作為芯片行業(yè)從業(yè)者，估計(jì)很多人最怕聽到的就是一些話是：芯片“可靠性”出問題了。對(duì)于5G射頻芯片，評(píng)估基本性能都已經(jīng)非常復(fù)雜，出了“可靠性”問題更是會(huì)讓人膽戰(zhàn)心驚。

如果“可靠性”評(píng)估不徹底，器件在終端使用中出現(xiàn)失效，則會(huì)影響產(chǎn)品功能，嚴(yán)重時(shí)可能造成不可挽回的慘痛后果。

但如果對(duì)“可靠性”的評(píng)估不科學(xué)，層層加碼、過度苛責(zé)，又會(huì)嚴(yán)重影響項(xiàng)目進(jìn)度，使成本、時(shí)間急劇上升。

為了科學(xué)的解釋和評(píng)估電子元器件的可靠性，伴隨著1947年半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明和大規(guī)模應(yīng)用，逐漸興起了一個(gè)學(xué)科：可靠性工程。

可靠性工程是提高元器件在整個(gè)生命周期內(nèi)可靠性的一門工程技術(shù)學(xué)科，涉及設(shè)計(jì)、分析、試驗(yàn)等各個(gè)產(chǎn)品開發(fā)過程?？煽啃怨こ逃?950年前后在美國(guó)興起，伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，已經(jīng)發(fā)展了70年。本文借可靠性工程的相關(guān)理念和方法，和大家就芯片的可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估理念做一個(gè)討論。

? 可靠性工程中的幾個(gè)重要理念??

失效時(shí)間：性能退化是基本物理規(guī)律

正如人有生老病死，自然界中物體的特性也會(huì)逐漸退化。這也符合熱力學(xué)第二定律，熵增定律的表現(xiàn)：孤立不可逆系統(tǒng)的熵（無序程度），會(huì)隨著時(shí)間增加而增加。 ? 既然每個(gè)期間都會(huì)性能退化，那器件可以使用的時(shí)間究竟是多少呢？于是，失效時(shí)間（Timeto Failure，TF）的概念就被引入了進(jìn)來。 ? 在可靠性工程中，認(rèn)為器件參數(shù)S是與時(shí)間t相關(guān)的函數(shù)。性能參數(shù)S與初始性能S0、時(shí)間t的關(guān)系，可以用級(jí)數(shù)的方式表示出來（m為冪律指數(shù)）： ?

通過以上公式可以看到，參數(shù)S會(huì)隨時(shí)間變化而變化，變大與變小受正負(fù)號(hào)控制，變化的幅度受A0控制。 ? 當(dāng)器件參數(shù)S隨時(shí)間變化而減小時(shí)，假設(shè)可以在不同時(shí)間將器件參數(shù)均采集出來，就可以得到以下器件參數(shù)S隨時(shí)間變化的曲線： ?

圖：器件參數(shù)S隨時(shí)間變化而減小

得到以上參數(shù)后，如果將S變化原有值的80%作為臨界值，就可以得到不同器件失效時(shí)對(duì)應(yīng)的時(shí)間。這個(gè)時(shí)間就定位為失效時(shí)間（Time to Failure，TF）。 ?

圖：器件失效時(shí)間（TF）的定義 ?

加速退化：可控時(shí)間內(nèi)測(cè)試出器件壽命

如前節(jié)所述，器件性能的退化是隨時(shí)間演進(jìn)而發(fā)生的。對(duì)于消費(fèi)類產(chǎn)品來說，一般生命周期長(zhǎng)達(dá)數(shù)年。在產(chǎn)品推出來之前，先做完整個(gè)生命周期的可靠性驗(yàn)證是不現(xiàn)實(shí)的，更不用說一些工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)的芯片需要10年以上的可靠性壽命。 ? 于是，加速退化的概念就被引入進(jìn)來。 ? 加速退化（Accelerated Degradation）是指通過提高器件測(cè)試條件的應(yīng)力、或者升高濕度，來加快器件退化的過程。其目的是在不改變失效發(fā)生物理機(jī)理情況下，縮短失效測(cè)試的周期。 ?

加速因子：確定加速的速度

加速測(cè)試確實(shí)可大大減少可靠性測(cè)試所需要的時(shí)間，但究竟可以加速到多快呢？加速需要采用的測(cè)試條件應(yīng)力、溫度與加速時(shí)間之間又是什么關(guān)系？這里就有了加速因子的概念。

加速因子（Accelerated Factor）是加速測(cè)試?yán)碚撝械闹匾拍?，是指在加速?yīng)力條件下快速采集器件失效時(shí)間數(shù)據(jù)，并將這些數(shù)據(jù)外推到器件正常使用環(huán)境，得到正常使用下的失效時(shí)間。 ? 需要說明的是，采用加速模型進(jìn)行加速老化實(shí)驗(yàn)時(shí)，一定要確保兩點(diǎn)：

