EMIR）分析、信號完整性/電源完整性 （SI/PI） 分析及熱分析；內置PrimeSim? Continuum用以電路仿真，并集成了IC Validator?用以設計規則檢查 （DRC） 、電路布局驗證（LVS） ；同時還包含了新思科技TestMAX? 支持IEEE1838多裸晶芯片測試設計標準的DFT 解決方案。

　　3DIC Compiler作為新思科技Fusion Design Platform的一部分，與Fusion Compiler?結合使用可擴展實現多裸晶芯片RTL-to-GDSII的協同優化。此外，該解決方案還提供DesignWare? Foundation、112G USR/XSR Die-to-Die和HBM2/2E/3 IP、SiliconMAX? In-Chip Monitoring and Sensing IP，并支持集成光電技術。 更廣泛的解決方案可通過新思科技Verification Continuum?平臺提供硬件和軟件協同驗證、功率分析和系統物理原型設計。3DIC Compiler平臺和更廣泛的芯片實現產品組合都是新思科技Silicon to Software?戰略的一部分，旨在助力開發面向未來的半導體和軟件產品。