臺(tái)灣積體電路制造公司（簡(jiǎn)稱為臺(tái)積電（TSMC））最近宣布了其第四個(gè)28nm工藝進(jìn)入了量產(chǎn) - 28HPC Plus（即28HPC +）。臺(tái)積電（TSMC）的前兩項(xiàng)28nm工藝（聚氮氧化硅28
2017-11-01 06:04:00
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高通執(zhí)行副總裁史蒂芬·莫林科夫(Steven Mollenkopf)終于證實(shí)，公司旗下首款采用28納米制造工藝的產(chǎn)品將于今年年底到來(lái)!其實(shí)早前業(yè)內(nèi)就已經(jīng)有消息放出，暗示高通將于今年晚些時(shí)候才發(fā)
2011-07-23 09:14:133258 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司日前宣布其與TSMC在3D IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)開(kāi)發(fā)方面的合作。
2012-06-11 09:47:431071 新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布： 該公司針對(duì)多家領(lǐng)先的晶圓代工廠優(yōu)化的28納米工藝DesignWare IP已贏得第100項(xiàng)設(shè)計(jì)。
2012-09-20 10:11:401139 賽靈思的20納米產(chǎn)品以備受市場(chǎng)肯定的28納米制程突破性技術(shù)為基礎(chǔ)，提供超越一個(gè)技術(shù)世代的系統(tǒng)效能、功耗和可編程系統(tǒng)整合度，繼續(xù)超越下一代！
2012-12-03 09:48:01876 Altera公司（NASDAQ： ALTR）和TSMC （TWSE： 2330， NYSE： TSM）今天再次強(qiáng)調(diào)雙方將繼續(xù)長(zhǎng)期合作，為FPGA創(chuàng)新設(shè)立新里程碑。TSMC是Altera的主要代工
2013-02-26 16:16:58708 Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（Cadence Design Systems， Inc.）（納斯達(dá)克代碼：CDNS）今日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 賽靈思（Xilinx）營(yíng)收表現(xiàn)持續(xù)看漲。賽靈思攜手臺(tái)積電，先將28納米制程新產(chǎn)品效益極大化，而后將持續(xù)提高20納米及16納米FinFET制程比例，同時(shí)以FPGA、SoC及3D IC三大產(chǎn)品線創(chuàng)造5年以上的持續(xù)獲利表現(xiàn)。賽靈思將可利用與臺(tái)積電良好的合作關(guān)系，于先進(jìn)制程競(jìng)賽中穩(wěn)扎穩(wěn)打，獲得客戶青睞。
2013-10-22 09:08:011144 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其與臺(tái)積公司（ TSMC）已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開(kāi)展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。
2015-05-29 09:09:491802 采用其28納米工藝制程的 Qualcomm?驍龍?410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機(jī)，這是28納米核心芯片實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的重要一步，開(kāi)啟了先進(jìn)手機(jī)芯片制造落地中國(guó)的新紀(jì)元。
2015-08-11 07:54:462718 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過(guò)授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 （Microcontroller Unit, MCU）市場(chǎng)，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲(chǔ)器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺(tái)。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時(shí)，95納米5V SG eNVM工藝平臺(tái)以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
想問(wèn)一下，TSMC350nm的工藝庫(kù)是不是不太適合做LC-VCO啊，庫(kù)里就一個(gè)電容能選的，也沒(méi)有電感可以選。（因?yàn)檎n程提供的工藝庫(kù)就只有這個(gè)350nm的，想做LC-VCO感覺(jué)又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請(qǐng)問(wèn)350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
工藝庫(kù)TSMC0.18um和TSMC0.18umrf有什么區(qū)別呢？求大神解答
2021-06-23 07:33:12
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對(duì)一個(gè)研究項(xiàng)目進(jìn)行合作，共同開(kāi)發(fā)基于酶涂層碳納米
2018-11-19 15:20:44
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
最近在使用UMC 28HPC工藝進(jìn)行MC仿真，發(fā)現(xiàn)兩個(gè)問(wèn)題：1. MC仿真結(jié)果的std（標(biāo)準(zhǔn)差）和實(shí)測(cè)結(jié)果不match，實(shí)測(cè)結(jié)果大概為仿真結(jié)果的3倍。查看了一下U28HPC的model file
2021-06-25 06:40:16
有顏色嗎回答：一般0-200納米無(wú)任何顏色，200納米以上有可能有彩虹，可能是產(chǎn)品表面不平整反射導(dǎo)致，也要看看不同工藝。問(wèn)題四：什么是納米防水防潮膜的指標(biāo)。回答：水滴角與膜厚。其他性能下期繼續(xù)。[url=]更多操作[/url]
2018-09-28 23:44:17
一半，而性能提高兩倍。通過(guò)選擇一個(gè)高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個(gè)覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴(kuò)展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價(jià)值， 為客戶提供具備 ASIC 級(jí)功能
2019-08-09 07:27:00
我在使用TSMC 65GP 工藝 跑蒙特卡洛仿真，我只用了lvt的N管和P管，MODEL里面我把所有帶lvt的都選了，還是遇到這個(gè)問(wèn)題，有大神可以幫忙一下嗎
2021-06-24 07:08:35
求TSMC90nm的工藝庫(kù)，請(qǐng)問(wèn)可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
實(shí)驗(yàn)室呼叫是我們與愛(ài)立信持續(xù)推動(dòng)創(chuàng)新與合作的又一例證，我們期待與他們繼續(xù)攜手引領(lǐng)行業(yè)的下一個(gè)里程碑，并在2019年年初實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)終端的商用部署。”
2018-09-11 08:18:22
，7項(xiàng)專利已經(jīng)受理，5項(xiàng)專利正在申請(qǐng)中。目前擁有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、部分產(chǎn)品國(guó)際領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝，高純超細(xì)氧化鋁、5n氧化鋁、超活性高純納米二氧化鈦、納米氧化鈦、高純納米氧化鋯、納米氧化鋁、納米氧化鋅、納米氧化鈰
2011-11-12 09:57:00