加速必須是均勻的

不能改變失效的物理機(jī)制

第一點(diǎn)中，加速均勻性的要求是加速模型計(jì)算中的需求。第二點(diǎn)“不能改變失效物理機(jī)制”同樣需要注意，需要確保不因?yàn)閰?shù)應(yīng)力過大，而出現(xiàn)其他失效問題（如瞬間失效燒毀等）。 ? 設(shè)計(jì)合理的加速測(cè)試環(huán)境需要對(duì)器件的失效機(jī)理有著深入的分析。在集成電路產(chǎn)品中，典型的失效機(jī)理包含[2]：

電遷移

應(yīng)力遷移

腐蝕

熱循環(huán)疲勞

時(shí)間相關(guān)介電擊穿

熱載流子注入

離子鍵斷裂

加速測(cè)試方法需要根據(jù)以上失效機(jī)理進(jìn)行合適設(shè)計(jì)。

常見的加速退化方法

加速因子與加速時(shí)間有對(duì)應(yīng)關(guān)系是較為容易理解的，但要精準(zhǔn)推導(dǎo)出二者的數(shù)學(xué)聯(lián)系就較為復(fù)雜了。 ? 于是，行業(yè)組織這時(shí)就發(fā)揮出了較大的作用。 ? 1958年，由半導(dǎo)體器件制造廠商、設(shè)計(jì)廠商以及終端應(yīng)用廠商等，共同成立了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC（Joint Electron Device EngineeringCouncil，聯(lián)合電子器件委員會(huì)），用于制定統(tǒng)一的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定。 ? 根據(jù)器件的老化機(jī)理，JEDEC定義了系列的加速測(cè)試方法。常見的加速測(cè)試方法如下。 ?

圖：常見的加速測(cè)試方法

JEDEC所定義的加速測(cè)試方法已成為電子器件的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法。在實(shí)際產(chǎn)品交付中，需要將以上可靠性報(bào)告，伴隨產(chǎn)品一起向客戶交付。 ?

浴盆曲線模型：將失效分時(shí)期看待

為了理解不同時(shí)期內(nèi)器件失效發(fā)生的物理機(jī)理，可靠性工程中引入著名的“浴盆曲線”概念。 ? 浴盆曲線（Bathtub Curve）認(rèn)為一般器件失效有三個(gè)明顯不同的階段：

早夭期（Early Failure Rate，EFR）：在器件早期使用階段發(fā)生，失效率較高。這個(gè)時(shí)期主要的失效原因是器件生產(chǎn)時(shí)的嚴(yán)重缺陷造成；

本征失效期（Intrinsic FailureRate，IFR）：這個(gè)階段是由于器件內(nèi)部材料內(nèi)部存在微小缺陷造成的；

耗盡期（Wear-out）：這個(gè)階段器件的性能已經(jīng)退化，達(dá)到使用的末期。此時(shí)失效由于器件的正常退化造成。

圖：可靠性浴盆曲線

可靠性浴盆曲線反應(yīng)了失效的一般規(guī)律，甚至可以用生物的生命周期來類比：一般新生兒在出生的24小時(shí)內(nèi)，需要醫(yī)生格外關(guān)注，如果新生兒有一些出生時(shí)的缺陷，則在這個(gè)時(shí)期很容易出現(xiàn)生命危險(xiǎn)；而經(jīng)過一年之后一直到70歲左右，這個(gè)時(shí)期內(nèi)死亡率較低并且趨于平緩；而到70歲之后，人類的器官開始出現(xiàn)消耗殆盡的現(xiàn)象。 ? 對(duì)于集成電路來說，早夭期（EFR）可能會(huì)延續(xù)一年的時(shí)間。為了剔除存在缺陷的產(chǎn)品，使之不至于流向客戶造成高的失效率，集成電路會(huì)采用讓產(chǎn)品試運(yùn)行一段時(shí)間，來清除有先天缺陷產(chǎn)品，這個(gè)清除的過程，被稱為Burn-in（老化）。 ? 將器件做長(zhǎng)達(dá)一年的Burn-in是不現(xiàn)實(shí)的。所以，一般會(huì)用到前一節(jié)提到的“加速退化”的方法，提升器件工作時(shí)的電壓或其他工作條件的應(yīng)力，使失效時(shí)間縮短到幾小時(shí)、幾分鐘，甚至幾秒鐘。與加速退化的分析類似，具體所加應(yīng)力大小與對(duì)應(yīng)時(shí)間的關(guān)系，需要根據(jù)器件的失效各類來確定。 ? Burn-in是一種對(duì)產(chǎn)出產(chǎn)品進(jìn)行100%篩選的非破壞性實(shí)驗(yàn)，目的是將早夭產(chǎn)品剔除。由于實(shí)驗(yàn)對(duì)應(yīng)芯片工作的時(shí)長(zhǎng)是早期失效階段（比如一年正常工作時(shí)間），所以并沒有使器件進(jìn)入耗盡期而發(fā)生性能的退化失效，也不會(huì)明顯減少器件使用壽命（器件的壽命通常為數(shù)年）。 ? 另外需要說明的是，Burn-in是減少早期失效的一種方式，需要在每顆產(chǎn)品出廠前進(jìn)行全數(shù)測(cè)試。如果工藝和設(shè)計(jì)電路成熟，有數(shù)據(jù)表明器件早期失效率穩(wěn)定，也可以在測(cè)試中去掉Burn-in的測(cè)試。 ?