nch_dnw，mom電容等）的工藝文檔說(shuō)明在哪個(gè)路徑下？之前65nm的文檔在/PDK_doc/TSMC_DOC_WM/model文件夾下，28nm的好像沒(méi)有？
2021-06-24 06:18:43
請(qǐng)教各位大佬TSMC0.18um中，BCD工藝和mixsignal工藝的區(qū)別，除了mos結(jié)構(gòu)上會(huì)有hvnw和nbl隔離之外，還有其他的嗎
2021-06-25 07:08:49
英飛凌、TSMC擴(kuò)大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開(kāi)發(fā)
2009-11-10 09:02:381977 微捷碼推出28納米及28納米以下IP特征表征新標(biāo)準(zhǔn)
微捷碼（Magma®）設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司（納斯達(dá)克代碼：LAVA）日前宣布推出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SiliconSmart產(chǎn)品線新產(chǎn)品——
2009-12-18 09:51:50907 臺(tái)積電與富士通合作開(kāi)發(fā)28納米芯片
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，富士通旗下富士通微電子近期將派遣10到15名工程師與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)28納米芯片，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年底將出貨富士
2010-01-14 09:10:17812 臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品
外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551058 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點(diǎn)的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)有
2010-02-05 08:53:36732 
賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺(tái)開(kāi)發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進(jìn)可編程勢(shì)在必行之必然趨勢(shì)，正對(duì)系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21383 三星擴(kuò)大和賽靈思合作28納米制程
據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，全球最大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商三星電子(Samsung Electronics)將和可編程邏輯IC龍頭FPGA業(yè)者賽
2010-02-24 09:32:42464 TSMC推出最新深亞微米互通式EDA格式
TSMC 7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automatio
2010-04-09 10:36:49672 近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財(cái)年開(kāi)始出樣。基于28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對(duì)高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，一款經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的支持Common Platform™聯(lián)盟32/28納米低功耗工藝技術(shù)的層次化RTL-to-GDSII參考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 微捷碼QCP提取器已被臺(tái)積電(TSMC)納入其季度28納米集成電路(IC)EDA質(zhì)量檢驗(yàn)報(bào)告中。這次質(zhì)量檢驗(yàn)讓設(shè)計(jì)師們對(duì)采用QCP解決臺(tái)積電28納米工藝IC日益提高的復(fù)雜性問(wèn)題更有信心。
2011-07-15 08:39:06877 中國(guó)頂尖設(shè)計(jì)公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開(kāi)發(fā)芯片，而本地9.2%無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進(jìn)的45納米或以下的工藝技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 雖然TSMC對(duì)于旗下28nm工藝依然保持著較為保守的態(tài)度，但是根據(jù)近期非官方的報(bào)道，由于來(lái)自官戶的需求不斷提升，TSMC將會(huì)對(duì)28nm晶元進(jìn)行提價(jià)。
2011-09-16 09:30:03955 
ARM公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工商聯(lián)電近日共同宣布達(dá)成長(zhǎng)期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過(guò)聯(lián)電28HPM工藝技術(shù)驗(yàn)證的ARM Artisan物理IP解決方案。這項(xiàng)最新的28納米工藝技術(shù)的
2011-10-13 09:32:44631 ARM與臺(tái)灣晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)日前共同宣布，雙方已順利合作完成首件采用20納米工藝技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A15處理器設(shè)計(jì)定案(Tape Out)。藉由臺(tái)積電在開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)上建構(gòu)完成的20納米
2011-10-24 09:32:56854 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動(dòng)高性能（HPM）工藝技術(shù)的
2012-02-22 14:04:27754 珠海全志科技與TSMC今（26）日共同宣布，成功推出采用TSMC55納米工藝生產(chǎn)的A10系列系統(tǒng)整合芯片（SoC）平臺(tái)，藉由搭配珠海全志科技全新的Android 4.0.3 軟件開(kāi)發(fā)工具包（Software Devel
2012-03-27 08:52:402408 3月29日上午消息，中芯國(guó)際宣布公司與IBM于2012年3月28日簽訂一項(xiàng)協(xié)議，雙方將就行業(yè)兼容28納米技術(shù)的要素進(jìn)行合作。
2012-03-29 12:46:53796 臺(tái)積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011年第四季度開(kāi)始從28納米芯片獲得營(yíng)收，目前28納米工藝芯片占有公司總營(yíng)收的額5%。在今年晚些時(shí)候，TSMC將加速28納米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830 
TSMC今（3）日宣布，采用28納米高效能工藝生產(chǎn)的ARM? Cortex-A9雙核心處理器測(cè)試芯片在常態(tài)下的處理速度高達(dá)3.1GHz。
2012-05-04 08:54:331910 TSMC28nm的產(chǎn)能，目前仍舊無(wú)法滿足Qualcomm、AMD以及NVIDIA三家客戶，似乎已經(jīng)是不爭(zhēng)的實(shí)施。
2012-05-15 08:37:20652 隨著芯片微縮，開(kāi)發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來(lái)越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開(kāi)發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： TSMC授予Cadence兩項(xiàng)年度合作伙伴獎(jiǎng)項(xiàng)，兩項(xiàng)大獎(jiǎng)表彰Cadence在幫助客戶加快設(shè)計(jì)的3D-IC CoWoS技術(shù)與20納米參考流程方面的重要貢獻(xiàn)。 TSMC授予全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)