統(tǒng)計(jì)概念的引入：評(píng)估性能波動(dòng)的影響

失效時(shí)間定義了器件性能隨時(shí)間的變化。在大批量使用時(shí)，還會(huì)存在不同器件間性能波動(dòng)的問題。

既然不同器件之間的性能是不完全一致的，那如何衡量波動(dòng)和確定卡控門限（Limit）呢？于是，統(tǒng)計(jì)的概念就被引入了進(jìn)來。 ? 正態(tài)分布（Normal Distribution）是數(shù)學(xué)家們?cè)?8世紀(jì)所發(fā)現(xiàn)的一種統(tǒng)計(jì)規(guī)律，著名高斯在1809年對(duì)其進(jìn)行了理論推導(dǎo)與完善，所以正態(tài)分布又被稱為高斯分布。 ? 正態(tài)分布的作用不止是揭示了一個(gè)數(shù)學(xué)現(xiàn)象，而是在實(shí)際工程應(yīng)用中有著重要的作用。

圖：正態(tài)分布及其對(duì)應(yīng)區(qū)間的概率

正態(tài)分布中兩個(gè)重要參數(shù)是均值和標(biāo)準(zhǔn)差。均值決定了數(shù)據(jù)的平均數(shù)，標(biāo)準(zhǔn)差決定了數(shù)據(jù)的分散程度。在正態(tài)分布中：

68%的數(shù)據(jù)在平均值1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差內(nèi)；

95%的數(shù)據(jù)在平均值2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差內(nèi)；

99.7%的數(shù)據(jù)在平均值3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差內(nèi)

一旦根據(jù)統(tǒng)計(jì)分布得出某一變量的均值和標(biāo)準(zhǔn)差后，就可以根據(jù)高斯分布，計(jì)算出任意給定區(qū)間內(nèi)的概率分布。所以，此種統(tǒng)計(jì)的方法可以用來計(jì)算給定上下限的良率，或者推測(cè)性能波動(dòng)帶來的ppm失效率。

? 高可靠性芯片的設(shè)計(jì)和評(píng)估??

基于以上可靠性工程理念，在芯片產(chǎn)品開發(fā)過程中加入高可靠性設(shè)計(jì)與評(píng)估。 ? 根據(jù)芯片是否帶電測(cè)試，芯片的可靠性主要分為Electric類與Mechanic類兩類。射頻前端產(chǎn)品常見的可靠性測(cè)試內(nèi)容如下。 ?

圖：常見的可靠性測(cè)試項(xiàng)目

以上可靠性測(cè)試項(xiàng)根據(jù)產(chǎn)品的不同需求，選擇進(jìn)行評(píng)估。部分測(cè)試目的相同的測(cè)試項(xiàng)（如THB與bHAST），可以二選一進(jìn)行測(cè)試。 ? ?

高可靠芯片的設(shè)計(jì)

“可靠性是設(shè)計(jì)出來的，不是測(cè)試出來的”是高可靠芯片設(shè)計(jì)中的重要理念。實(shí)現(xiàn)滿足以上可靠性需求的高可靠模組芯片，必須要在設(shè)計(jì)之初就對(duì)芯片的高可靠性加以考慮。 ? 常見的高可靠性芯片設(shè)計(jì)思路是FMEA（FailureModes and Effects Analysis）方法，下圖為典型的包含F(xiàn)MEA的迭代開發(fā)流程。 ?

圖：包含F(xiàn)MEA的迭代開發(fā)流程

高可靠芯片的驗(yàn)證

芯片的可靠性驗(yàn)證一般遵循一定的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，常見的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為前一章節(jié)提到的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，另外還有車規(guī)產(chǎn)品驗(yàn)證的AEC-Q系列標(biāo)準(zhǔn)。 ? 這些標(biāo)準(zhǔn)中建立起標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法。同時(shí)，在器件選取數(shù)量、判定標(biāo)準(zhǔn)上也做了明確規(guī)定。如下為JEDEC相關(guān)測(cè)試項(xiàng)及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。高可靠的芯片設(shè)計(jì)必須完全通過以下測(cè)試。 ?

圖：JEDEC所規(guī)定的測(cè)試項(xiàng)及條件（部分）

? ? 總? ?結(jié)???

高質(zhì)量芯片是先進(jìn)的設(shè)計(jì)能力、優(yōu)質(zhì)的流程管理、完整的可靠性評(píng)估帶來的綜合結(jié)果。開發(fā)高質(zhì)量芯片，對(duì)設(shè)計(jì)企業(yè)的綜合能力和開發(fā)投入提出了高的要求。 ? ?

[1].章曉文等, 2015, 半導(dǎo)體集成電路的可靠性及評(píng)價(jià)方法

[2].姚立真，2004，可靠性物理

[3].J. W. McPherson, 2019, ReliabilityPhysics and Engineering

[4].https://www.jedec.org/ ?

編輯：黃飛

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