2012-11-07 11:48:07928 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動(dòng)工藝。
2013-07-25 10:10:521049 FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）第0.5版的認(rèn)證，同時(shí)從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計(jì)套件（iPDK）。憑借其對(duì)iPDK標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對(duì)接。
2013-09-23 14:45:301050 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺(tái)和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 FastSPICE? （AFS） 平臺(tái)。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺(tái)已可應(yīng)用在基于TSMC 7 納米 FinFET 工藝最新設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè) （DRM） 和 SPICE 模型的初期設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和 IP 設(shè)計(jì)。
2016-03-24 11:13:19816 “我們與 Cadence 密切合作開(kāi)發(fā)參考流程，幫助我們的客戶加快其差異化的低功耗、高性能芯片的設(shè)計(jì)，”中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示，“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實(shí)現(xiàn)工具與中芯國(guó)際28納米工藝的緊密結(jié)合，能夠幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將28納米設(shè)計(jì)達(dá)到更低的功耗以及更快的量產(chǎn)化。”
2016-06-08 16:09:562242 已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝，TSMC董事長(zhǎng)張忠謀日前談到了大陸28nm工藝的競(jìng)爭(zhēng)，他表示大陸公司的28nm產(chǎn)能增長(zhǎng)很快，其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:521538 確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)四代先進(jìn)工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日， 中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198 中芯國(guó)際是全球芯片代工行業(yè)中的四大廠商之一。然而，目前，中芯國(guó)際投入量產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且，中芯國(guó)際仍需對(duì)高端的28納米HKMG工藝繼續(xù)深入探究。 中芯國(guó)際是全球
2017-04-26 10:05:11712 
賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作，將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測(cè)試芯片，并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 7納米工藝將成為明年的重點(diǎn)制程工藝，但受成本太高的原因，據(jù)悉明年僅三星蘋(píng)果兩家手機(jī)繼續(xù)采用7納米處理器。高通沒(méi)有采用臺(tái)積電最新的7納米工藝，會(huì)繼續(xù)延用三星電子的10納米工藝。
2017-12-14 08:59:366197 位于廈門(mén)火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）有限公司日前傳來(lái)喜訊，已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達(dá) 98%。這是該公司28納米
2018-03-31 15:28:5011192 Credo 在2016年展示了其獨(dú)特的28納米工藝節(jié)點(diǎn)下的混合訊號(hào)112G PAM4 SerDes技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗100G光模塊，并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點(diǎn)來(lái)提供創(chuàng)新且互補(bǔ)的112G連接
2018-10-30 11:11:125204 近日，華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029 12月11日，華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159 華虹集團(tuán)旗下中國(guó)領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780 華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺(tái)的一顆無(wú)線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224 28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場(chǎng)上的主流工藝，無(wú)論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟，成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291446 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布，雙方合作開(kāi)發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車(chē)與自動(dòng)駕駛汽車(chē)的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作， 加速賦能移動(dòng)、人工智能和超大規(guī)模計(jì)算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計(jì) 完整
2021-10-26 15:10:581928 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:55
0 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
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2023-03-16 19:31:530 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:32:060 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:32:200 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-03-16 19:32:490 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
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2023-03-16 19:35:091 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
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